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公开(公告)号：CN104377117A
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201410500353.8
申请日：2014-09-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/02 , H01L21/3065 , H01L21/308
Abstract: 一种利用相对易腐蚀的金属制备另一种金属图形的剥离方法，包括以下步骤：1)在衬底上通过蒸发或溅射工艺生长一层易腐蚀金属；2)在易腐蚀金属的表面旋涂光刻胶，采用常规光刻工艺进行光刻，制作图形；3)采用ICP刻蚀技术刻蚀易腐蚀金属，在易腐蚀金属上形成沟槽，通过调整工艺参数来增大刻蚀沟槽的横向钻蚀；4)通过蒸发或溅射工艺，在残余光刻胶表面和沟槽中暴露的衬底上生长待剥离的金属，形成样片；5)将样片放入易腐蚀金属的腐蚀液中，将易腐蚀金属腐蚀掉，得到了衬底上的金属图形；6)用去离子水清洗，完成制备。本发明具有工艺简单、可重复性好、对光刻工艺要求低的优势，易于形成断口，易于剥离的优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102602880B
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201210077661.5
申请日：2012-03-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 一种通用的多种材料间全限制纳米线的自对准制备方法，该方法包括：在衬底上生长电热绝缘材料层及再淀积第一功能材料层；旋涂光刻胶作为牺牲层，光刻，形成条形的光刻胶掩模；通过干法刻蚀第一功能材料层至电热绝缘材料层的上表面，使第一功能材料层形成条形结构；淀积第二功能材料层；旋涂SU-8胶并电子束曝光，在条形的光刻胶掩模结构上部，制备出纳米量级的条形胶条，该条形胶条垂直并跨越条形光刻胶掩模；用该条形胶条做掩模，干法刻蚀第二功能材料层至电热绝缘材料层的表面；去除光刻胶掩模，暴露出第二功能材料层下方以外的第一功能材料层，使第二功能材料层下方形成一个悬空结构；干法刻蚀去除条形胶条下方以外的第一功能材料层；超声-剥离，完成制备。
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公开(公告)号：CN102602880A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201210077661.5
申请日：2012-03-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 一种通用的多种材料间全限制纳米线的自对准制备方法，该方法包括：在衬底上生长电热绝缘材料层及再淀积第一功能材料层；旋涂光刻胶作为牺牲层，光刻，形成条形的光刻胶掩模；通过干法刻蚀第一功能材料层至电热绝缘材料层的上表面，使第一功能材料层形成条形结构；淀积第二功能材料层；旋涂SU-8胶并电子束曝光，在条形的光刻胶掩模结构上部，制备出纳米量级的条形胶条，该条形胶条垂直并跨越条形光刻胶掩模；用该条形胶条做掩模，干法刻蚀第二功能材料层至电热绝缘材料层的表面；去除光刻胶掩模，暴露出第二功能材料层下方以外的第一功能材料层，使第二功能材料层下方形成一个悬空结构；干法刻蚀去除条形胶条下方以外的第一功能材料层；超声-剥离，完成制备。
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公开(公告)号：CN104445051A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410720797.2
申请日：2014-12-02
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 一种在衬底上制备多级台阶的方法，包括：在衬底上生长掩膜层；旋涂第一层光刻胶，刻蚀在掩膜层上得到第一沟槽；在第一沟槽内的掩膜层上旋涂第二层光刻胶，刻蚀在掩膜层得到第二沟槽；依据所需的台阶级数重复上述光刻和刻蚀的步骤，在第二沟槽内的掩膜层上依次得到多个刻蚀沟槽，最后一个沟槽直接刻蚀到衬底的表面；去除最后一次刻蚀掩膜的残余光刻胶，以掩膜层上的多级台阶为掩膜，一次性将掩膜层上的图形转移到衬底上，采用湿法腐蚀的方法去除残余的掩膜层，完成衬底上的多级台阶制备。本发明是在同种衬底材料上制备多级台阶，避免了异质多级台阶中的粘附性问题和高台阶难以制备的问题，同时也大大降低了工艺流程的复杂性。
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公开(公告)号：CN102623307B
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201210088596.6
申请日：2012-03-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种通用的多种材料间全限制量子点的自对准制备方法，包括：在衬底上依次淀积生长电热绝缘材料层、第一功能材料层和牺牲材料层；旋涂SU-8胶并电子束曝光；干法刻蚀至电热绝缘材料层的上表面；淀积第二功能材料层；经电子束曝光形成横向的条形纳米量级的SU-8胶条，并跨越由第一功能材料层；干法刻蚀第二功能材料层至电热绝缘材料层的上表面；腐蚀去除牺牲材料层，暴露出第二功能材料层下方以外的第一功能材料层；干法刻蚀去除第二功能材料层下方以外的第一功能材料层；超声-剥离，制备出第一功能材料层全限制在第二功能材料层间的水平器件结构。本发明藉由线宽控制精度高、定位精确、可拓展性好、制备简单、可靠性高、制备良品率高、研发成本低、可移植性好、经济高效的优点。
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公开(公告)号：CN102623307A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210088596.6
申请日：2012-03-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种通用的多种材料间全限制量子点的自对准制备方法，包括：在衬底上依次淀积生长电热绝缘材料层、第一功能材料层和牺牲材料层；旋涂SU-8胶并电子束曝光；干法刻蚀至电热绝缘材料层的上表面；淀积第二功能材料层；经电子束曝光形成横向的条形纳米量级的SU-8胶条，并跨越由第一功能材料层；干法刻蚀第二功能材料层至电热绝缘材料层的上表面；腐蚀去除牺牲材料层，暴露出第二功能材料层下方以外的第一功能材料层；干法刻蚀去除第二功能材料层下方以外的第一功能材料层；超声-剥离，制备出第一功能材料层全限制在第二功能材料层间的水平器件结构。本发明藉由线宽控制精度高、定位精确、可拓展性好、制备简单、可靠性高、制备良品率高、研发成本低、可移植性好、经济高效的优点。
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