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公开(公告)号：CN113805272A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202010551120.6
申请日：2020-06-16
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种太赫兹偏振分束器，包括：周期性金属‑介质‑金属波导层；所述周期性金属‑介质‑金属波导层由交替排列的金属条带与介质条带构成，一个周期内包含多个介质宽度不同的波导层；所述太赫兹偏振分束器能够将入射的TE模式偏振波与TM模式偏振波进行分束。本发明利用TE与TM波导模式对介质宽度的依赖性不同来实现偏振分束功能，而TE与TM波导模式在金属波导中具有低损耗的特质，具有高效的优点。对于不同频段的太赫兹波，本发明可以通过对波导介质宽度以及波导传输长度进行调节，从而实现偏振分束效果。
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公开(公告)号：CN107390299B
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201710649376.9
申请日：2017-08-01
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种空间光束相位调控器件。利用法布里珀罗谐振腔，来实现对入射光0到360度间任一度数的相位调控；利用介质衬底与介质包覆层，来为相位调控层提供保护与阻抗匹配；利用周期性阵列中不同谐振腔宽度对透射光产生不同相位延时，来实现空间光束相位调控。本发明利用厚金属超材料颗粒周期性阵列中的法布里珀罗共振实现对空间光束的相位调控，具有相位调控范围大、工作效率高、适应波段宽且器件结构简单易于制备的优点。
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公开(公告)号：CN104882787B
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201510300471.9
申请日：2015-06-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种表面等离子体调制倒装VCSEL激光器的制造方法，包括：(1)外延片准备；(2)台面制备；(3)湿法氧化；(4)P面生长SiO2；(5)制作隔离窗口；(6)P面制作电极；(7)N面减薄；(8)N面生长SiO2；(9)N面SiO2腐蚀；(10)N面套刻及溅射金属；(11)管芯制作；(12)纳米结构制备；(13)测试。本发明的表面等离子体调制的倒装VCSEL激光器的制造方法能够实现在某些波长的底发射垂直腔面发射激光器上实现表面等离子体调制，补充了表面等离子体调制垂直腔面激光器在倒装方面的空白，使全波长段都能实现微纳结构的表面等离子体调制。
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公开(公告)号：CN105006450B
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201510548646.8
申请日：2015-08-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/77 , H01L21/768 , H01L27/15 , H01L33/00
Abstract: 本发明公开了一种用石墨烯作透明互联的可延展无机柔性LED阵列的制备方法，该制备方法包括：铜箔/镍箔基底的石墨烯转移到PDMS；将PDMS上的石墨烯转移到预拉伸胶带；预拉伸胶带回缩；利用半导体工艺技术，在LED外延片上形成同面电极开口LED单元排布成的阵列；将通过胶带回缩形成的褶皱石墨烯转移到形成LED单元阵列的外延片上；胶带的去除；石墨烯的图形化；与石墨烯接触金属的生长，图形化和电极引出；对LED表面进行柔性封装；柔性封装后去除LED的衬底，对LED背面进行柔性封装。本发明制备的用石墨烯作透明互联的可延展无机柔性LED阵列，具有可延展性强，电阻和光强对形变灵敏，出光效率高等特点。
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公开(公告)号：CN105932106B
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201610361608.6
申请日：2016-05-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种InAs/InSb/GaSb/InSb II类超晶格材料的制造方法及由此得到的产品，该方法包括：准备衬底，作为外延层的载体；对所述衬底进行除气、脱氧处理；在所述衬底上外延生长缓冲层和80‑100个周期的InAs/InSb/GaSb/InSb结构的材料。本发明不需要任何元素浸泡过程，且通过插入InSb层而不是通过形成InSb界面来补偿应变，从而可以降低InAs/GaSb II类超晶格材料MBE外延生长的复杂度；插入型InSb层可精确控制InSb生长厚度，没有元素浸泡过程可以降低V族元素腔内残留，减少InAs层生长时Sb原子的掺入，以及InSb和GaSb层生长时As原子的掺入。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105489716B
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201610006965.0
申请日：2016-01-05
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明公开了一种无机柔性LED阵列的制备方法，包括：在半导体衬底上生长具有牺牲层的LED外延片，光刻形成环形图形化的光刻胶掩膜，刻蚀至LED外延片下接触层；光刻刻蚀工艺制作侧面钝化层；形成图形化的金属图形，退火合金化之后形成欧姆接触；刻蚀环型下台面，暴露出牺牲层；腐蚀牺牲层并钻蚀一定长度；旋涂柔性聚合物材料；刻蚀内环和部分金属电极上方覆盖的聚合物材料，暴露出部分金属电极以制备金属互连；金属溅射并进行图形化处理制备LED单元互联；旋涂柔性聚合物材料；暴露出内环牺牲层；腐蚀剩余的牺牲层；剥离柔性聚合物包裹的无机LED阵列，完成无机柔性LED阵列的制备。
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公开(公告)号：CN105576497A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201610114792.4
申请日：2016-03-01
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S3/30
CPC classification number: H01S3/30
Abstract: 本发明公开了一种表面增强的相干反斯托克斯拉曼散射(SECARS)的结构，该结构包括：衬底层和非对称Au纳米圆柱阵列。非对称Au纳米圆柱阵列的每个单元包含两个直径为150到300nm，高度为100到200nm的圆柱颗粒，两个圆柱颗粒相互紧挨。该发明的结构可以使相干反斯托克斯拉曼散射(CARS)的信号得到增强，同时结构简单。
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公开(公告)号：CN103325862B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201310193666.9
申请日：2013-05-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/101
Abstract: 本发明公开了一种基于表面等离子体和光栅散射效应的双色量子阱红外探测器，其包括一层半导体衬底层；一位于所述衬底上的缓冲层；一位于所述缓冲层上的下接触层，且该层连接探测器的下电极；一位于所述下接触层上的第一量子阱层；一位于所述第一量子阱层上的中间接触层，且该层连接探测器的中间电极；一位于所述中间接触层上的第二量子阱层；一位于所述第二量子阱层上的上接触层，且该层连接探测器的上电极；一位于所述上接触层上的金属层，该金属层中具有光栅结构。本发明的优点是通过金属亚波长光栅进行光耦合，利用所产生的表面等离子体和光散射效应，实现了双色量子阱结构对垂直入射光的有效吸收。
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公开(公告)号：CN103823276A
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201410086632.4
申请日：2014-03-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于一维光子晶体结构的液晶光开关，该液晶光开关包括输入光波导、一维光子晶体光栅薄膜结构和输出光波导，其中：输入光波导用于将入射光引入到一维光子晶体光栅薄膜结构中；一维光子晶体光栅薄膜结构用于通过调控整体一维光子晶体透射谱来调控由输入光波导引入的入射光的透射特性，进而选择入射光的透射波长；输出光波导用于引出一维光子晶体光栅薄膜结构的输出光。本发明利用电场改变光子晶体中液晶材料在光传播方向的折射率张量来调节出射光的开和关的状态。本发明的光子晶体结构液晶光开关可用于集成度较高的光互联芯片中，并且具有结构简单，光损耗低，功耗低，扩展性好的特性。
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公开(公告)号：CN103811580A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201410078922.4
申请日：2014-03-05
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/105 , H01L31/0232
CPC classification number: H01L31/1035 , H01L31/02327 , H01L31/1844
Abstract: 本发明提供了一种InGaAs红外光探测器。该InGaAs红外光探测器包括：半导体衬底，其两面抛光；依次沉积于半导体衬底上表面的下掺杂层、吸收层、上掺杂层、金属光栅层；其中：吸收层为本征掺杂或低浓度掺杂的InGaAs材料；金属光栅层为一维周期性亚波长光栅；下掺杂层和上掺杂层均为掺杂类型相异的重掺杂的InGaAs材料，两者分别与吸收层构成pin结构，从下掺杂层和上掺杂层分别电性连接出该InGaAs红外光探测器的两电极，该两电极引入外加偏压并收集探测信号。本发明InGaAs红外光探测器利用一维周期性金属光栅激发表面等离子体效应和瑞利伍德异常效应，使得可以在不损失吸收率的情况下，增强器件的响应速度。
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