公开(公告)号：CN103258770B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201310048766.2

申请日：2013-02-06

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 佐佐木伸也 ,  石月义克 ,  谷元昭

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L21/568 ,  H01L21/561 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/96 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/24195 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供了一种制造半导体装置的方法和制造电子装置的方法。该制造半导体装置的方法包括：在支承构件上设置第一粘接层；在第一粘接层上设置膜；在膜上布置半导体元件；在布置有半导体元件的膜上设置树脂层，并在膜上形成包括半导体元件和树脂层的基片；以及使膜和基片与第一粘接层分离。

公开(公告)号：CN103258752B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201310048269.2

申请日：2013-02-06

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 石月义克 ,  佐佐木伸也 ,  谷元昭

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/24195 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置制造方法和电子装置制造方法，该半导体装置制造方法包括：将半导体元件放置在粘着层上，该粘着层放置在具有第一通孔的支撑体上；将部件放置在包括与第一通孔对应的部分的区域中，该部分在放置在支撑体上的粘着层上；通过在已放置了半导体元件和部件的粘着层上形成树脂层来在粘着层上形成基板，该基板包括半导体元件、部件和树脂层；以及通过经由第一通孔按压部件而从粘着层分离基板。

公开(公告)号：CN102265714B

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：CN200980152059.X

申请日：2009-10-15

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 水越正孝 ,  石月义克

IPC: H05K3/20 ,  H05K3/22 ,  H05K3/46

CPC classification number: H05K3/20 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/10175 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81001 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/838 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1517 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/1579 ,  H05K1/142 ,  H05K3/4658 ,  H05K3/4694 ,  H05K2201/0108 ,  H05K2201/0352 ,  H05K2201/09972 ,  H05K2203/025 ,  H05K2203/1189 ,  Y10T29/49117 ,  Y10T156/1052 ,  Y10T428/24917 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/16225

Abstract: 在本发明的电子部件及其制造方法中，能够形成比以往更细微的导体图案。根据本发明的电子部件的制造方法，包括：在透明支撑基材(11)之上形成树脂层(13)的工序；使在一侧主表面(14x)形成有图案(14w)的导体板(14)按压树脂层(13)，以此将图案(14w)嵌入到该树脂层(13)的工序；对导体板(14)的另一侧主表面(14y)进行研磨、化学机械抛光或切削直到树脂层(13)露出，使图案(14w)留在树脂层(13)中作为导体图案(14z)的工序。

公开(公告)号：CN103258752A

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN201310048269.2

申请日：2013-02-06

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 石月义克 ,  佐佐木伸也 ,  谷元昭

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/24195 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置制造方法和电子装置制造方法，该半导体装置制造方法包括：将半导体元件放置在粘着层上，该粘着层放置在具有第一通孔的支撑体上；将部件放置在包括与第一通孔对应的部分的区域中，该部分在放置在支撑体上的粘着层上；通过在已放置了半导体元件和部件的粘着层上形成树脂层来在粘着层上形成基板，该基板包括半导体元件、部件和树脂层；以及通过经由第一通孔按压部件而从粘着层分离基板。

公开(公告)号：CN103258751A

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN201310044990.4

申请日：2013-02-04

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 谷元昭 ,  石月义克 ,  佐佐木伸也

IPC: H01L21/56

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/19 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/24195 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2224/19 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了制造半导体器件的方法和制造电子组合件的方法。制造半导体器件的方法包括：在支承体上设置粘合层；在粘合层上设置半导体元件；在其上设置有半导体元件的粘合层上设置树脂层，并且在粘合层上形成衬底，该衬底包括半导体元件和树脂层；以及从粘合层移除衬底，其中粘合层在移除衬底的方向上的粘附力小于粘合层在形成衬底的平面方向上的粘附力。

公开(公告)号：CN102044413A

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN201010526085.9

申请日：2003-04-22

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 水越正孝 ,  石月义克 ,  中川香苗 ,  冈本圭史郎 ,  手代木和雄 ,  酒井泰治

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/60 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L24/83 ,  H01L21/4853 ,  H01L24/11 ,  H01L24/29 ,  H01L24/45 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/1184 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/29298 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/749 ,  H01L2224/75 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/838 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/29099

Abstract: 本发明使半导体基板(1)的背面(1b)吸附在基板支承台(11)的支承面(11a)上而使其固定。这时，由于对背面(1b)的平整化处理，成为半导体基板(1)的厚度一定的状态，背面(1b)由于向支承面(11a)吸附而被强制性地成为没有起伏的状态，这样，背面(1b)成为表面(1a)的平整化的基准面。在该状态下，使用刀具(10)对表面(1a)中的各Au突起(2)和抗蚀剂掩膜(12)的表层进行切削加工，进行平整化处理，使得各Au突起(2)和抗蚀剂掩膜(12)的表面连续且平整。这样，取代CMP，能够廉价且高速地使形成在基板上的微细的凸块的表面平整化。