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公开(公告)号：CN103227619A
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201310022416.9
申请日：2013-01-22
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H03H9/64
CPC classification number: H03H9/13 , G06F17/5081 , H01L41/08 , H03H3/08 , H03H9/02543 , H03H9/64 , H03H9/6403 , H03H9/6413 , H03H2003/0071 , H03H2009/02299 , Y10T29/42 , Y10T29/49005 , Y10T29/49126 , Y10T29/49147 , Y10T29/49155
Abstract: 本文中公开了可切换和/或可调谐滤波器、制造方法和设计结构。形成所述滤波器的方法包括形成至少一个压电滤波器结构，所述至少一个压电滤波器结构包括在压电基底上形成的多个电极。该方法还包括在所述压电基底上形成具有多个指状物的固定电极。该方法还包括在所述压电基底之上形成具有多个指状物的可动电极。该方法还包括形成与所述可动电极的所述多个指状物中的一个或多个指状物对准的致动器。
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公开(公告)号：CN100552970C
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200580044500.4
申请日：2005-12-14
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/04
CPC classification number: H01L27/14636 , H01L21/76819 , H01L21/76834 , H01L27/14621 , H01L27/14625 , H01L27/14627 , H01L27/14629 , H01L27/14645 , H01L27/14683
Abstract: 一种图像传感器(20)及制造方法，其中该传感器包括铜(Cu)金属化级(135a，135b)，允许结合较薄的级间介质叠层(130a-130c)以导致像素阵列(100)显示增加的光敏感性。图像传感器包括具有最小厚度的阻挡金属层(132a，132b)的结构，阻挡金属层经过传感器阵列中的每个像素的光路，或者具有从每个像素的光路选择除去的阻挡金属层的一部分(50)，从而最小化反射率。即，通过进行各种阻挡或单掩模方法，在阵列中的每个像素的光路的位置完全除去阻挡金属层的一部分。在另一个实施例中，可以通过自对准沉积在Cu金属化上形成阻挡金属层(142)。
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公开(公告)号：CN101000890A
公开(公告)日：2007-07-18
申请号：CN200710001597.1
申请日：2007-01-09
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: H01L23/5223 , H01L21/76814 , H01L21/76816 , H01L21/76831 , H01L28/87 , H01L2924/0002 , H01L2924/3011 , H01L2924/00
Abstract: 本发明旨在提供具有电容器电极的集成电路梳形电容器，该电容器电极与在相同的金属布线级中并且以相同的间距形成的其它互连和过孔接触相比，在相邻电容器电极之间具有增加的电容。本发明通过使用至多一个附加非必需的光掩膜获得了电容器，其将电容公差最小化并保持寄生电极－衬底电容耦合的对称，而没有对在相同布线级中形成的其它互连和过孔接触产生不利影响。
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公开(公告)号：CN1670945A
公开(公告)日：2005-09-21
申请号：CN200510002639.4
申请日：2005-01-21
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/82 , H01L21/768 , H01L27/00
CPC classification number: H01L28/10 , H01F41/041 , H01L21/76852 , H01L21/76885 , H01L23/3192 , H01L23/5227 , H01L23/53238 , H01L24/02 , H01L2224/0401 , H01L2224/13022 , H01L2224/13147 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01044 , H01L2924/0105 , H01L2924/01055 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , Y10T29/4902 , Y10T29/49155 , Y10T29/49165 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了高性能铜感应器的集成，其中在最后的金属级和最后的金属+1级上形成高的Cu叠层螺旋感应器，金属级通过具有与在最后的金属级和最后的金属+1级上的螺旋金属感应器相同的螺旋形状的条形过孔互连。本发明提供了用于集成厚感应器的形成与接合焊盘、端子和具有最后的金属+1布线的互连布线的形成的方法。本发明使用介质沉积、隔离物形成、和/或选择沉积诸如CoWP的钝化金属以钝化在最后的金属层之后形成的Cu感应器。
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公开(公告)号：CN104838499B
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201280061269.X
申请日：2012-11-05
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , B82Y99/00
CPC classification number: H01L29/1606 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/186 , H01L27/1222 , H01L29/41733 , H01L29/42384 , H01L29/66045 , H01L29/66742 , H01L29/778 , H01L29/7786 , H01L29/785 , H01L29/78684 , H01L29/78696
Abstract: 制造半导体结构(5)包括：在芯轴(20a，20b)的侧壁上形成种子材料(25)；在种子材料(25)上形成石墨烯场效应晶体管(FET)(30)；以及去除种子材料(25)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103187947B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201310001517.8
申请日：2013-01-04
Applicant: 国际商业机器公司
Abstract: 本文中公开了可切换和/或可调谐的滤波器、制造方法和设计结构。形成滤波器的方法包括形成至少一个压电滤波器结构，所述至少一个压电滤波器结构包括在压电基底上形成的多个电极。该方法还包括形成微机电结构（MEMS），所述MEMS包括在所述压电基底上方且在如下位置处形成的MEMS梁：在该位置中，所述MEMS梁在致动时通过接触所述多个电极中的至少一个来短接所述压电滤波器结构。
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公开(公告)号：CN103187947A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201310001517.8
申请日：2013-01-04
Applicant: 国际商业机器公司
Abstract: 本发明公开了可切换和/或可调谐的滤波器、制造方法和设计结构。形成滤波器的方法包括形成至少一个压电滤波器结构，所述至少一个压电滤波器结构包括在压电基底上形成的多个电极。该方法还包括形成微机电结构（MEMS），所述MEMS包括在所述压电基底上方且在如下位置处形成的MEMS梁：在该位置中，所述MEMS梁在致动时通过接触所述多个电极中的至少一个来短接所述压电滤波器结构。
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公开(公告)号：CN100485949C
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200610143835.8
申请日：2006-11-09
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： J·B·拉斯基 , J·P·甘比诺 , J·B·约翰逊 , J·J·埃利斯-莫纳汉
IPC: H01L27/146 , H01L27/14
CPC classification number: H01L27/14647 , H01L27/14603 , H01L27/14634
Abstract: 本发明提供了掩埋在半导体材料中的垂直堆叠光电二极管，其被深槽隔离和选择性接触。本发明的一个实施例提供了一种像素传感器，包括：多个在衬底上形成的光敏单元，每个光敏单元适于产生光致电荷以响应电磁辐射；以及多个光致电荷迁移器件，每个光致电荷迁移器件与至少一个所述多个光敏单元耦合。
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公开(公告)号：CN1964059A
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200610143835.8
申请日：2006-11-09
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： J·B·拉斯基 , J·P·甘比诺 , J·B·约翰逊 , J·J·埃利斯-莫纳汉
IPC: H01L27/146 , H01L27/14
CPC classification number: H01L27/14647 , H01L27/14603 , H01L27/14634
Abstract: 本发明提供了掩埋在半导体材料中的垂直堆叠光电二极管，其被深槽隔离和选择性接触。本发明的一个实施例提供了一种像素传感器，包括：多个在衬底上形成的光敏单元，每个光敏单元适于产生光致电荷以响应电磁辐射；以及多个光致电荷迁移器件，每个光致电荷迁移器件与至少一个所述多个光敏单元耦合。
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公开(公告)号：CN1306589C
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN200310115498.8
申请日：2003-11-26
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L23/5258 , H01L2224/05001 , H01L2224/05022 , H01L2224/05026 , H01L2224/05027 , H01L2224/05184 , H01L2224/05572 , H01L2224/056 , H01L2224/11 , H01L2924/0002 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166
Abstract: 一种熔丝结构的形成方法，其中熔丝上的钝化材料具有可控的基本上均匀的厚度，在形成C4冶金结构之后提供熔丝。也公开了由该方法形成的用于熔丝的激光熔丝消除工艺。
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