-
公开(公告)号：CN109553064A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201811119874.3
申请日：2018-09-25
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
IPC: B81C1/00 , B81B7/00 , H01L21/768 , H01L23/528
CPC classification number: B81C1/00293 , B81B7/0041 , B81C1/00333 , B81C2201/0132 , B81C2203/0136 , B81C2203/0145 , G01D5/06 , B81C1/00095 , B81B7/0006 , B81B2207/07 , H01L21/76898 , H01L23/5283
Abstract: 本发明涉及一种用于制造微机械元件的方法，所述方法包括以下步骤：-制造具有用于微机械元件的功能层、至少部分包围功能层的牺牲层和在牺牲层上的封闭罩的微机械结构，-将覆盖层施加到微机械结构上，-在覆盖层中制造栅格结构，-在栅格结构下方制造空腔作为通向牺牲层的通道，-至少部分地移除牺牲层，-将封闭层至少施加到覆盖层的栅格结构上用于封闭通向空腔的通道。
-
公开(公告)号：CN102906008B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201180025545.2
申请日：2011-06-15
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: B81B3/00
CPC classification number: B81B3/0072 , B81B3/0021 , B81B2201/01 , B81B2201/014 , B81B2203/0118 , B81B2203/0315 , B81B2203/04 , B81C1/0015 , B81C1/00365 , B81C1/00476 , B81C1/00619 , B81C1/00626 , B81C1/00666 , B81C2201/0109 , B81C2201/013 , B81C2201/0167 , B81C2201/017 , B81C2203/0136 , B81C2203/0172 , G06F17/5068 , G06F17/5072 , H01H1/0036 , H01H57/00 , H01H59/0009 , H01H2057/006 , H01L41/1136 , H01L2924/0002 , Y10S438/937 , Y10T29/42 , Y10T29/435 , Y10T29/49002 , Y10T29/49105 , Y10T29/49121 , Y10T29/49126 , Y10T29/4913 , Y10T29/49155 , Y10T29/5313 , H01L2924/00
Abstract: 一种形成微机电系统（MEMS）的方法包括在MEMS的腔体内的第一绝缘体层上形成下电极。该方法还包括在下电极的顶部上的另一绝缘材料之上形成上电极，上电极与下电极至少部分地接触。下电极和上电极的形成包括调整下电极和上电极的金属体积以修改梁弯曲。
-
公开(公告)号：CN102030307B
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201010510987.3
申请日：2010-10-08
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
IPC: B81C1/00 , B81B7/02 , B81B3/00 , G01P15/125
CPC classification number: G01P15/125 , B81B2201/0235 , B81B2203/0109 , B81B2207/012 , B81B2207/07 , B81C1/00238 , B81C2201/019 , B81C2203/0136 , B81C2203/0792 , G01P1/023 , G01P15/0802 , G01P15/18 , G01P2015/084
Abstract: 本发明涉及用于制造微机械构件的制造方法，包括：以第一绝缘层(14)至少部分地覆盖衬底的第一侧面(11)，由至少一个第一导电材料构成至少一个致动器板电极(12)、至少一个接触接头(34)和至少一个弹簧部件(32)，以第二绝缘层(36)覆盖至少所述至少一个致动器板电极(12)、至少一个接触接头(34)和至少一个弹簧部件(32)，由至少一个第二导电材料构成至少一个定子接触接头(16)，在衬底中构成至少一个第一沟道(38)来形成可移动质量(10)和保持结构的一框架(30)，其中，在第一方向上蚀刻，和去除第二绝缘层(36)的至少一个位于至少一个致动器板电极(12)与至少一个定子板电极(16)之间的部分质量，其中，在第二方向上蚀刻。本发明还涉及微机械构件。
-
公开(公告)号：CN104340948A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201410364783.1
申请日：2014-07-28
Applicant: 原子能和替代能源委员会
IPC: B81B7/02
CPC classification number: B81B7/0058 , B81B7/0038 , B81B7/0077 , B81B2201/0228 , B81B2207/096 , B81C1/00285 , B81C1/00301 , B81C1/00682 , B81C2201/053 , B81C2203/0136 , B81C2203/0163 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225
Abstract: 本发明涉及一种包括机械加强盖并且具有吸气效应的封装结构。一种用于封装至少一个微型装置(104)的结构(100)，所述至少一个微型装置(104)被制造在基底(102)上和/或基底(102)中并且被定位在至少一个在所述基底和刚性地附接到所述基底上的盖(106)之间形成的腔(110)中，其中，所述盖至少包括：一层第一材料层(112)，所述第一材料层(112)的一个表面(114)形成了所述腔的内壁，以及刚性地附接到所述第一材料层的至少所述表面上的机械加强部分(116)，所述机械加强部分(116)部分地覆盖所述第一材料层的所述表面并且具有气体吸收和/或吸附性能，并且其中，所述机械加强部分的第二材料的杨氏模量高于所述第一材料的杨氏模量。
-
公开(公告)号：CN104144838A
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201280060809.2
申请日：2012-11-09
Applicant: 罗伯特·博世有限公司 , G·奥布赖恩
Inventor： G·奥布赖恩
IPC: B61C1/00
CPC classification number: H01L21/31111 , B81B2203/033 , B81C1/00063 , B81C1/00333 , B81C2203/0136
Abstract: 一种形成封装的宽沟槽的方法包括提供氧化绝缘体上硅(SOI)晶片，通过在SOI晶片的硅层内刻蚀第一沟槽限定第一牺牲硅板的第一侧，通过在硅层内刻蚀第二沟槽限定第一牺牲硅板的第二侧，在第一沟槽内形成第一牺牲氧化部分，在第二沟槽内形成第二牺牲氧化部分，在第一牺牲氧化部分和第二牺牲氧化部分上方形成多晶硅层以及刻蚀第一牺牲氧化部分和第二牺牲氧化部分。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102112390B
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN200980129711.6
申请日：2009-06-25
Applicant: 罗伯特.博世有限公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00333 , B81C2203/0136
Abstract: 本发明涉及一种用于封装一种MEMS-晶片（1），特别是一种传感器和/或动作器晶片的方法，它具有至少一个机械功能元件（10）。根据本发明规定，运动的机械功能元件（10）借助消耗层（14）固定了并且将一个盖顶层（19）施加到，特别是外延生长到消耗层（14）上，和/或至少一个施加到消耗层（14）上的中间层（7）上。此外，本发明还涉及一种封装的MEMS-晶片（1）。
-
公开(公告)号：CN102556946B
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201110415082.2
申请日：2011-12-13
Applicant: NXP股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00333 , B81C2203/0136
Abstract: 一种形成MEMS器件的方法，包括：用在衬底结构(100)上沉积的牺牲层部分(130)来封闭MEMS元件(122)，所述牺牲层部分限定了用于MEMS器件的腔体(150)；形成从所述牺牲层部分向外延伸的另一牺牲材料的至少一个条带(132)；在牺牲层部分上形成覆盖层部分(140)，所述覆盖层部分终止于至少一个条带；去除牺牲层部分和至少一个条带，所述至少一个条带的去除限定了在覆盖层下面横向延伸的至少一个排放道(134)；以及密封所述至少一个排放道。还公开了一种包括这种已封装微机电结构(122)的器件。
-
公开(公告)号：CN102906010A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201180025550.3
申请日：2011-06-08
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: B81B3/0072 , B81B3/0021 , B81B2201/01 , B81B2201/014 , B81B2203/0118 , B81B2203/0315 , B81B2203/04 , B81C1/0015 , B81C1/00365 , B81C1/00476 , B81C1/00619 , B81C1/00626 , B81C1/00666 , B81C2201/0109 , B81C2201/013 , B81C2201/0167 , B81C2201/017 , B81C2203/0136 , B81C2203/0172 , G06F17/5068 , G06F17/5072 , H01H1/0036 , H01H57/00 , H01H59/0009 , H01H2057/006 , H01L41/1136 , H01L2924/0002 , Y10S438/937 , Y10T29/42 , Y10T29/435 , Y10T29/49002 , Y10T29/49105 , Y10T29/49121 , Y10T29/49126 , Y10T29/4913 , Y10T29/49155 , Y10T29/5313 , H01L2924/00
Abstract: 一种形成至少一个微机电系统（MEMS）腔体（60b）的方法包括：在布线层（14）和衬底（10）上方形成第一牺牲腔体层（18）。该方法还包括在第一牺牲腔体层上方形成绝缘体层（40）。该方法还包括在绝缘体层上执行反向镶嵌回蚀刻工艺。该方法还包括平坦化绝缘体层和第一牺牲腔体层。该方法还包括将第一牺牲腔体层排放或剥离为MEMS的第一腔体（60b）的平面表面。
-
公开(公告)号：CN102803125A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201080027903.9
申请日：2010-06-24
Applicant: NXP股份有限公司
Inventor： 巴特·范维尔岑 , 汉斯·范扎德尔霍夫 , 格雷亚·乔安娜·阿德里亚娜·玛利亚·费尔海登
IPC: B81B7/00
CPC classification number: B81C1/00333 , B81C2203/0136
Abstract: 一种制造MEMS器件的方法包括：形成MEMS器件元件(12)。在所述MEMS器件元件周围形成侧壁(20)，并且在所述器件元件上以及在所述侧壁内形成牺牲层(14)。在所述牺牲层上提供封装覆盖层(16)，并且去除所述牺牲层。这种方法向在MEMS器件上设置的帽盖提供附加的侧壁。然后，这些附加的侧壁可以通过不同的工艺沉积到封装覆盖层的顶部部分上，并且可以由不同的材料形成。所述侧壁可以防止牺牲层的回流，并且改善了侧壁的密封性质。
-
公开(公告)号：CN102482073A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201080037995.9
申请日：2010-08-24
Applicant: 卡文迪什动力有限公司
Inventor： 查尔斯·戈登·史密斯 , 理查德·L·奈普
IPC: B81C1/00
CPC classification number: G02B26/0833 , B81B2201/042 , B81C1/00317 , B81C2203/0136 , B81C2203/0145 , G02B26/0841
Abstract: 本公开展示了怎样制得用于投射显示器的镜子的快速切换阵列。因为镜在中间没有通孔连接到下方弹簧支架，因此与现有技术不同，没有光自支柱或者通孔散射，于是提高了对比度。由于没有支撑接触，因此可将镜制作得较小，使得可使用更小的像素制得更高密度的显示器。此外，由于没有来自任何支撑弹簧支架的恢复力，因此镜由于附着力而停留在原位面向一或另一方向。这意味着不需要使用电压保持镜处于原位。这意味着需要较小功率运转显示器。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
105
records
(took 0.019 seconds)
