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公开(公告)号：CN1783518A
公开(公告)日：2006-06-07
申请号：CN200410009924.4
申请日：2004-12-02
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明是一种使多个V形光伏器件组件连接的方法，涉及半导体技术领域，是在多个V形光伏器件组件中选择光伏器件板表面法线方向相同，并且具有相同或相近电输出参数的光伏器件板，将这些同法线方向的光伏器件板的电输出端连接在一起，进而形成输出电能线路，并且使具有不同表面法线方向的光伏器件板形成不同的输出电能线路，分别输出电能。不同的输出电能线路可各自供电，也可分别输入到一个或多个可充电电池，还可以分别经过调配电路调整后并线(并联或串连)供电。本发明的特点是使多个V形光伏器件组件的连接更匹配。
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公开(公告)号：CN1665037A
公开(公告)日：2005-09-07
申请号：CN200410007708.6
申请日：2004-03-05
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Inventor： 李建明
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种提高半导体光电转换器件性能的方法，包括如下步骤：1)取两个半导体光电转换器件；2)使两个半导体光电转换器件构成V字型组件，其可增加受光面积，增加将光转换成电的能力。
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公开(公告)号：CN101728200A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200910242350.8
申请日：2009-12-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01J37/08
Abstract: 本发明公开了一种能引出高束流金属离子的冷阴极潘宁离子源，该潘宁离子源的上阴极是一圆柱体，下阴极是一个带有圆孔的圆片，其制造材料是与引出金属离子同种的金属材料。这不仅可使离子源引出高熔点金属离子，还可以引出高束流的金属离子。这种改进的离子源的最大特点是结构简单，操作方便。
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公开(公告)号：CN100349249C
公开(公告)日：2007-11-14
申请号：CN200410009989.9
申请日：2004-12-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明涉及一种用在离子注入机设备中的离子源装置，特别是一种能引出低熔点金属离子的离子源，该方法针对潘宁离子源的对阴极做了改进，改进的办法是使对阴极内部挖空，在对阴极面打一个小孔，这样对阴极就成为一个带有孔洞的圆杯状腔壳，腔壳内包的低熔点金属物质于是就通过挥发进入放电室并被电离成离子，从而使离子源引出低熔点金属离子。这种改进源的最大特点是结构简单，操作方便。
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公开(公告)号：CN1664999A
公开(公告)日：2005-09-07
申请号：CN200410007873.1
申请日：2004-03-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/328 , H01L21/265 , H01L21/324
Abstract: 本发明涉及一种半导体电路器件结构，特别是一种制造半导体双极器件的方法，该方法包括如下步骤：1)取一半导体材料；2)向半导体材料中注入氦和氖双离子，使半导体材料的表面下形成较薄的P型导电埋层区域；3)退火。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100369273C
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200410007708.6
申请日：2004-03-05
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Inventor： 李建明
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种提高半导体光电转换器件性能的方法，包括如下步骤：1)取两个半导体光电转换器件；2)使两个半导体光电转换器件构成V字型组件，其可增加受光面积，增加将光转换成电的能力。
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公开(公告)号：CN1787162A
公开(公告)日：2006-06-14
申请号：CN200410009989.9
申请日：2004-12-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明涉及一种用在离子注入机设备中的离子源装置，特别是一种能引出低熔点金属离子的离子源，该方法针对潘宁离子源的对阴极做了改进，改进的办法是使对阴极内部挖空，在对阴极面打一个小孔，这样对阴极就成为一个带有孔洞的圆杯状腔壳，腔壳内包的低熔点金属物质于是就通过挥发进入放电室并被电离成离子，从而使离子源引出低熔点金属离子。这种改进源的最大特点是结构简单，操作方便。
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公开(公告)号：CN1744289A
公开(公告)日：2006-03-08
申请号：CN200410074150.3
申请日：2004-09-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/322 , H01L21/324
Abstract: 一种改进砷化镓半导体晶片表面质量的方法，其特征在于，包括如下步骤：1)取一砷化镓半导体晶片；2)向砷化镓半导体晶片做质子叠加注入，使砷化镓半导体晶片材料的表面下的表面层在注入后具有更高的晶体质量；3)退火。
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公开(公告)号：CN100379032C
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200410009924.4
申请日：2004-12-02
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明是一种使多个V形光伏器件组件连接的方法，涉及半导体技术领域，是在多个V形光伏器件组件中选择光伏器件板表面法线方向相同，并且具有相同或相近电输出参数的光伏器件板，将这些同法线方向的光伏器件板的电输出端连接在一起，进而形成输出电能线路，并且使具有不同表面法线方向的光伏器件板形成不同的输出电能线路，分别输出电能。不同的输出电能线路可各自供电，也可分别输入到一个或多个可充电电池，还可以分别经过调配电路调整后并线(并联或串连)供电。本发明的特点是使多个V形光伏器件组件的连接更匹配。
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公开(公告)号：CN100345264C
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN200410074150.3
申请日：2004-09-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/322 , H01L21/324
Abstract: 一种改进砷化镓半导体晶片表面质量的方法，其特征在于，包括如下步骤：1)取一砷化镓半导体晶片；2)向砷化镓半导体晶片做质子叠加注入，使砷化镓半导体晶片材料的表面下的表面层在注入后具有更高的晶体质量；3)退火。
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