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公开(公告)号：CN105810813B
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201610159349.9
申请日：2016-03-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L41/047 , H01L41/09
Abstract: 本发明提供一种压电执行梁结构，包括：一衬底电极，该衬底电极为矩形；一锚点，其制作在衬底电极上背面纵向的一侧；一压电层，其制作在衬底电极上；一第一上电极，其制作在压电层上横向的一侧；一第二上电极，其制作在压电层上横向的另一侧，该第一上电极和第二上电极不接触。本发明具有压电位移响应大、结构和制备工艺简单、可靠性高的特点。
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公开(公告)号：CN105306003A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201510810985.9
申请日：2015-11-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H03H9/24
Abstract: 本发明公开了一种环形检测电极面内伸缩谐振器及其制备方法。所述谐振器包括：依次生长在衬底上的下电极缓冲层、下电极层、压电层、绝缘保护层和上电极层，该面内伸缩谐振器的主体结构包括通过中间的耦合梁连接的圆形平板驱动单元和检测单元，驱动单元从底部依次包括圆形下电极、压电薄膜层以及上面覆盖的圆形上电极层，检测单元从底部依次包括环形下电极层、压电薄膜层以及上面覆盖的环形上电极层，驱动单元和检测单元之间的耦合梁没有上电极层，所述主体结构的整体的外侧通过锚点两端固定连接在衬底上；所述主体结构下方的衬底通过背面刻蚀形成悬空结构。
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公开(公告)号：CN104599952A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201510032621.2
申请日：2015-01-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/3065
Abstract: 本发明公开了一种去除碳化硅等离子体刻蚀形成的刻蚀损伤层的方法，包括以下步骤：步骤1、在碳化硅晶体表面生长氮化铝掩膜层；步骤2、在氮化铝掩膜层上刻蚀形成刻蚀碳化硅晶体所需图形；步骤3、利用所述氮化铝掩膜层上的所述图形对所述碳化硅晶体进行刻蚀，形成沟槽结构；步骤4、在高温环境下，通入刻蚀气体，去除碳化硅晶体上形成的刻蚀损伤层；步骤5、在室温环境下，去除所述碳化硅晶体上的氮化铝掩膜层。在碳化硅沟槽器件制备过程中，采用此方法后，可以有效的去除等离子刻蚀的损伤层，提高碳化硅沟槽器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN104401930A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201410730304.3
申请日：2014-12-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: B81B7/00
Abstract: 一种采用晶圆级封装的MEMS器件，包括：一衬底；一第一电极、一第二电极、一第三电极和一第四电极，其分别制作在衬底的上表面，并相隔一预定距离；一锚点，其键合在衬底的上表面，并与第三电极相连；一敏感结构，其固定在锚点上；一互连结构，为口字形，其键合在衬底的上表面，并围绕第一电极的四周，其侧边分别与第一电极和第二电极连接；一密封结构，为口字形，其中间有凸点，其键合在衬底的上表面，位于衬底的周围，其侧边分别与第三电极和第四电极连接，该口字形的密封结构的一侧边暴露出第四电极；一埋氧结构，位于互连结构和密封结构的上表面；一背硅结构，位于埋氧结构的上表面；一上盖板，键合于部分背硅结构的上表面，形成密封腔室。
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公开(公告)号：CN104377117A
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201410500353.8
申请日：2014-09-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/02 , H01L21/3065 , H01L21/308
Abstract: 一种利用相对易腐蚀的金属制备另一种金属图形的剥离方法，包括以下步骤：1)在衬底上通过蒸发或溅射工艺生长一层易腐蚀金属；2)在易腐蚀金属的表面旋涂光刻胶，采用常规光刻工艺进行光刻，制作图形；3)采用ICP刻蚀技术刻蚀易腐蚀金属，在易腐蚀金属上形成沟槽，通过调整工艺参数来增大刻蚀沟槽的横向钻蚀；4)通过蒸发或溅射工艺，在残余光刻胶表面和沟槽中暴露的衬底上生长待剥离的金属，形成样片；5)将样片放入易腐蚀金属的腐蚀液中，将易腐蚀金属腐蚀掉，得到了衬底上的金属图形；6)用去离子水清洗，完成制备。本发明具有工艺简单、可重复性好、对光刻工艺要求低的优势，易于形成断口，易于剥离的优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103644999A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201310706910.7
申请日：2013-12-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种低量程高灵敏度MEMS压力传感器，包括：背面具有凹腔的单晶硅层(1)；形成于该单晶硅层(1)背面凹腔中的多孔硅/硅复合膜结构(6)；形成于该单晶硅层(1)正面的多孔硅压敏电阻(7)；以及在该多孔硅压敏电阻(7)上淀积的作为金属互联的金属层(8)。本发明同时公开了一种制作低量程高灵敏度MEMS压力传感器的方法。由于多孔硅材料具有优越的压阻性能和机械性能，采用此结构的多孔硅MEMS压力传感器可以在保持线性度的同时提高灵敏度，同时通过灵活的结构设计可以实现在超低压力范围的应用。
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公开(公告)号：CN101281862B
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN200710065183.5
申请日：2007-04-05
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/04 , H01L21/205 , H01L21/365
Abstract: 一种基于氮化铝缓冲层的硅基3C-碳化硅异质外延生长方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：将硅衬底进行氢气刻蚀处理；步骤2：通入三甲基铝，进行硅衬底表面铺铝；步骤3：不关断三甲基铝源，通入氨气，进行氮化铝缓冲层生长；步骤4：缓冲层生长结束后，关闭氨气和三甲基铝，在氢气环境中降温至室温，关闭氢气，对生长系统抽真空；步骤5：在氢气环境下升温，通入硅烷和乙烯，进行碳化硅层外延生长，完成异质外延生长。
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公开(公告)号：CN101468786B
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN200710304217.1
申请日：2007-12-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/205
Abstract: 本发明是一种用于MEMS的碳化硅微通道、微通道阵列及其制备方法，它涉及半导体工艺加工衬底和化学气相沉积方法制备碳化硅。本发明在衬底上用半导体工艺刻蚀出凹槽微结构，凹槽之间留出台面，凹槽和台面的几何尺寸包括深度、宽度和长度以及它们的分布方式根据需要而定。此凹槽微结构用作制备碳化硅微通道的模版。然后用化学气相沉积方法在模版上制备一厚层碳化硅材料，此层碳化硅不仅完全覆盖衬底表面的微结构包括凹槽和台面，它还在凹槽顶部形成封闭结构，这样就在衬底上形成了以凹槽为模版的碳化硅微通道、微通道阵列。
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公开(公告)号：CN117192656A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311085075.X
申请日：2023-08-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种基于空间交错复用几何相位原理的RGB消色差超透镜结构，包括：支撑基底；形成于该支撑基底上的隔离层；形成于该隔离层上的超透镜结构材料层。该超透镜结构材料层分布有由多个空间交错小型阵列单元以周期性排布形式构成的超透镜空间交错复用阵列，每个空间交错小型阵列单元包括三种基于空间交错复用并满足几何相位原理的纳米结构单元小阵列，这三种纳米结构单元小阵列的焦距或焦点一致，能够实现对入射光束的消色差聚焦。利用本发明，解决了现有基于传输相位原理的消色差超透镜结构复杂、工艺难度大和难以实现大面积的问题。
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公开(公告)号：CN115343503A
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202110531763.9
申请日：2021-05-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01P15/125
Abstract: 本发明提供一种跷跷板加速度计及其制备方法，制备方法包括：采用阳极键合工艺，将硅‑玻璃复合盖板与第四低阻硅晶圆的第一凹槽所在面进行键合，得到第二键合片；以图形化的ITO为掩膜或以图形化的ITO和光刻胶为掩膜，对应固定电容极板的位置，在减薄后的第四低阻硅晶圆所在面刻蚀出“凸”字形的质量块，得到包含结构层的第三键合片，其中，质量块包括大小不同的第一电容极板和第二电容极板。本发明的跷跷板加速度计制备方法通过一次刻蚀得到质量块，工艺简便高效，精度高。采用硅‑玻璃复合盖板，同时包括垂直引线与固定极板，并采用阳极键合工艺实现密封封装，有效提高器件密封性能，减小芯片横向面积，有利于提高器件微型化。
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