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公开(公告)号：CN110970525A
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201811152978.4
申请日：2018-09-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/103 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种平面GaN基紫外探测器及其制作方法，涉及半导体器件技术领域。该紫外探测器制作方法包括：光刻后选择性刻蚀第一SiO2钝化层至其底部；在所述第一SiO2钝化层刻蚀的孔洞内，从下到上依次生长n型掺杂层、i型层和p型掺杂层。本发明中，制作紫外探测器时，先生长SiO2钝化层，并在钝化层的刻蚀区内生长GaN基紫外探测器材料，避免台面刻蚀工艺，有效减少pn结侧面漏电流，提高探测器性能。
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公开(公告)号：CN110970509A
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201811143763.6
申请日：2018-09-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/02 , H01L31/0203 , H01L31/024
Abstract: 本发明公开了一种背入射式量子阱红外探测器单元器件的封装装置及方法，该方法由以下步骤实现：用粘合剂将量子阱红外探测器单元器件及陶瓷片粘在热沉上；用金丝压焊的方法将量子阱红外探测器单元器件上的不同电极引出到陶瓷片上；用焊锡将引出线焊在陶瓷片上；用螺丝将热沉固定在金属适配器上；用螺丝将适配器固定在杜瓦冷指上；将引出线的另一端焊在杜瓦接线柱上，从而将量子阱红外探测器单元器件上的不同电极引出杜瓦。本发明通过特定形状的适配器与热沉相配合，实现光栅耦合的量子阱红外探测器单元器件的杜瓦封装，因为和面阵器件采用相同的光耦合方式，因此可以更精确的预估面阵器件的特性。
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公开(公告)号：CN103646986B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201310729555.5
申请日：2013-12-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/105 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种AlGaN基双色日盲紫外探测器及制作方法。该探测器包括：衬底；缓冲层；n?i?p?i?n单元，其包括缓冲层上依次生长的下n型掺杂层、下i型有源层、p型掺杂层、上i型有源层和上n型掺杂层；上台面，其是通过刻蚀上n型掺杂层、上i型有源层、p型掺杂层两侧形成的台面；下台面，其是通过刻蚀上台面下方两侧的p型掺杂层形成；n型欧姆接触金属层，其生长在上n型掺杂层表面，以及下台面一侧的下n型掺杂层上表面；p型欧姆接触金属层，其生长在上台面一侧的p型掺杂层上表面；加厚金属层，其生长在n型欧姆接触金属层和p型欧姆接触金属层上表面，其尺寸大于其下方的欧姆接触金属层的尺寸；二氧化硅层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109861079B
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN201910115264.4
申请日：2019-02-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于微结构激光器的一维雷达扫描发射装置及制备方法，包括：基底；在该基底上呈阵列排布的多路激光器，各路激光器之间的出射角度不同，该出射角度为各路激光器的出射激光与所述基底平面形成的夹角，实现多路可变倾角低发散角微结构激光器；以及电路板，包括由移位寄存器控制的多个电控制开关连接多个引脚，通过控制该电控制开关为分别连接至各引脚的激光器供电。其中，多路可变倾角低发散角微结构激光器作为本发明的主要特征，每一路激光器通过调整其自身微结构分布以及尺寸按照特定角度发射近平行激光束，该光束扫描一定距离内物体，经过物体反射实现位置确定，可实现更高的功率输出，体积小，集成度高。
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公开(公告)号：CN106505127A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201610949366.2
申请日：2016-10-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: H01L31/184 , H01L31/1844
Abstract: 一种解决量子阱红外探测器阵列与读出电路之间应力的方法，包括如下步骤：在一衬底上制作多量子阱红外探测器材料；在多量子阱红外探测器材料上按照预定间距向下刻蚀，形成多个像元之间的隔离槽，刻蚀深度至衬底内；在刻蚀隔离槽后的多量子阱红外探测器材料上制作In柱；将一读出电路置放在In柱上，使多量子阱红外探测器材料和读出电路通过In柱互连；在In柱的周围灌注胶，胶的作用是互连固化；把衬底第一次减薄；将衬底抛光，第二次减薄；继续腐蚀衬底，第三次减薄，直至暴露出衬底上的隔离槽，各像元完全隔离，完成制备。本发明可以使像元间完全隔离，更加有效的释放热应力。
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公开(公告)号：CN109861079A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201910115264.4
申请日：2019-02-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于微结构激光器的一维雷达扫描发射装置及制备方法，包括：基底；在该基底上呈阵列排布的多路激光器，各路激光器之间的出射角度不同，该出射角度为各路激光器的出射激光与所述基底平面形成的夹角，实现多路可变倾角低发散角微结构激光器；以及电路板，包括由移位寄存器控制的多个电控制开关连接多个引脚，通过控制该电控制开关为分别连接至各引脚的激光器供电。其中，多路可变倾角低发散角微结构激光器作为本发明的主要特征，每一路激光器通过调整其自身微结构分布以及尺寸按照特定角度发射近平行激光束，该光束扫描一定距离内物体，经过物体反射实现位置确定，可实现更高的功率输出，体积小，集成度高。
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公开(公告)号：CN103646986A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201310729555.5
申请日：2013-12-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/105 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/1013 , H01L31/11 , H01L31/1848 , H01L31/1852
Abstract: 本发明公开了一种AlGaN基双色日盲紫外探测器及制作方法。该探测器包括：衬底；缓冲层；n-i-p-i-n单元，其包括缓冲层上依次生长的下n型掺杂层、下i型有源层、p型掺杂层、上i型有源层和上n型掺杂层；上台面，其是通过刻蚀上n型掺杂层、上i型有源层、p型掺杂层两侧形成的台面；下台面，其是通过刻蚀上台面下方两侧的p型掺杂层形成；n型欧姆接触金属层，其生长在上n型掺杂层表面，以及下台面一侧的下n型掺杂层上表面；p型欧姆接触金属层，其生长在上台面一侧的p型掺杂层上表面；加厚金属层，其生长在n型欧姆接触金属层和p型欧姆接触金属层上表面，其尺寸大于其下方的欧姆接触金属层的尺寸；二氧化硅层。
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公开(公告)号：CN110970509B
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN201811143763.6
申请日：2018-09-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/02 , H01L31/0203 , H01L31/024
Abstract: 本发明公开了一种背入射式量子阱红外探测器单元器件的封装装置及方法，该方法由以下步骤实现：用粘合剂将量子阱红外探测器单元器件及陶瓷片粘在热沉上；用金丝压焊的方法将量子阱红外探测器单元器件上的不同电极引出到陶瓷片上；用焊锡将引出线焊在陶瓷片上；用螺丝将热沉固定在金属适配器上；用螺丝将适配器固定在杜瓦冷指上；将引出线的另一端焊在杜瓦接线柱上，从而将量子阱红外探测器单元器件上的不同电极引出杜瓦。本发明通过特定形状的适配器与热沉相配合，实现光栅耦合的量子阱红外探测器单元器件的杜瓦封装，因为和面阵器件采用相同的光耦合方式，因此可以更精确的预估面阵器件的特性。
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