半导体器件
    11.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100394593C

    公开(公告)日:2008-06-11

    申请号:CN200510084420.3

    申请日:2005-07-15

    Abstract: 公开了一种半导体器件,其中,包括第一布线层和第一绝缘层的微细布线结构部分,形成在半导体衬底上,其中每一第一布线层和每一第一绝缘层都被交替地层压。第一巨型布线结构部分形成在微细布线结构部分上,并且第一巨型布线结构部分是这样形成的,通过以下面的顺序在微细布线结构部分上相继地形成第一巨型布线部分,其包括厚度为第一布线层厚度两倍或更多的第二布线层和第二绝缘层,其中每一第二布线层和每一第二绝缘层被交替地层压;第二巨型布线结构部分,包括厚度为第一布线层厚度两倍或更多的第三布线层和第三绝缘层,其中第三绝缘层在25℃时的弹性模量不大于第二绝缘层在25℃时的弹性模量,每一第三布线层和每一第三绝缘层都被交替地层压。

    半导体器件
    12.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1722429A

    公开(公告)日:2006-01-18

    申请号:CN200510084420.3

    申请日:2005-07-15

    Abstract: 公开了一种半导体器件,其中,包括第一布线层和第一绝缘层的微细布线结构部分,形成在半导体衬底上,其中每一第一布线层和每一第一绝缘层都被交替地层压。第一巨型布线结构部分形成在微细布线结构部分上,并且第一巨型布线结构部分是这样形成的,通过以下面的顺序在微细布线结构部分上相继地形成第一巨型布线部分,其包括厚度为第一布线层厚度两倍或更多的第二布线层和第二绝缘层,其中每一第二布线层和每一第二绝缘层被交替地层压;第二巨型布线结构部分,包括厚度为第一布线层厚度两倍或更多的第三布线层和第三绝缘层,其中第三绝缘层在25℃时的弹性模量不大于第二绝缘层在25℃时的弹性模量,每一第三布线层和每一第三绝缘层都被交替地层压。

    半导体器件
    14.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104241257B

    公开(公告)日:2018-04-03

    申请号:CN201410247229.5

    申请日:2014-06-06

    Abstract: 本发明涉及半导体器件,防止具有共同布置在特定区域中的直通硅通孔的半导体芯片的基板破裂。当与第一半导体芯片的长边平行的方向被定义为行方向并且与第一半导体芯片的长边垂直的方向被定义为列方向时,第一硅通孔中的每一个被布置在网格点的任一个上,该网格点被布置成m行和n列(m>n)。此外,如在沿着第一半导体芯片的短边所述的横截面上所观察到的那样,通过耦接被布置在m行和n列中的最外面的网格点而定义的直通硅通孔区域的中心在第一方向上偏离于第一半导体芯片的短边的中心。

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