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公开(公告)号：CN103403895B
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201180066819.2
申请日：2011-06-08
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/38 , H01L33/0079 , H01L33/44 , H01L33/486 , H01L33/50 , H01L33/58 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 根据一个实施例，半导体发光器件包括半导体层、p侧电极、n侧电极、p侧金属柱、n侧金属柱和绝缘体。该半导体层包括第一表面、与该第一表面相对的第二表面、以及发光层。该p侧金属柱包括p侧外部端子。该n侧金属柱包括n侧外部端子。选自p侧外部端子的面积和平面构造中的至少一个不同于选自n侧外部端子的面积和平面构造中的至少一个。
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公开(公告)号：CN103403890B
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201180069018.1
申请日：2011-08-10
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/48 , H01L33/62 , H01L23/498 , H01L33/50 , H01L33/52
CPC classification number: H01L33/36 , H01L21/28 , H01L23/49805 , H01L33/486 , H01L33/50 , H01L33/52 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 根据一个实施例，发光器件包括半导体层、p侧电极、n侧电极、第一绝缘层（18）、p侧互连层、n侧互连层、和第二绝缘层（25）。半导体层包括第一表面（15a）、与第一表面相对的第二表面、以及发光层。p侧电极（16）设置在第二表面上的包括发光层的区域中。n侧电极（17）设置在第二表面上的不包括发光层的区域中。p侧互连层包括在第三表面（30）处从该第二绝缘层（25）暴露出的p侧外部端子（23a），该第三表面具有的平面取向不同于第一表面的平面取向和第二表面的平面取向。该n侧互连层包括在第三表面（30）处从第二绝缘层（25）暴露出的n侧外部端子（24a）。
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公开(公告)号：CN103403889A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201280010835.4
申请日：2012-01-25
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/36 , H01L33/38 , H01L33/44 , H01L33/502 , H01L33/62 , H01L2224/16225
Abstract: 根据一个实施例，半导体发光器件包括半导体层（15）、p侧电极（16）、n侧电极（17）、无机绝缘膜（14）、p侧互连部分（21）、n侧互连部分（22）和有机绝缘膜（20）。有机绝缘膜设置在无机绝缘膜上，至少在p侧互连部分和n侧互连部分之间的部分上。p侧互连部分的在n侧互连部分一侧的端部（216）和n侧互连部分的在p侧互连部分一侧的端部（226）重叠在有机绝缘膜上。
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公开(公告)号：CN102694113A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201210075913.0
申请日：2012-03-21
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/62 , H01L33/486 , H01L2924/0002 , H01L2933/0016 , H01L2924/00
Abstract: 根据一个实施例，半导体发光器件包括叠置体、第一和第二电极、第一和第二互连、第一和第二柱以及第一绝缘层。叠置体包括第一和第二半导体层和发光层。第一和第二电极分别连接到第一和第二半导体层。第一和第二互连分别连接到第一和第二电极。第一和第二柱分别连接到第一和第二互连。第一绝缘层设置在所述互连和所述柱上。第一和第二柱具有在第一绝缘层的表面中暴露的第一和第二监视焊盘。第一和第二互连具有在与第一绝缘层的所述表面连接的侧面中暴露的第一和第二键合焊盘。
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公开(公告)号：CN102336392A
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN201110253951.6
申请日：2009-02-01
Applicant: 株式会社东芝
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81B7/0038 , B81B2201/0221 , B81B2203/04 , B81C1/00476
Abstract: 本发明涉及一种构建到半导体集成电路中的电器件。基底包括功能元件。绝缘的第一膜与基底一起形成容纳功能元件的腔体并且包括多个通孔。绝缘的第二膜覆盖所述多个通孔，形成在第一膜上，并且其透气性高于第一膜的透气性。绝缘的第三膜形成在第二膜上，并且其透气性低于第二膜的透气性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103403888B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201180068941.3
申请日：2011-09-15
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/0075 , H01L33/44 , H01L33/486 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 根据一个实施例，一种半导体发光器件包括：半导体层、p侧电极（16）、n侧电极（17）、和无机膜（30）。半导体层包括具有不平坦性的第一表面（15a）、与第一表面相对的第二表面、以及发光层（13）。该半导体层包括氮化镓。p侧电极（16）被设置在包括发光层（13）的区域中的第二表面上。n侧电极（17）被设置在不包括发光层的区域中的第二表面上。无机膜被设置为遵从第一表面的不平坦性，并与所述第一表面接触。无机膜的主要成分为硅和氮。无机膜的折射率介于氮化镓的折射率和空气的折射率之间。也在无机膜的表面中形成不平坦性。
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公开(公告)号：CN103354253B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201310258023.8
申请日：2010-08-02
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/62 , H01L33/0008 , H01L33/0016 , H01L33/0095 , H01L33/36 , H01L33/387 , H01L33/56 , H01L2933/0016 , H01L2933/005 , H01L2933/0066 , Y10S438/94
Abstract: 根据一个实施方式，一种半导体发光装置制造方法包括在基板主表面上形成分离沟槽。包括发光层的半导体层被形成在基板上。分离沟槽将半导体层分离为多个元件。该方法包括在基板主表面上形成绝缘膜。绝缘膜覆盖半导体层和位于基板上的分离沟槽底表面。该方法包括通过从与主表面相反的基板表面用激光照射半导体层而将基板从半导体层分开。激光照射区域的边缘部分靠近与分离沟槽邻接的半导体层边缘部分定位。
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公开(公告)号：CN103017795B
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201210225044.5
申请日：2012-06-29
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: B81C1/00158 , B81B2201/0264 , B81C1/00246 , B81C2203/0771 , G01L9/0042 , H04R1/08 , H04R19/005 , H04R19/04 , H04R31/00
Abstract: 根据一个实施例，应变和压力检测器件包括半导体电路单元和检测单元。所述半导体电路单元包括半导体衬底和晶体管。所述晶体管设置在半导体衬底上。所述检测单元设置在所述半导体电路单元上，并且具有空间部分和非空间部分。所述非空间部分与所述空间部分并列。所述检测单元进一步包括活动梁、应变检测元件单元、以及第一和第二埋置互连部。所述活动梁具有固定部分和活动部分，并且包括第一和第二互连层。所述固定部分被固定到所述非空间部分。所述活动部分与所述晶体管分开并从所述固定部分延伸到所述空间部分中。所述应变检测元件单元被固定到所述活动部分。所述第一和第二埋置互连部设置在所述非空间部分中。
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公开(公告)号：CN102270727B
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201110070604.X
申请日：2011-03-17
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/62 , H01L27/153 , H01L33/0079 , H01L33/486 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 根据一个实施例，半导体发光装置包括半导体层、第一电极、第二电极、第一绝缘层、第一互连层、第二互连层、第一金属柱、第二金属柱，以及第二绝缘层。半导体层包括第一主表面，与第一主表面相反的第二主表面，以及发光层。第一互连层的一部分的边缘被从第一绝缘层和第二绝缘层中侧向暴露出来。
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公开(公告)号：CN103403895A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201180066819.2
申请日：2011-06-08
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/38 , H01L33/0079 , H01L33/44 , H01L33/486 , H01L33/50 , H01L33/58 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 根据一个实施例，半导体发光器件包括半导体层、p侧电极、n侧电极、p侧金属柱、n侧金属柱和绝缘体。该半导体层包括第一表面、与该第一表面相对的第二表面、以及发光层。该p侧金属柱包括p侧外部端子。该n侧金属柱包括n侧外部端子。选自p侧外部端子的面积和平面构造中的至少一个不同于选自n侧外部端子的面积和平面构造中的至少一个。
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