公开(公告)号：CN104377117A

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：CN201410500353.8

申请日：2014-09-26

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 杨健 ,  司朝伟 ,  韩国威 ,  宁瑾 ,  赵永梅 ,  梁秀琴

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308

Abstract: 一种利用相对易腐蚀的金属制备另一种金属图形的剥离方法，包括以下步骤：1)在衬底上通过蒸发或溅射工艺生长一层易腐蚀金属；2)在易腐蚀金属的表面旋涂光刻胶，采用常规光刻工艺进行光刻，制作图形；3)采用ICP刻蚀技术刻蚀易腐蚀金属，在易腐蚀金属上形成沟槽，通过调整工艺参数来增大刻蚀沟槽的横向钻蚀；4)通过蒸发或溅射工艺，在残余光刻胶表面和沟槽中暴露的衬底上生长待剥离的金属，形成样片；5)将样片放入易腐蚀金属的腐蚀液中，将易腐蚀金属腐蚀掉，得到了衬底上的金属图形；6)用去离子水清洗，完成制备。本发明具有工艺简单、可重复性好、对光刻工艺要求低的优势，易于形成断口，易于剥离的优点。

公开(公告)号：CN109682364B

公开(公告)日：2020-10-20

申请号：CN201811529259.X

申请日：2018-12-13

Applicant: 中国科学院半导体研究所 ,  中国科学院大学

Inventor： 杨健 ,  韩国威 ,  司朝伟 ,  王晓东 ,  宁瑾 ,  颜伟 ,  刘雯 ,  杨富华

IPC: G01C19/56

Abstract: 本发明公开了一种压电MEMS解耦结构及MEMS陀螺仪，该压电MEMS解耦结构，包括：一T型梁结构，包括一体化的横梁和纵梁，该T型梁结构自下而上依次包括：衬底、下电极层和压电材料层；第二上电极，作为检测电极，呈T型，位于T型梁结构之上，关于纵梁中心线对称；以及第一上电极和第三上电极，作为驱动电极，位于纵梁之上，对称分布于纵梁中心线两侧，与第二上电极位于纵梁上的部分相互独立。该解耦结构通过将其整体形状设置为一包含一体化横梁和纵梁的T型梁结构，并在该T型梁结构上设置关于纵梁中心线对称的T型检测电极和在纵梁上对称分布的两个驱动电极，实现了完全解耦，可有效提高陀螺仪的检测精度。

公开(公告)号：CN109682364A

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：CN201811529259.X

申请日：2018-12-13

Applicant: 中国科学院半导体研究所 ,  中国科学院大学

Inventor： 杨健 ,  韩国威 ,  司朝伟 ,  王晓东 ,  宁瑾 ,  颜伟 ,  刘雯 ,  杨富华

IPC: G01C19/56

CPC classification number: G01C19/56

Abstract: 本发明公开了一种压电MEMS解耦结构及MEMS陀螺仪，该压电MEMS解耦结构，包括：一T型梁结构，包括一体化的横梁和纵梁，该T型梁结构自下而上依次包括：衬底、下电极层和压电材料层；第二上电极，作为检测电极，呈T型，位于T型梁结构之上，关于纵梁中心线对称；以及第一上电极和第三上电极，作为驱动电极，位于纵梁之上，对称分布于纵梁中心线两侧，与第二上电极位于纵梁上的部分相互独立。该解耦结构通过将其整体形状设置为一包含一体化横梁和纵梁的T型梁结构，并在该T型梁结构上设置关于纵梁中心线对称的T型检测电极和在纵梁上对称分布的两个驱动电极，实现了完全解耦，可有效提高陀螺仪的检测精度。

公开(公告)号：CN104445051A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410720797.2

申请日：2014-12-02

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 杨健 ,  司朝伟 ,  韩国威 ,  宁瑾 ,  赵永梅 ,  梁秀琴 ,  王晓东 ,  杨富华

IPC: B81C1/00

Abstract: 一种在衬底上制备多级台阶的方法，包括：在衬底上生长掩膜层；旋涂第一层光刻胶，刻蚀在掩膜层上得到第一沟槽；在第一沟槽内的掩膜层上旋涂第二层光刻胶，刻蚀在掩膜层得到第二沟槽；依据所需的台阶级数重复上述光刻和刻蚀的步骤，在第二沟槽内的掩膜层上依次得到多个刻蚀沟槽，最后一个沟槽直接刻蚀到衬底的表面；去除最后一次刻蚀掩膜的残余光刻胶，以掩膜层上的多级台阶为掩膜，一次性将掩膜层上的图形转移到衬底上，采用湿法腐蚀的方法去除残余的掩膜层，完成衬底上的多级台阶制备。本发明是在同种衬底材料上制备多级台阶，避免了异质多级台阶中的粘附性问题和高台阶难以制备的问题，同时也大大降低了工艺流程的复杂性。