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公开(公告)号：CN100409379C
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200610013055.1
申请日：2006-01-16
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明属于一种晶粒大小可控的多晶Fe3O4薄膜材料及其制备方法，它是在基片上形成多晶Fe3O4薄膜，Fe3O4晶粒粒径为19～42纳米，薄膜的室温磁电阻数值11～12%。本发明是采用直流磁控溅射技术，先在氩气和氧气的混合气氛中溅射成膜，然后通过对退火温度和退火时间的连续控制而制备的，所用基片材料为玻璃、石英、单晶硅、单晶砷化镓等，溅射时基片不加热。本发明制备得到的多晶Fe3O4薄膜材料与目前所存的同类材料相比，其晶粒大小可以连续控制，并且具有较高的室温磁电阻数值，制备工艺简单，适用于多种基片等优点。
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公开(公告)号：CN1970833A
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：CN200610129817.4
申请日：2006-12-04
Applicant: 南开大学
IPC: C23C16/513 , C23C16/448 , C23C16/30 , C23C16/52 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种CIGS太阳电池器件的制备工艺和一种直流辉光等离子体化学气相沉积Zn(O，S)、ZnO薄膜的反应系统，反应系统包括真空反应罩，上、下进气管，绝缘座，特征是在石英反应腔上方依次安装有冷却室、下气腔和上气腔，上、下出气管的上端分别伸在上、下气腔内，上出气管的下端穿过等离子体区，下出气管的出口在等离子体区的上方，两个气管呈均匀间隔排列，均垂直于p－CIGS衬底；p－CIGS衬底放在石墨台上表面的钽片上；在石英反应腔两侧的阳极和阴极呈竖直方向并排对立；反应室抽真空后，加热p－CIGS衬底，二氧化碳、硫化氢和氢气混合气进入下进气管，在等离子体作用下充分反应，二乙基锌或二甲基锌的气进入上进气管，在p－CIGS衬底上热裂解，制备出高阻Zn(O，S)薄膜，然后关闭通硫化氢气体，继续在Zn(O，S)薄膜沉积低阻ZnO薄膜，得到n－ZnO/Zn(O，S)/p－CIGS/Mo/glass太阳电池器件。
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公开(公告)号：CN113284966B
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202110542983.1
申请日：2021-05-18
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明提供了一种硒源蒸发活化处理设备，用于制备含硒薄膜化合物，该设备包括硒源蒸发装置和硒源活化装置，其中，硒源活化装置包括：硒源活化腔室，硒源活化腔室的一侧设置有活化腔室入口，与硒源蒸发装置出口相连；与硒源活化腔室的一侧相对的另一侧设置有活化腔室出口；硒源活化器，设置于硒源活化腔室内部，用于有效活化硒源装置中硒源蒸发出来的硒蒸气；其中，硒源活化腔室和硒源活化器的制备材料均为非金属材料；硒源活化器的表面设置有n个螺旋状凹槽，其中，n≥3。
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公开(公告)号：CN113284966A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110542983.1
申请日：2021-05-18
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明提供了一种硒源蒸发活化处理设备，用于制备含硒薄膜化合物，该设备包括硒源蒸发装置和硒源活化装置，其中，硒源活化装置包括：硒源活化腔室，硒源活化腔室的一侧设置有活化腔室入口，与硒源蒸发装置出口相连；与硒源活化腔室的一侧相对的另一侧设置有活化腔室出口；硒源活化器，设置于硒源活化腔室内部，用于有效活化硒源装置中硒源蒸发出来的硒蒸气；其中，硒源活化腔室和硒源活化器的制备材料均为非金属材料；硒源活化器的表面设置有n个螺旋状凹槽，其中，n≥3。
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公开(公告)号：CN109671803A
公开(公告)日：2019-04-23
申请号：CN201811333138.8
申请日：2018-11-09
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224
Abstract: 本发明公开一种薄膜太阳能电池制备方法，包括以下步骤：在衬底上形成背电极；在背电极上形成金属预制层，将金属预制层在NaF溶液中进行浸泡处理并烘干，将烘干后的金属预制层进行后硒化处理形成吸收层；形成缓冲层；形成本征氧化锌层和掺杂氧化锌层；以及形成顶电极。本发明通过采用NaF溶液对金属预制层进行处理，使得薄膜太阳能电池的开路电压显著提高，器件效率得到了明显的提升。另外，本发明成本低廉，有利于商业化推广和应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103456802B
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201310394901.9
申请日：2013-09-04
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种用于聚酰亚胺衬底铜铟镓硒薄膜太阳能电池的背电极，用薄层Ag作为应力缓冲层并与Mo薄膜构成复合结构，由聚酰亚胺衬底、薄Mo薄膜层、Ag薄膜层和厚Mo薄膜层依次叠加构成，薄Mo薄膜层为高阻Mo层，Ag薄膜层为应力缓冲层，厚Mo薄膜层为阻挡层，阻挡层为双层Mo薄膜；该背电极用于铜铟镓硒薄膜太阳能电池的背电极。本发明的优点是：采用简单、低廉的磁控溅射技术，制备薄Ag薄膜作为应力缓冲层来平衡聚酰亚胺衬底与Mo之间热膨胀系数不匹配所带来的应力，这种复合结构的背电极电阻率比较低，其反射率比较高，对于超薄CIGS电池效率的提升具有重要作用。
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公开(公告)号：CN100581995C
公开(公告)日：2010-01-20
申请号：CN200810053051.5
申请日：2008-05-09
Applicant: 南开大学
CPC classification number: Y02P20/128 , Y02P70/521
Abstract: 一种用于硒化处理的高活性硒源的产生方法及装置和应用。本发明方法包括：将固态硒加热蒸发产生硒蒸汽；向上步产生的硒蒸汽中并入氢气，或氢气与氩气的混合气体；将上步混合气体进行等离子体辉光分解与合成，得到硒化氢及高活性的硒气氛。硒源产生装置包括一个密闭反应罐，反应罐内的固态硒源、阳极和阴极辉光电极、硒化氢反应腔，以及反应罐外的加热装置和激励电源，同时在反应罐侧壁上设有气体输入端口，反应罐顶部设有用气体输出端口。本发明既保留了固态硒低价无毒、容易运输和保存的优点，又可在硒化过程中在线制备硒化氢及高活性硒气氛，使之具有硒化氢的高活性硒源的特性，还可节省大量的硒原料，降低成本，具有重要的实用价值。
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公开(公告)号：CN100510170C
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200610129817.4
申请日：2006-12-04
Applicant: 南开大学
IPC: C23C16/513 , C23C16/448 , C23C16/30 , C23C16/52 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种CIGS太阳电池器件的制备工艺和一种直流辉光等离子体化学气相沉积Zn(O，S)、ZnO薄膜的反应系统，反应系统包括真空反应罩，上、下进气管，绝缘座，特征是在石英反应腔上方依次安装有冷却室、下气腔和上气腔，上、下出气管的上端分别伸在上、下气腔内，上出气管的下端穿过等离子体区，下出气管的出口在等离子体区的上方，两个气管呈均匀间隔排列，均垂直于p-CIGS衬底；p-CIGS衬底放在石墨台上表面的钽片上；在石英反应腔两侧的阳极和阴极呈竖直方向并排对立；反应室抽真空后，加热p-CIGS衬底，二氧化碳、硫化氢和氢气混合气进入下进气管，在等离子体作用下充分反应，二乙基锌或二甲基锌的气进入上进气管，在p-CIGS衬底上热裂解，制备出高阻Zn(O，S)薄膜，然后关闭通硫化氢气体，继续在Zn(O，S)薄膜沉积低阻ZnO薄膜，得到n-ZnO/Zn(O，S)/p-CIGS/Mo/glass太阳电池器件。
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公开(公告)号：CN1285129C
公开(公告)日：2006-11-15
申请号：CN200310107262.X
申请日：2003-12-09
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及无镉铜铟镓硒薄膜太阳能电池缓冲层薄膜的制备方法，在铜铟镓硒光学吸收层薄膜的表面上镀覆金属锌薄膜，然后将镀覆有金属锌薄膜的电池基板表面用光辐照加热，其衬底背面用接触式热源或光辐照方式加热，固态硒源或/和硫源用接触式热源和光辐照协同方式来加热，硒源或/和硫源的温度控制在160～280℃，硒或硫蒸气与锌薄膜之间用光辐射来催化它们的合成反应，锌薄膜的硒化或/和硫化处理温度控制在180～420℃，用时2～10分钟将锌薄膜转化成n-型ZnSe或ZnS半导体薄膜材料，制成无镉铜铟镓硒薄膜太阳能电池中的缓冲层薄膜。本发明方法可在铜铟镓金属预制层后硒化方法制备CIGS薄膜电池的生产线内进行连续化的生产操作。
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公开(公告)号：CN1805080A
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN200610013055.1
申请日：2006-01-16
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明属于一种晶粒大小可控的多晶Fe3O4薄膜材料及其制备方法，它是在基片上形成多晶Fe3O4薄膜，Fe3O4晶粒粒径为19～42纳米，薄膜的室温磁电阻数值11～12％。本发明是采用直流磁控溅射技术，先在氩气和氧气的混合气氛中溅射成膜，然后通过对退火温度和退火时间的连续控制而制备的，所用基片材料为玻璃、石英、单晶硅、单晶砷化镓等，溅射时基片不加热。本发明制备得到的多晶Fe3O4薄膜材料与目前所存的同类材料相比，其晶粒大小可以连续控制，并且具有较高的室温磁电阻数值，制备工艺简单，适用于多种基片等优点。
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