公开(公告)号：CN101410967B

公开(公告)日：2012-03-28

申请号：CN200780010740.1

申请日：2007-04-25

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： M·D·加菲 ,  T·J·达尔顿 ,  J·P·冈比诺 ,  P·D·卡特肖克 ,  A·K·斯坦姆佩尔 ,  K·伯恩斯坦

IPC: H01L21/768 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L21/84 ,  H01L23/481 ,  H01L23/522 ,  H01L27/1203 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种在相对侧上具有布线层级的半导体器件和制造具有到器件的接触和在相对侧上的布线层级的半导体结构的方法。该方法包括在绝缘体上硅衬底上制造器件，该绝缘体上硅衬底具有到器件的第一接触和第一侧上的到第一接触的布线层级，去除下硅层以暴露掩埋氧化层、穿过掩埋氧化层形成到器件的第二接触并在掩埋氧化层上形成到第二接触的布线层级。

公开(公告)号：CN1638089B

公开(公告)日：2010-04-28

申请号：CN200410070537.1

申请日：2004-08-03

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： A·K·斯坦帕 ,  E·C·库尼三世 ,  J·P·甘比诺 ,  T·J·达尔顿 ,  J·A·菲兹赛蒙斯 ,  L·M·尼科尔森

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/31 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/76849 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76835 ,  H01L21/76852 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种形成后段制程(BEOL)互连结构的方法。该方法和所得的结构包括低k介电材料的回蚀。具体地说，把低介电常数的材料集成到含有介电常数较高(即4.0或更高)的介电材料的双或单镶嵌布线结构。镶嵌结构包括与金属互连紧密相邻的较高介电常数的材料，从而从这些材料的机械特性中受益，同时在互连层的其它区域引入较低介电常数的材料。

公开(公告)号：CN100517621C

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200580046544.0

申请日：2005-12-02

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： L·A·克莱文格 ,  T·J·达尔顿 ,  L·C·苏 ,  C·J·拉登斯 ,  T·E·斯坦德尔特 ,  K·K·H·黄 ,  杨智超

IPC: H01L21/4763

CPC classification number: H01L21/76852 ,  H01L21/288 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种制造互连的方法包括如下步骤：在介质材料中提供互连结构，凹进介质材料，以使互连结构的一部分在介质的上表面上延伸；以及在互连结构的延伸部分上沉积包覆层。

公开(公告)号：CN101410967A

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：CN200780010740.1

申请日：2007-04-25

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： M·D·加菲 ,  T·J·达尔顿 ,  J·P·冈比诺 ,  P·D·卡特肖克 ,  A·K·斯坦姆佩尔 ,  K·伯恩斯坦

IPC: H01L21/768 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L21/84 ,  H01L23/481 ,  H01L23/522 ,  H01L27/1203 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种在相对侧上具有布线层级的半导体器件和制造具有到器件的接触和在相对侧上的布线层级的半导体结构的方法。该方法包括在绝缘体上硅衬底上制造器件，该绝缘体上硅衬底具有到器件的第一接触和第一侧上的到第一接触的布线层级，去除下硅层以暴露掩埋氧化层、穿过掩埋氧化层形成到器件的第二接触并在掩埋氧化层上形成到第二接触的布线层级。

公开(公告)号：CN101390203A

公开(公告)日：2009-03-18

申请号：CN200680012049.2

申请日：2006-04-07

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 杨智超 ,  L·A·克莱文格 ,  A·P·考利 ,  T·J·达尔顿 ,  M·H·允

IPC: H01L21/4763

CPC classification number: H01L21/76849 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76843 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种镶嵌布线及形成所述布线的方法。所述方法包括：在介质层的顶表面上形成掩模层；在所述掩模层中形成开口；在所述介质层未被所述掩模层保护处的所述介质层中形成沟槽；凹入在所述掩模层之下的所述沟槽的侧壁；在所述沟槽和所述硬掩模层的所有暴露的表面上形成保形导电衬里；使用芯导体填充所述沟槽；去除在所述介质层的所述顶表面之上延伸的所述导电衬里的部分并去除所述掩模层；以及在所述芯导体的顶表面上形成导电帽。所述结构包括导电衬里中的芯导体覆层和与未被所述导电衬里所覆盖的所述芯导体的顶表面接触的导电盖帽层。

公开(公告)号：CN1638089A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN200410070537.1

申请日：2004-08-03

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： A·K·斯坦帕 ,  E·C·库尼三世 ,  J·P·甘比诺 ,  T·J·达尔顿 ,  J·A·菲兹赛蒙斯 ,  L·M·尼科尔森

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/31 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/76849 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76835 ,  H01L21/76852 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种形成后段制程(BEOL)互连结构的方法。该方法和所得的结构包括低k介电材料的回蚀。具体地说，把低介电常数的材料集成到含有介电常数较高(即4.0或更高)的介电材料的双或单镶嵌布线结构。镶嵌结构包括与金属互连紧密相邻的较高介电常数的材料，从而从这些材料的机械特性中受益，同时在互连层的其它区域引入较低介电常数的材料。

公开(公告)号：CN101390203B

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN200680012049.2

申请日：2006-04-07

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 杨智超 ,  L·A·克莱文格 ,  A·P·考利 ,  T·J·达尔顿 ,  M·H·允

IPC: H01L21/4763

CPC classification number: H01L21/76849 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76843 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种镶嵌布线及形成所述布线的方法。所述方法包括：在介质层的顶表面上形成掩模层；在所述掩模层中形成开口；在所述介质层未被所述掩模层保护处的所述介质层中形成沟槽；凹入在所述掩模层之下的所述沟槽的侧壁；在所述沟槽和所述硬掩模层的所有暴露的表面上形成保形导电衬里；使用芯导体填充所述沟槽；去除在所述介质层的所述顶表面之上延伸的所述导电衬里的部分并去除所述掩模层；以及在所述芯导体的顶表面上形成导电帽。所述结构包括导电衬里中的芯导体覆层和与未被所述导电衬里所覆盖的所述芯导体的顶表面接触的导电盖帽层。

公开(公告)号：CN101496220A

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN200680038047.0

申请日：2006-08-30

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 路易斯·C·许 ,  L·A·克莱温格 ,  T·J·达尔顿 ,  C·J·雷登斯 ,  凯斯·洸·汉·黄 ,  杨智超

IPC: H01P1/10

CPC classification number: H01H50/005 ,  H01H2050/007 ,  Y10T29/4902 ,  Y10T29/49105 ,  Y10T29/49147

Abstract: 本发明提供一种MEM开关，具有在微腔(40)内自由移动的元件(140)，并被至少一个电感元件所引导。开关包括：上电感线圈(170)；非必需的下电感线圈(190)，每个电感线圈都具有优选地由透磁合金制成的磁芯(180，200)；微腔(40)；和自由移动的开关元件(140)，该开关元件也由磁性材料制成。通过使电流流过上线圈，在线圈元件中感应出磁场来实现开关。磁场向上吸引自由移动的磁性元件，将两根开路的导线(M_l，M_r)短路，从而闭合开关。当电流停止或反向时，自由移动的磁性元件由于重力而落到微腔的底部，并且将导线开路。当无法利用重力时，就必需有下线圈，以拉回自由移动的开关元件并将它保持在其原来位置。

公开(公告)号：CN100487872C

公开(公告)日：2009-05-13

申请号：CN200510117375.7

申请日：2005-11-03

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： T·J·达尔顿 ,  R·A·D·瓜尔迪亚 ,  N·C·富勒

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/31138 ,  G03F7/40 ,  G03F7/405 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/31144

Abstract: 一种新颖的包括OSG或聚合基的互连结构(90nm或更细的BEOL技术)，其中利用先进的等离子体处理降低半导体器件中的光刻后CD不均匀性(线条边缘粗糙度)。该新颖的互连结构具有改进的衬里和籽晶保形性，从而可以获得改善的器件性能、功能性和可靠性。

公开(公告)号：CN101110431A

公开(公告)日：2008-01-23

申请号：CN200710136085.6

申请日：2007-07-17

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： V·拉马钱德兰 ,  许履尘 ,  C·拉登斯 ,  杨智超 ,  L·A·克莱文格 ,  T·J·达尔顿 ,  黄洸汉

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L23/481 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/5227 ,  H01L28/10 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了用于制造具有高Q芯片上电感器的半导体IC(集成电路)芯片的方法，所述电感器形成于芯片背面上并使用穿过晶片的互连连接到芯片正面上的集成电路。例如，具有背面集成电感器的半导体器件包括半导体衬底，所述衬底具有正面、背面和介于衬底背面和正面之间的掩埋绝缘层。在半导体衬底的正面上形成集成电路而在半导体衬底的背面上形成集成电感器。形成穿过掩埋绝缘层的互连结构，以连接集成电感器和集成电路。所述半导体衬底可以是SOI(绝缘体上硅)结构。