公开(公告)号：CN101866933B

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN200910081985.4

申请日：2009-04-15

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 霍永恒 ,  马文全 ,  种明 ,  张艳华 ,  陈良惠

IPC: H01L27/144 ,  H01L21/8252

Abstract: 一种两端结构中长波同时响应量子阱红外探测器，包括：一半绝缘半导体GaAs衬底；一第一半导体GaAs接触层，制作在半绝缘半导体GaAs衬底上；一第一多量子阱红外探测器，制作在第一半导体GaAs接触层上，该第一半导体GaAs接触层的一侧形成一台面；一第二半导体GaAs接触层，制作在第一多量子阱红外探测器上；一第二多量子阱红外探测器，制作在第二半导体GaAs接触层上；一第三半导体GaAs接触层，制作在第二多量子阱红外探测器上；一上接触电极和一下接触电极分别制作在第三半导体GaAs接触层上面和第一半导体GaAs接触层形成的台面上。

公开(公告)号：CN101866932A

公开(公告)日：2010-10-20

申请号：CN200910081984.X

申请日：2009-04-15

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 霍永恒 ,  马文全 ,  种明 ,  张艳华 ,  陈良惠

IPC: H01L27/144 ,  H01L31/101 ,  H01L31/0304 ,  H01L21/8252

Abstract: 一种电压调制型中长波双色量子阱红外探测器，包括：一半绝缘半导体GaAs衬底；一第一半导体GaAs接触层，制作在半绝缘半导体GaAs衬底上；一第一多量子阱红外探测器，制作在第一半导体GaAs接触层上，在第一半导体GaAs接触层的一侧形成一台面；一第二半导体GaAs接触层，制作在第一多量子阱红外探测器上；一第二多量子阱红外探测器，制作在第二半导体GaAs接触层上；一第三半导体GaAs接触层，制作在第二多量子阱红外探测器上；一上接触电极和下接触电极，分别制作在第三半导体GaAs接触上和第一半导体GaAs接触层形成的台面上。

公开(公告)号：CN101866932B

公开(公告)日：2011-10-05

申请号：CN200910081984.X

申请日：2009-04-15

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 霍永恒 ,  马文全 ,  种明 ,  张艳华 ,  陈良惠

IPC: H01L27/144 ,  H01L31/101 ,  H01L31/0304 ,  H01L21/8252

Abstract: 一种电压调制型中长波双色量子阱红外探测器，包括：一半绝缘半导体GaAs衬底；一第一半导体GaAs接触层，制作在半绝缘半导体GaAs衬底上；一第一多量子阱红外探测器，制作在第一半导体GaAs接触层上，在第一半导体GaAs接触层的一侧形成一台面；一第二半导体GaAs接触层，制作在第一多量子阱红外探测器上；一第二多量子阱红外探测器，制作在第二半导体GaAs接触层上；一第三半导体GaAs接触层，制作在第二多量子阱红外探测器上；一上接触电极和下接触电极，分别制作在第三半导体GaAs接触上和第一半导体GaAs接触层形成的台面上。

公开(公告)号：CN101866933A

公开(公告)日：2010-10-20

申请号：CN200910081985.4

申请日：2009-04-15

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 霍永恒 ,  马文全 ,  种明 ,  张艳华 ,  陈良惠

IPC: H01L27/144 ,  H01L21/8252

Abstract: 一种两端结构中长波同时响应量子阱红外探测器，包括：一半绝缘半导体GaAs衬底；一第一半导体GaAs接触层，制作在半绝缘半导体GaAs衬底上；一第一多量子阱红外探测器，制作在第一半导体GaAs接触层上，该第一半导体GaAs接触层的一侧形成一台面；一第二半导体GaAs接触层，制作在第一多量子阱红外探测器上；一第二多量子阱红外探测器，制作在第二半导体GaAs接触层上；一第三半导体GaAs接触层，制作在第二多量子阱红外探测器上；一上接触电极和一下接触电极分别制作在第三半导体GaAs接触层上面和第一半导体GaAs接触层形成的台面上。