公开(公告)号：CN100510170C

公开(公告)日：2009-07-08

申请号：CN200610129817.4

申请日：2006-12-04

Applicant: 南开大学

Inventor： 王应民 ,  孙云 ,  蔡莉 ,  李长健 ,  孙国忠 ,  杜楠 ,  李禾

IPC: C23C16/513 ,  C23C16/448 ,  C23C16/30 ,  C23C16/52 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种CIGS太阳电池器件的制备工艺和一种直流辉光等离子体化学气相沉积Zn(O，S)、ZnO薄膜的反应系统，反应系统包括真空反应罩，上、下进气管，绝缘座，特征是在石英反应腔上方依次安装有冷却室、下气腔和上气腔，上、下出气管的上端分别伸在上、下气腔内，上出气管的下端穿过等离子体区，下出气管的出口在等离子体区的上方，两个气管呈均匀间隔排列，均垂直于p-CIGS衬底；p-CIGS衬底放在石墨台上表面的钽片上；在石英反应腔两侧的阳极和阴极呈竖直方向并排对立；反应室抽真空后，加热p-CIGS衬底，二氧化碳、硫化氢和氢气混合气进入下进气管，在等离子体作用下充分反应，二乙基锌或二甲基锌的气进入上进气管，在p-CIGS衬底上热裂解，制备出高阻Zn(O，S)薄膜，然后关闭通硫化氢气体，继续在Zn(O，S)薄膜沉积低阻ZnO薄膜，得到n-ZnO/Zn(O，S)/p-CIGS/Mo/glass太阳电池器件。

公开(公告)号：CN1970833A

公开(公告)日：2007-05-30

申请号：CN200610129817.4

申请日：2006-12-04

Applicant: 南开大学

Inventor： 王应民 ,  孙云 ,  蔡莉 ,  李长健 ,  孙国忠 ,  杜楠 ,  李禾

IPC: C23C16/513 ,  C23C16/448 ,  C23C16/30 ,  C23C16/52 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种CIGS太阳电池器件的制备工艺和一种直流辉光等离子体化学气相沉积Zn(O，S)、ZnO薄膜的反应系统，反应系统包括真空反应罩，上、下进气管，绝缘座，特征是在石英反应腔上方依次安装有冷却室、下气腔和上气腔，上、下出气管的上端分别伸在上、下气腔内，上出气管的下端穿过等离子体区，下出气管的出口在等离子体区的上方，两个气管呈均匀间隔排列，均垂直于p－CIGS衬底；p－CIGS衬底放在石墨台上表面的钽片上；在石英反应腔两侧的阳极和阴极呈竖直方向并排对立；反应室抽真空后，加热p－CIGS衬底，二氧化碳、硫化氢和氢气混合气进入下进气管，在等离子体作用下充分反应，二乙基锌或二甲基锌的气进入上进气管，在p－CIGS衬底上热裂解，制备出高阻Zn(O，S)薄膜，然后关闭通硫化氢气体，继续在Zn(O，S)薄膜沉积低阻ZnO薄膜，得到n－ZnO/Zn(O，S)/p－CIGS/Mo/glass太阳电池器件。