公开(公告)号：CN101281862B

公开(公告)日：2011-09-07

申请号：CN200710065183.5

申请日：2007-04-05

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 赵永梅 ,  孙国胜 ,  刘兴昉 ,  李家业 ,  王雷 ,  赵万顺 ,  李晋闽 ,  曾一平

IPC: H01L21/04 ,  H01L21/205 ,  H01L21/365

Abstract: 一种基于氮化铝缓冲层的硅基3C-碳化硅异质外延生长方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：将硅衬底进行氢气刻蚀处理；步骤2：通入三甲基铝，进行硅衬底表面铺铝；步骤3：不关断三甲基铝源，通入氨气，进行氮化铝缓冲层生长；步骤4：缓冲层生长结束后，关闭氨气和三甲基铝，在氢气环境中降温至室温，关闭氢气，对生长系统抽真空；步骤5：在氢气环境下升温，通入硅烷和乙烯，进行碳化硅层外延生长，完成异质外延生长。

公开(公告)号：CN100514562C

公开(公告)日：2009-07-15

申请号：CN200610126999.X

申请日：2006-09-18

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 刘兴昉 ,  孙国胜 ,  李晋闽 ,  赵永梅 ,  王雷 ,  赵万顺 ,  李家业 ,  曾一平

IPC: H01L21/205 ,  C30B25/02 ,  B81C1/00 ,  B81C5/00

Abstract: 本发明一种用于MEMS器件的大面积3C-SiC薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1)取一衬底；2)将衬底外延生长面进行原位氢气刻蚀；3)在低压化学汽相沉积炉中在该衬底刻蚀面上外延生长一碳化层，此碳化层作为衬底和3C-SiC薄膜的过渡层，有利于制备3C-SiC薄膜；4)在碳化层上外延生长一3C-SiC薄膜；5)结束，完成3C-SiC薄膜的制作。

公开(公告)号：CN101150055A

公开(公告)日：2008-03-26

申请号：CN200610126999.X

申请日：2006-09-18

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 刘兴昉 ,  孙国胜 ,  李晋闽 ,  赵永梅 ,  王雷 ,  赵万顺 ,  李家业 ,  曾一平

IPC: H01L21/205 ,  C30B25/02 ,  B81C1/00 ,  B81C5/00

Abstract: 本发明一种用于MEMS器件的大面积3C－SiC薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1)取一衬底；2)将衬底外延生长面进行原位氢气刻蚀；3)在低压化学汽相沉积炉中在该衬底刻蚀面上外延生长一炭化层，此炭化层作为衬底和3C－SiC薄膜的过渡层，有利于制备3C－SiC薄膜；4)在炭化层上外延生长一3C－SiC薄膜；5)结束，完成3C－SiC薄膜的制作。

公开(公告)号：CN101240445A

公开(公告)日：2008-08-13

申请号：CN200710063709.6

申请日：2007-02-07

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 孙国胜 ,  王雷 ,  赵万顺 ,  李家业 ,  赵永梅 ,  刘兴昉

IPC: C30B25/10 ,  C30B29/36

Abstract: 一种碳化硅外延生长用加热器旋转装置，包含一中央转动装置，该装置包括：一石墨托盘，为一盘状；一石墨支撑杆；一传动轴杆，上端与石墨支撑杆连接；一支撑管；一支撑件，上端与支撑管连接；一支撑座，与支撑件连接；一联轴器，其上端与传动轴杆插接连接；一中心调节器，为一筒状，两端具有法兰；一三通排气管，位于中央转动装置上的支撑座上，中央转动装置穿过该三通排气管的两端，该三通排气管通过法兰与中心调节器连接；一石英管反应生长室，石英管反应生长室罩扣于中央转动装置，并与三通排气管固定；一磁力旋转装置，位于中心调节器的下方，通过传动轴与中央转动装置的联轴器连接。

公开(公告)号：CN101281862A

公开(公告)日：2008-10-08

申请号：CN200710065183.5

申请日：2007-04-05

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 赵永梅 ,  孙国胜 ,  刘兴昉 ,  李家业 ,  王雷 ,  赵万顺 ,  李晋闽 ,  曾一平

IPC: H01L21/04 ,  H01L21/205 ,  H01L21/365

Abstract: 一种基于氮化铝缓冲层的硅基3C－碳化硅异质外延生长方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：将硅衬底进行氢气刻蚀处理；步骤2：通入三甲基铝，进行硅衬底表面铺铝；步骤3：不关断三甲基铝源，通入氨气，进行氮化铝缓冲层生长；步骤4：缓冲层生长结束后，关闭氨气和三甲基铝，在氢气环境中降温至室温，关闭氢气，对生长系统抽真空；步骤5：在氢气环境下升温，通入硅烷和乙烯，进行碳化硅层外延生长，完成异质外延生长。

公开(公告)号：CN200999271Y

公开(公告)日：2008-01-02

申请号：CN200720103516.4

申请日：2007-02-07

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 孙国胜 ,  王雷 ,  赵万顺 ,  李家业 ,  赵永梅 ,  刘兴昉

IPC: C30B25/10 ,  C30B29/36

Abstract: 一种碳化硅外延生长用加热器旋转装置，包含一中央转动装置，该装置包括：一石墨托盘，为一盘状；一石墨支撑杆；一传动轴杆，上端与石墨支撑杆连接；一支撑管；一支撑件，上端与支撑管连接；一支撑座，与支撑件连接；一联轴器，其上端与传动轴杆插接连接；一中心调节器，为一筒状，两端具有法兰；一三通排气管，位于中央转动装置上的支撑座上，中央转动装置穿过该三通排气管的两端，该三通排气管通过法兰与中心调节器连接；一石英管反应生长室，石英管反应生长室罩扣于中央转动装置，并与三通排气管固定；一磁力旋转装置，位于中心调节器的下方，通过传动轴与中央转动装置的联轴器连接。