一种用于硒化处理的高活性硒源的产生方法及装置和应用

    公开(公告)号:CN100581995C

    公开(公告)日:2010-01-20

    申请号:CN200810053051.5

    申请日:2008-05-09

    Applicant: 南开大学

    CPC classification number: Y02P20/128 Y02P70/521

    Abstract: 一种用于硒化处理的高活性硒源的产生方法及装置和应用。本发明方法包括:将固态硒加热蒸发产生硒蒸汽;向上步产生的硒蒸汽中并入氢气,或氢气与氩气的混合气体;将上步混合气体进行等离子体辉光分解与合成,得到硒化氢及高活性的硒气氛。硒源产生装置包括一个密闭反应罐,反应罐内的固态硒源、阳极和阴极辉光电极、硒化氢反应腔,以及反应罐外的加热装置和激励电源,同时在反应罐侧壁上设有气体输入端口,反应罐顶部设有用气体输出端口。本发明既保留了固态硒低价无毒、容易运输和保存的优点,又可在硒化过程中在线制备硒化氢及高活性硒气氛,使之具有硒化氢的高活性硒源的特性,还可节省大量的硒原料,降低成本,具有重要的实用价值。

    硒化物前驱薄膜与快速硒硫化热处理制备薄膜电池方法

    公开(公告)号:CN101299446A

    公开(公告)日:2008-11-05

    申请号:CN200810053356.6

    申请日:2008-05-30

    CPC classification number: Y02P70/521

    Abstract: 本发明涉及一种低成本硒化物前驱薄膜与快速硒硫化热处理制备薄膜太阳电池的方法,它可用于纳米硒化物涂料滚涂或电沉积法制备硒化物前驱薄膜,经过真空快速硒硫化热处理,制备出高效无镉薄膜太阳电池或光伏集成组件。本发明的薄膜电池吸收层带隙呈V型分布,快速硒硫化热处理使多孔疏松薄膜中CuSe/与In4Se3熔融、浸润、液相辅助CIGS薄膜晶体的反应生长和薄膜自身的致密化,反应溅射In2Se3或In2S3中和掉薄膜表层吸附的过量CuxSe,继续溅射微过量的In2S3生成n-高阻Cu(In1-yGay)3(SxSe1-x)5薄膜电池浅埋结,接着反应溅射沉积n型In(OH,S)/ZnS(O,OH)/ZnO(S)缓冲层与i层,溅射透明导电薄膜/与激光加工集成电极联接就完成薄膜太阳电池的制备。

    一种用于硒化处理的高活性硒源的产生方法及装置和应用

    公开(公告)号:CN101284654A

    公开(公告)日:2008-10-15

    申请号:CN200810053051.5

    申请日:2008-05-09

    Applicant: 南开大学

    CPC classification number: Y02P20/128 Y02P70/521

    Abstract: 一种用于硒化处理的高活性硒源的产生方法及装置和应用。本发明方法包括:将固态硒加热蒸发产生硒蒸汽;向上步产生的硒蒸汽中并入氢气,或氢气与氩气的混合气体;将上步混合气体进行等离子体辉光分解与合成,得到硒化氢及高活性的硒气氛。硒源产生装置包括一个密闭反应罐,反应罐内的固态硒源、阳极和阴极辉光电极、硒化氢反应腔,以及反应罐外的加热装置和激励电源,同时在反应罐侧壁上设有气体输入端口,反应罐顶部设有用气体输出端口。本发明既保留了固态硒低价无毒、容易运输和保存的优点,又可在硒化过程中在线制备硒化氢及高活性硒气氛,使之具有硒化氢的高活性硒源的特性,还可节省大量的硒原料,降低成本,具有重要的实用价值。

    一种等离子体辅助硒硫化处理装置及工艺

    公开(公告)号:CN102051603A

    公开(公告)日:2011-05-11

    申请号:CN201010518539.8

    申请日:2010-10-26

    Applicant: 南开大学

    CPC classification number: Y02P70/521

    Abstract: 一种等离子体辅助硒硫化处理装置,设置于真空室内,包括壳体、阴极板和阳极板,阴极板和阳极板交替叠放形成等离子体发生器,阴极板设有固定半导体薄膜基板的沟槽,阳极板表面均布小孔并设有输气管、独立内加热电极和阳极测温点基于该处理装置的工艺为:1)在半导体薄膜材料上按化学式配比预制金属层,然后放入阴极板的沟槽中;2)将其置于真空室内抽真空,打开电源加热阴极板和阳极板,启动等离子体发生器电源,并通入硒或硫、氢、氩混合气体。本发明的优点:硒原子的反应活性高,金属预制层的硒化反应完全,光电转换效率高;基片的加热温度低,不易变形;采用电子方式监控两电极间容抗的变化,了解转化的进展,减少工业化生产的废品率。

    一种调控钙钛矿/硅叠层电池中顶、底电池光电流匹配的方法

    公开(公告)号:CN107507928A

    公开(公告)日:2017-12-22

    申请号:CN201710594119.X

    申请日:2017-07-20

    Applicant: 南开大学

    CPC classification number: H01L51/56

    Abstract: 一种调控钙钛矿/硅叠层电池光电流匹配的方法,该方法以硅太阳电池为底部电池,钙钛矿太阳电池为顶部电池,通过调节顶部透明导电电极的厚度,实现了透明导电薄膜中因干涉相消产生的增透峰的峰位在可见光区域移动。钙钛矿顶电池在500-600nm波段往往具有较高的光谱响应。当透明导电薄膜的增透峰在相应波段范围时,一方面可起到增透膜的作用,增大顶部钙钛矿电池外量子效率(EQE)响应,提升光电流;另一方面也可调整顶电池在短波段对光的吸收及在长波段光的透过,对顶、底电池的光谱分配做出微调,进一步实现顶、底电池电流匹配。该方法可有效提升叠层电池中的光谱响应,进而提升器件的短路电流密度及效率,且该方法简单,易于实施。

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