-
公开(公告)号：CN101866932A
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：CN200910081984.X
申请日：2009-04-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L27/144 , H01L31/101 , H01L31/0304 , H01L21/8252
Abstract: 一种电压调制型中长波双色量子阱红外探测器，包括：一半绝缘半导体GaAs衬底；一第一半导体GaAs接触层，制作在半绝缘半导体GaAs衬底上；一第一多量子阱红外探测器，制作在第一半导体GaAs接触层上，在第一半导体GaAs接触层的一侧形成一台面；一第二半导体GaAs接触层，制作在第一多量子阱红外探测器上；一第二多量子阱红外探测器，制作在第二半导体GaAs接触层上；一第三半导体GaAs接触层，制作在第二多量子阱红外探测器上；一上接触电极和下接触电极，分别制作在第三半导体GaAs接触上和第一半导体GaAs接触层形成的台面上。
-
公开(公告)号：CN109861079B
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN201910115264.4
申请日：2019-02-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于微结构激光器的一维雷达扫描发射装置及制备方法，包括：基底；在该基底上呈阵列排布的多路激光器，各路激光器之间的出射角度不同，该出射角度为各路激光器的出射激光与所述基底平面形成的夹角，实现多路可变倾角低发散角微结构激光器；以及电路板，包括由移位寄存器控制的多个电控制开关连接多个引脚，通过控制该电控制开关为分别连接至各引脚的激光器供电。其中，多路可变倾角低发散角微结构激光器作为本发明的主要特征，每一路激光器通过调整其自身微结构分布以及尺寸按照特定角度发射近平行激光束，该光束扫描一定距离内物体，经过物体反射实现位置确定，可实现更高的功率输出，体积小，集成度高。
-
公开(公告)号：CN106505127A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201610949366.2
申请日：2016-10-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: H01L31/184 , H01L31/1844
Abstract: 一种解决量子阱红外探测器阵列与读出电路之间应力的方法，包括如下步骤：在一衬底上制作多量子阱红外探测器材料；在多量子阱红外探测器材料上按照预定间距向下刻蚀，形成多个像元之间的隔离槽，刻蚀深度至衬底内；在刻蚀隔离槽后的多量子阱红外探测器材料上制作In柱；将一读出电路置放在In柱上，使多量子阱红外探测器材料和读出电路通过In柱互连；在In柱的周围灌注胶，胶的作用是互连固化；把衬底第一次减薄；将衬底抛光，第二次减薄；继续腐蚀衬底，第三次减薄，直至暴露出衬底上的隔离槽，各像元完全隔离，完成制备。本发明可以使像元间完全隔离，更加有效的释放热应力。
-
公开(公告)号：CN101866932B
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN200910081984.X
申请日：2009-04-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L27/144 , H01L31/101 , H01L31/0304 , H01L21/8252
Abstract: 一种电压调制型中长波双色量子阱红外探测器，包括：一半绝缘半导体GaAs衬底；一第一半导体GaAs接触层，制作在半绝缘半导体GaAs衬底上；一第一多量子阱红外探测器，制作在第一半导体GaAs接触层上，在第一半导体GaAs接触层的一侧形成一台面；一第二半导体GaAs接触层，制作在第一多量子阱红外探测器上；一第二多量子阱红外探测器，制作在第二半导体GaAs接触层上；一第三半导体GaAs接触层，制作在第二多量子阱红外探测器上；一上接触电极和下接触电极，分别制作在第三半导体GaAs接触上和第一半导体GaAs接触层形成的台面上。
-
公开(公告)号：CN101894831A
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN200910084157.6
申请日：2009-05-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种紫外-红外双波段探测器及其制作方法，其中紫外-红外双波段探测器，包括：一紫外波段探测器；一红外波段探测器，该红外波段探测器通过金属键合工艺与紫外波段探测器倒装互连在一起，该紫外波段探测器与红外波段探测器的一侧对齐。本发明提供的紫外-红外双波段探测器及其制作方法，可以实现紫外和红外双波段同时探测，目标信息更加丰富，提高了器件的实用性。同时，材料生长及器件制作工艺简单，有利于器件的焦平面化。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101866933A
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：CN200910081985.4
申请日：2009-04-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L27/144 , H01L21/8252
Abstract: 一种两端结构中长波同时响应量子阱红外探测器，包括：一半绝缘半导体GaAs衬底；一第一半导体GaAs接触层，制作在半绝缘半导体GaAs衬底上；一第一多量子阱红外探测器，制作在第一半导体GaAs接触层上，该第一半导体GaAs接触层的一侧形成一台面；一第二半导体GaAs接触层，制作在第一多量子阱红外探测器上；一第二多量子阱红外探测器，制作在第二半导体GaAs接触层上；一第三半导体GaAs接触层，制作在第二多量子阱红外探测器上；一上接触电极和一下接触电极分别制作在第三半导体GaAs接触层上面和第一半导体GaAs接触层形成的台面上。
-
公开(公告)号：CN101621066A
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200810116040.7
申请日：2008-07-02
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L27/144 , H01L21/82 , H01L31/101 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种GaN基日盲型紫外探测器面阵，包括：一衬底；一成核层，该成核层生长在衬底上；一N型欧姆接触层，该N型欧姆接触层生长在成核层上；一有源层，该有源层生长在N型欧姆接触层上；一P型欧姆接触层，该P型欧姆接触层生长在有源层上；一P型欧姆接触电极，该P型欧姆接触电极生长在P型欧姆接触层上；一二次金属，该二次金属生长在P型欧姆接触电极的上面；一N型欧姆接触电极，该N型欧姆接触电极生长在N型欧姆接触层上；一钝化层，该钝化层淀积在N型欧姆接触层、有源层、P型欧姆接触层、P型欧姆接触电极、二次金属和N型欧姆接触电极的两侧。
-
公开(公告)号：CN100514775C
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200610113238.0
申请日：2006-09-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种制作氮化镓基激光器管芯的方法，该方法包括：A、在制作的激光器外延结构的表面蒸镀P型欧姆接触电极；B、利用介质膜或光刻胶作掩膜在蒸镀了P型欧姆接触电极的激光器外延结构上刻蚀出激光器的N型接触区域；C、利用光刻胶作掩膜刻蚀出激光器的脊型结构，并保留剩余的光刻胶掩膜；D、在刻蚀出脊型结构的激光器上蒸镀或沉积介质膜隔离层；E、采用剥离的方法露出脊型表面的P型欧姆接触电极；F、采用光刻和蒸镀金属电极的方法形成激光器的P型加厚电极和N型欧姆接触电极。利用本发明，使激光器工作电流的注入均匀，进而易于制作脊型宽度窄的激光器，实现了激光器的基模工作。
-
公开(公告)号：CN101316025A
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200710099864.3
申请日：2007-05-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明涉及半导体激光器技术领域，公开了一种红光铝镓铟磷半导体激光器光纤耦合模块的制备方法，包括：在N型镓砷衬底上依次制备镓砷缓冲层和镓铟磷缓冲层；在镓铟磷缓冲层上依次制备铝镓铟磷限制层、光波导层和有源层，并形成分别限制异质结构；在外延片上光刻腐蚀出光台面；在出光台面上淀积电绝缘膜；在电绝缘膜上制备P面电极；对N型衬底减薄抛光后制备N面电极；将具有P、N电极的片子解理成条作为激光器的谐振腔面，并在激光器前后腔面蒸镀增透膜和高反膜；将单管芯激光器烧结到铜热沉上；采用柱透镜压缩半导体激光器的垂直发散角；采用自聚焦透镜将半导体激光器的光束压缩聚焦并耦合到多模光纤中。本发明利于制备大功率的半导体激光器。
-
公开(公告)号：CN100379032C
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200410009924.4
申请日：2004-12-02
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明是一种使多个V形光伏器件组件连接的方法，涉及半导体技术领域，是在多个V形光伏器件组件中选择光伏器件板表面法线方向相同，并且具有相同或相近电输出参数的光伏器件板，将这些同法线方向的光伏器件板的电输出端连接在一起，进而形成输出电能线路，并且使具有不同表面法线方向的光伏器件板形成不同的输出电能线路，分别输出电能。不同的输出电能线路可各自供电，也可分别输入到一个或多个可充电电池，还可以分别经过调配电路调整后并线(并联或串连)供电。本发明的特点是使多个V形光伏器件组件的连接更匹配。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
31
records
(took 0.023 seconds)
