公开(公告)号：CN103954819A

公开(公告)日：2014-07-30

申请号：CN201410121021.9

申请日：2014-03-28

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 李琼 ,  马文全 ,  张艳华 ,  黄建亮

IPC: G01R19/00

Abstract: 本发明公开了一种近零偏时半导体红外光电探测器表面暗电流的测量方法，该方法通过在近零偏时测量出器件表面暗电流在总暗电流中所占组分比值从而根据公式得到表面暗电流的大小，其中，p为器件台面的截面周长，S为器件的台面面积，a为直线的斜率，b为直线的截距，I为所测得不同尺寸器件的I-V特性中在趋近于零的负偏压下所对应的器件总暗电流大小。

公开(公告)号：CN103219291A

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN201310157698.3

申请日：2013-05-02

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 崔凯 ,  马文全 ,  张艳华

IPC: H01L21/8252

Abstract: 本发明公开了一种制备基于量子点的空穴型存储器的方法，包括：在衬底上依次生长缓冲层和第一p掺杂层；在第一p掺杂层上生长p+掺杂势垒层和非掺杂势垒层，形成二维空穴气；在二维空穴气上依次生长第一非掺杂空间层、具有II类异质结构的量子点层和第二非掺杂空间层；在第二非掺杂空间层上生长第二p掺杂层；在第二p掺杂层上生长n+掺杂层；通过工艺技术制造数据擦写端口和数据读取端口，形成空穴型量子点存储器。利用本发明，实现的存储器作为一种新型的存储器概念，具有寿命长、读写速度快、存储时间长等优势，在下一代非挥发高性能存储器的研制中具有很大潜力，有望取代目前广泛使用的动态随机存储器(DRAM)和FLASH存储器。

公开(公告)号：CN102544229A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201210036863.5

申请日：2012-02-17

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 卫炀 ,  马文全 ,  张艳华 ,  曹玉莲

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种制备甚长波InAs/GaSb二类超晶格红外探测器材料的方法，该方法是在半绝缘GaSb衬底上依次生长P型掺杂的GaSb缓冲层、P型掺杂的中波InAs/GaSb二类超晶格层、非掺杂的甚长波InAs/GaSb二类超晶格层、N型掺杂的中波InAs/GaSb二类超晶格层以及N型掺杂的InAs上接触层，得到甚长波InAs/GaSb二类超晶格红外探测器材料。利用本发明，由于在界面设计中增加了精心设计的“Sb-soak”和“生长中断”，所以超晶格材料质量进一步得到提高。

公开(公告)号：CN102534764A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201210037639.8

申请日：2012-02-17

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 张艳华 ,  马文全 ,  曹玉莲

IPC: C30B23/02 ,  C30B25/18 ,  C30B28/12 ,  C30B28/14 ,  C30B29/40 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种InAs/GaSbⅡ类超晶格窄光谱红外光电探测器材料的外延生长方法，包括：选择一衬底，作为外延层的承载体；在该衬底上外延生长缓冲层；降温，在该缓冲层上外延生长p型掺杂的InAs/GaSb Ⅱ类超晶格层；在该p型掺杂的InAs/GaSbⅡ类超晶格层上外延生长本征InAs/GaSbⅡ类超晶格吸收层；在该本征InAs/GaSbⅡ类超晶格吸收层上外延生长n型掺杂的InAs/GaSbⅡ类超晶格层；在该n型掺杂的InAs/GaSbⅡ类超晶格层上外延生长n型掺杂的InAs盖层，完成InAs/GaSbⅡ类超晶格窄光谱红外光电探测器材料的外延生长。

公开(公告)号：CN101847672A

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN201010171382.6

申请日：2010-05-07

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 刘小宇 ,  马文全 ,  张艳华 ,  种明

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/101

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种10-14微米同时响应的双色量子阱红外探测器的制作方法，包括如下步骤：(A)将一衬底烘干、脱氧，以其作为量子阱红外探测器的承载体；(B)利用外延设备在衬底上依次生长N型掺杂的下欧姆接触层、量子阱层，以及N型掺杂的上欧姆接触层；(C)采用光刻及湿法刻蚀技术，将量子阱层及上欧姆接触层的一侧刻蚀，使下欧姆接触层的一侧形成一台面；(D)采用机械抛光的方法，将衬底及下欧姆接触层远离台面的一侧抛成45°抛角，形成入射光窗口；(E)烘干；(F)在上欧姆接触层的表面压焊第一n型电极；(G)在下欧姆接触层一侧形成的台面上压焊第二n型电极。

公开(公告)号：CN114649432B

公开(公告)日：2023-02-17

申请号：CN202210298475.8

申请日：2022-03-24

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 张艳华 ,  马文全 ,  黄建亮

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/101 ,  H01L31/18

Abstract: 本公开提供一种反转型太赫兹光电探测器，包括：衬底，依次叠设于衬底上的缓冲层、第一势垒层、反转型超晶格吸收层、第二势垒层、盖层；其中，反转型超晶格吸收层包括周期性交叉叠设的InAs层和GaSb层，每一周期内叠设的InAs层GaSb层厚度需满足使得InAs层的电子能级低于GaSb层的空穴能级；且InAs层的电子能级和GaSb层的空穴能级之间交叠而发生耦合，在能级交叠处产生一个杂化带隙。反转型InAs/GaSb超晶格吸收层对太赫兹波段的电磁波吸收效率高，通过在太赫兹光电探测器中布置反转型InAs/GaSb超晶格吸收层，提高探测器对太赫兹波的探测性能。本公开还提供一种反转型太赫兹光电探测器的制备方法。

公开(公告)号：CN111477717B

公开(公告)日：2022-02-11

申请号：CN202010341299.2

申请日：2020-04-26

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 聂碧颖 ,  马文全 ,  黄建亮 ,  张艳华

IPC: H01L31/11 ,  H01L31/024 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

Abstract: 一种自制冷型锑化物超晶格红外探测器及其制备方法，自制冷型锑化物超晶格红外探测器包括：衬底；缓冲欧姆接触层，形成于所述衬底上；发射极层，形成于所述缓冲欧姆接触层上；所述发射极层包括n型重掺杂InAs/GaSb二类超晶格；微制冷区，形成于所述发射极层上；所述微制冷区由下到上依次包括AlxGa1‑xSb势垒、InAs量子阱和GaSb势垒，其中，0.5＜x＜1；超晶格制冷区，形成于所述微制冷区上；所述超晶格制冷区包括InAs/GaSb本征二类超晶格；集电极层，形成于所述超晶格制冷区上。本发明使得锑化物超晶格红外探测器能在更高的温度下工作，提高锑化物超晶格红外探测器的工作性能。

公开(公告)号：CN111540797A

公开(公告)日：2020-08-14

申请号：CN202010404849.0

申请日：2020-05-13

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 黄建亮 ,  马文全

IPC: H01L31/0304 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/107

Abstract: 本发明公开了一种中远红外雪崩光电探测器，包括：至下而上依次连接的衬底、缓冲层、下欧姆接触层、倍增层、电荷层、渐变层、吸收层和上欧姆接触层，且衬底和缓冲层的掺杂类型为n型；或至下而上依次连接的衬底、缓冲层、第二欧姆接触层、吸收层、渐变层、电荷层、倍增层和第一欧姆接触层，且所述衬底和缓冲层的掺杂类型为p型；其中，倍增层为AlAsxSb1-x材料，且0.12≤x≤0.18，渐变层为多个(InAs)m/(AlAs0.15Sb0.85)n量子阱结构或InyAl1-yAszSb1-z材料，吸收层的探测波长为中远红外波段。本发明提供的该中远红外雪崩光电探测器，可以阻挡暗电流，降低噪声，无需降温装置，提高器件的工作温度，降低成本，使用方便。

公开(公告)号：CN110311000A

公开(公告)日：2019-10-08

申请号：CN201910648930.0

申请日：2019-07-17

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 赵成城 ,  马文全 ,  黄建亮 ,  张艳华

IPC: H01L31/0248 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/107 ,  H01L31/18

Abstract: 本公开提供一种二类超晶格雪崩光电探测器及其制备方法，包括：衬底；缓冲层，位于所述衬底上；N型欧姆接触层，位于所述缓冲层上，为N型InAs/GaSb超晶格；雪崩倍增层，覆于部分所述欧姆接触层之上，未被覆盖的欧姆接触层形成一台面；光吸收层，位于所述雪崩倍增层上，为InAs/GaSb超晶格，用于探测红外光；P型欧姆接触层，位于所述光吸收层上；钝化层，覆于所述台面的部分上表面并开设有第一电极窗口，同时覆盖所述P型欧姆接触层上表面边缘处，并开设有第二电极窗口；以及还覆于所述雪崩倍增层、光吸收层、P型欧姆接触层的侧面；P电极，位于所述第二电极窗口内，居中裸露P型欧姆接触层区域作为通光孔；以及N电极，位于所述台面上的第一电极窗口内。

公开(公告)号：CN100495742C

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：CN200610165537.9

申请日：2006-12-21

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 杨晓杰 ,  马文全 ,  种明 ,  苏艳梅 ,  陈良惠

IPC: H01L31/111 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 一种铟镓砷/铟铝砷耦合量子点红外探测器，包括：一GaAs衬底；一n+GaAs下接触层生长在GaAs衬底上，该n+GaAs下接触层中重掺杂施主Si原子；一多周期光电流产生区生长在n+GaAs下接触层上，其作用是吸收红外辐射并产生光电子；一n+GaAs上接触层生长在多周期光电流产生区上，保护多周期光电流产生区；该n+GaAs上接触层中重掺杂Si原子；一上电极制作在n+GaAs上接触层上，收集并输出多周期光电流产生区产生的光电流信号；一下电极制作在n+GaAs下接触层上形成的台阶的一侧，和上电极一起给多周期光电流产生区施加偏压。