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公开(公告)号：CN117029998A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311027820.5
申请日：2023-08-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供一种基于片上光波导的超声波成像芯片，包括基底层，底部包层，波导光栅层，以及上包层。基底层用于芯片的物理支撑；底部包层设于基底层上，用于限制光场以及降低传输损耗；波导光栅层设于底部包层上，包括多条波导光栅；上包层设于波导光栅层上，用于接收和放大超声波信号；其中，所述波导光栅用于传输光并在所述超声波信号作用下对光进行调制，能够实现更高性能的超声成像。
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公开(公告)号：CN116243407A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202310142493.1
申请日：2023-02-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种超透镜结构及电子设备。其中，该超透镜结构包括第一纳米结构层、第二纳米结构层和第三纳米结构层。第一纳米结构层用于接收入射光束，其中入射光束包括正入射光束和斜入射光束；第二纳米结构层位于第一纳米结构层上，用于接收入射光束，实现对入射光束的消色差；以及第三纳米结构层位于第二纳米结构层上，用于实现对经消色差的光束的聚焦。基于上述三层大视场的消色差超透镜结构，可以解决了现有超透镜不能同时实现大视场和宽波段成像的问题，有利于实现高性能的大视场宽带消色差效果。
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公开(公告)号：CN118859379A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202310473493.X
申请日：2023-04-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G02B3/00
Abstract: 本公开提供了一种极紫外超透镜结构及电子设备。其中，该极紫外超透镜结构包括基底层以及超表面层，基底层用于作为极紫外超透镜结构的支撑结构；超表面层设置在基底层上，设置有基于几何相位原理分布的纳米孔结构单元阵列，以通过改变纳米孔结构单元阵列中的每个纳米孔结构单元的分布旋转角实现改变出射极紫外光束的相位。
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公开(公告)号：CN118758351A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410785085.2
申请日：2024-06-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网江苏省电力有限公司南京供电分公司
Abstract: 本发明提供一种基于连续域束缚态超表面的超声波传感芯片，包括：衬底层；第一包覆层，覆盖所述衬底层；连续域束缚态超表面层，覆盖所述第一包覆层，所述连续域束缚态超表面被配置为感应光场；以及第二包覆层，覆盖所述连续域束缚态超表面层，所述第二包覆层被配置为感应和放大超声波信号；其中，所述连续域束缚态超表面层具有朝向所述第二包覆层的超表面，所述超表面形成有微腔结构，所述连续域束缚态超表面层还被配置为通过所述微腔结构，在所述超声波信号的作用下对所述光场进行调制。本发明能够实现高灵敏度和高分辨率的超声波检测，可广泛应用于电力系统中的设备监测和故障检测，以及医疗诊断、工业检测和科学研究等领域。
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公开(公告)号：CN117930398A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410129441.5
申请日：2024-01-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开涉及一种高深宽比的纳米压印超透镜结构及其制备方法和应用。该高深宽比的纳米压印超透镜结构包括：支撑基底；形成于该支撑基底上的高深宽比纳米压印胶微纳结构阵列；形成于该高深宽比纳米压印胶微纳结构阵列上的薄膜材料层；其中，该高深宽比纳米压印胶微纳结构阵列及其上的该薄膜材料层构成复合微纳结构阵列，该复合微纳结构阵列能够实现0‑2π相位覆盖，以完全调控波前，实现对紫外光、可见光和红外光波段进行聚焦成像的纳米压印超透镜结构。利用本发明，解决了现有短波长波段超透镜制作成本高、工艺复杂和难以实现大面积的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117192657A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311091231.3
申请日：2023-08-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种基于空间分区复用几何相位原理的RGB消色差超透镜结构，包括：支撑基底；形成于该支撑基底上的隔离层；形成于该隔离层上的超透镜结构材料层；该超透镜结构材料层分布有三种基于空间分区复用并满足几何相位原理的纳米结构单元阵列，第一纳米结构单元阵列位于超透镜中心半径为R1的圆形区域，用于对RGB入射光中的蓝光B进行聚焦；第二纳米结构单元阵列位于超透镜中心半径为R1与R2之间的圆环区域，用于对RGB入射光中的绿光G进行聚焦；第三纳米结构单元阵列位于超透镜中心半径为R2与R3之间的圆环区域，用于对RGB入射光中的红光R进行聚焦；第一至第三纳米结构单元阵列的焦距或焦点一致。利用本发明，解决了现有消色差超透镜结构复杂、工艺难度大和难以实现大面积的问题。
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公开(公告)号：CN116936657A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202310994990.4
申请日：2023-08-08
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0236 , H01L31/0693 , H01L31/18
Abstract: 本公开是一种全介质X字形凹槽超表面陷光结构的GaAs基薄膜电池及其制备方法。该全介质X字形凹槽超表面陷光结构的GaAs基薄膜电池包括：GaAs衬底，用于起支撑作用；GaAs活性层，形成于所述GaAs衬底上，用于作为薄膜电池光生伏特效应发生区的PN结区域；X字形凹槽阵列超表面，采用陷光结构，通过刻蚀所述GaAs活性层的表面而形成，用于减小表面光的反射率，增加光在薄膜电池内部的光程，从而增加电池的短路电流密度；背面电极和正面电极，其中背面电极作为薄膜电池的一端电极，正面电极为薄膜电池的另一端电极。利用本公开，解决了现有在制作太阳能薄膜电池时吸光效率低和超表面中阵列结构的工艺一致性难以保证的问题。
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公开(公告)号：CN118962863A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411127278.5
申请日：2024-08-16
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供一种基于超薄SiN薄膜的超表面或超透镜结构及其制备方法和应用。该基于超薄SiN薄膜的超表面或超透镜结构的制备方法包括：提供支撑基底；在支撑基底正面和背面分别淀积SiN薄膜；在支撑基底的背面形成背面掩模结构和对准标记，在支撑基底的正面形成正面对准标记；对支撑基底正面的SiN薄膜形成超表面或超透镜微纳结构阵列；腐蚀背腔至正面SiN薄膜，烘干后得到高透过率的超表面或超透镜结构。利用本发明，通过超表面或超透镜微纳结构阵列，实现0~2π相位覆盖，以完全调控波前，实现紫外光、可见光和红外光等波段超表面或超透镜，解决现有短波长波段超表面或超透镜不能实现超薄，不能与CMOS工艺兼容，难以与光纤和光衰减器等微型光学器件集成的问题。
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公开(公告)号：CN118244393A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410552650.0
申请日：2024-05-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开涉及一种动态单波长多焦点超透镜结构及其制备方法和应用。该动态单波长多焦点超透镜结构包括：支撑基底；形成于该支撑基底上具有多个纳米结构单元的超表面结构单元阵列；该超表面结构单元阵列采用不同尺寸单元结构的传输超表面和不同单元结构不同方向的几何超表面，实现基于传输相位原理的超透镜结构和基于几何相位原理的超透镜结构中的至少一种，进而实现单独超透镜的动态和多焦点聚焦。利用本发明，能够实现单独超透镜的动态和多焦点聚焦，既能为各种显微镜和激光打孔等设备提高速度，也能为光镊更精准的操控细胞和量子点。
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公开(公告)号：CN117192656A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311085075.X
申请日：2023-08-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种基于空间交错复用几何相位原理的RGB消色差超透镜结构，包括：支撑基底；形成于该支撑基底上的隔离层；形成于该隔离层上的超透镜结构材料层。该超透镜结构材料层分布有由多个空间交错小型阵列单元以周期性排布形式构成的超透镜空间交错复用阵列，每个空间交错小型阵列单元包括三种基于空间交错复用并满足几何相位原理的纳米结构单元小阵列，这三种纳米结构单元小阵列的焦距或焦点一致，能够实现对入射光束的消色差聚焦。利用本发明，解决了现有基于传输相位原理的消色差超透镜结构复杂、工艺难度大和难以实现大面积的问题。
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