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公开(公告)号：CN109861079A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201910115264.4
申请日：2019-02-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于微结构激光器的一维雷达扫描发射装置及制备方法，包括：基底；在该基底上呈阵列排布的多路激光器，各路激光器之间的出射角度不同，该出射角度为各路激光器的出射激光与所述基底平面形成的夹角，实现多路可变倾角低发散角微结构激光器；以及电路板，包括由移位寄存器控制的多个电控制开关连接多个引脚，通过控制该电控制开关为分别连接至各引脚的激光器供电。其中，多路可变倾角低发散角微结构激光器作为本发明的主要特征，每一路激光器通过调整其自身微结构分布以及尺寸按照特定角度发射近平行激光束，该光束扫描一定距离内物体，经过物体反射实现位置确定，可实现更高的功率输出，体积小，集成度高。
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公开(公告)号：CN103646986A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201310729555.5
申请日：2013-12-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/105 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/1013 , H01L31/11 , H01L31/1848 , H01L31/1852
Abstract: 本发明公开了一种AlGaN基双色日盲紫外探测器及制作方法。该探测器包括：衬底；缓冲层；n-i-p-i-n单元，其包括缓冲层上依次生长的下n型掺杂层、下i型有源层、p型掺杂层、上i型有源层和上n型掺杂层；上台面，其是通过刻蚀上n型掺杂层、上i型有源层、p型掺杂层两侧形成的台面；下台面，其是通过刻蚀上台面下方两侧的p型掺杂层形成；n型欧姆接触金属层，其生长在上n型掺杂层表面，以及下台面一侧的下n型掺杂层上表面；p型欧姆接触金属层，其生长在上台面一侧的p型掺杂层上表面；加厚金属层，其生长在n型欧姆接触金属层和p型欧姆接触金属层上表面，其尺寸大于其下方的欧姆接触金属层的尺寸；二氧化硅层。
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公开(公告)号：CN101621066B
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200810116040.7
申请日：2008-07-02
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L27/144 , H01L21/82 , H01L31/101 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种GaN基日盲型紫外探测器面阵，包括：一衬底；一成核层，该成核层生长在衬底上；一N型欧姆接触层，该N型欧姆接触层生长在成核层上；一有源层，该有源层生长在N型欧姆接触层上；一P型欧姆接触层，该P型欧姆接触层生长在有源层上；一P型欧姆接触电极，该P型欧姆接触电极生长在P型欧姆接触层上；一二次金属，该二次金属生长在P型欧姆接触电极的上面；一N型欧姆接触电极，该N型欧姆接触电极生长在N型欧姆接触层上；一钝化层，该钝化层淀积在N型欧姆接触层、有源层、P型欧姆接触层、P型欧姆接触电极、二次金属和N型欧姆接触电极的两侧。
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公开(公告)号：CN101847672A
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN201010171382.6
申请日：2010-05-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/101
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种10-14微米同时响应的双色量子阱红外探测器的制作方法，包括如下步骤：(A)将一衬底烘干、脱氧，以其作为量子阱红外探测器的承载体；(B)利用外延设备在衬底上依次生长N型掺杂的下欧姆接触层、量子阱层，以及N型掺杂的上欧姆接触层；(C)采用光刻及湿法刻蚀技术，将量子阱层及上欧姆接触层的一侧刻蚀，使下欧姆接触层的一侧形成一台面；(D)采用机械抛光的方法，将衬底及下欧姆接触层远离台面的一侧抛成45°抛角，形成入射光窗口；(E)烘干；(F)在上欧姆接触层的表面压焊第一n型电极；(G)在下欧姆接触层一侧形成的台面上压焊第二n型电极。
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公开(公告)号：CN1783518A
公开(公告)日：2006-06-07
申请号：CN200410009924.4
申请日：2004-12-02
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明是一种使多个V形光伏器件组件连接的方法，涉及半导体技术领域，是在多个V形光伏器件组件中选择光伏器件板表面法线方向相同，并且具有相同或相近电输出参数的光伏器件板，将这些同法线方向的光伏器件板的电输出端连接在一起，进而形成输出电能线路，并且使具有不同表面法线方向的光伏器件板形成不同的输出电能线路，分别输出电能。不同的输出电能线路可各自供电，也可分别输入到一个或多个可充电电池，还可以分别经过调配电路调整后并线(并联或串连)供电。本发明的特点是使多个V形光伏器件组件的连接更匹配。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110970509B
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN201811143763.6
申请日：2018-09-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/02 , H01L31/0203 , H01L31/024
Abstract: 本发明公开了一种背入射式量子阱红外探测器单元器件的封装装置及方法，该方法由以下步骤实现：用粘合剂将量子阱红外探测器单元器件及陶瓷片粘在热沉上；用金丝压焊的方法将量子阱红外探测器单元器件上的不同电极引出到陶瓷片上；用焊锡将引出线焊在陶瓷片上；用螺丝将热沉固定在金属适配器上；用螺丝将适配器固定在杜瓦冷指上；将引出线的另一端焊在杜瓦接线柱上，从而将量子阱红外探测器单元器件上的不同电极引出杜瓦。本发明通过特定形状的适配器与热沉相配合，实现光栅耦合的量子阱红外探测器单元器件的杜瓦封装，因为和面阵器件采用相同的光耦合方式，因此可以更精确的预估面阵器件的特性。
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公开(公告)号：CN103904161A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201410112197.8
申请日：2014-03-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/1844 , H01L31/02005
Abstract: 一种双光栅双色量子阱红外探测器面阵的制作方法，包括：在衬底上依次生长下接触层、下量子阱层、中间接触层、上量子阱层和上接触层；制作正面光栅，并制作上电极；刻蚀，形成隔离槽和上台面；刻蚀每个隔离槽一侧的侧壁，形成中台面，刻蚀每个隔离槽另一侧的侧壁，形成下台面；制作中间电极，制作下电极，形成基片；生长一层钝化层；生长引出金属层，把中间电极、下电极和上电极引出到上台面；生长二次钝化层，在二次钝化层上腐蚀出引线孔，并在引线孔中生长加厚金属，形成样片；把样片分割成面阵的管芯，并与读出电路进行互连；在衬底的背面制作背面光栅。本发明在每个像元都能同时引出两个波段红外信号的结构中，使得两个波段都有高的光栅耦合效率，提高器件的性能。
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公开(公告)号：CN101894831B
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN200910084157.6
申请日：2009-05-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种紫外-红外双波段探测器及其制作方法，其中紫外-红外双波段探测器，包括：一紫外波段探测器；一红外波段探测器，该红外波段探测器通过金属键合工艺与紫外波段探测器倒装互连在一起，该紫外波段探测器与红外波段探测器的一侧对齐。本发明提供的紫外-红外双波段探测器及其制作方法，可以实现紫外和红外双波段同时探测，目标信息更加丰富，提高了器件的实用性。同时，材料生长及器件制作工艺简单，有利于器件的焦平面化。
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公开(公告)号：CN102244146A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN201110184218.3
申请日：2011-07-01
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/18 , H01L27/146 , H01L31/0224 , H01L31/0216
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种不透射红外及可见光的GaN基紫外探测器面阵的制作方法，包括：在衬底上依次生长缓冲层、n型掺杂层、i型有源层和p型掺杂层；在其两侧向下进行刻蚀，刻蚀到达n型掺杂层内；在其表面沉积氮化硅层；去除p型掺杂层表面的部分氮化硅层和n型掺杂层上的部分氮化硅层并制作n型欧姆接触金属层，在去除部分氮化硅层的p型掺杂层上制作p型欧姆接触金属层，形成基片；在基片的表面沉积一层二氧化硅层；在二氧化硅层的最上面光刻，腐蚀露出面阵四个边缘的n型欧姆接触金属层，腐蚀露出p型欧姆接触金属层；在面阵四个边缘露出的n型欧姆接触金属层和p型欧姆金属层引线孔内及部分二氧化硅层的表面制作加厚金属层；将衬底减薄、抛光，进行管芯分割，完成探测器面阵制作。
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公开(公告)号：CN101866933B
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200910081985.4
申请日：2009-04-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L27/144 , H01L21/8252
Abstract: 一种两端结构中长波同时响应量子阱红外探测器，包括：一半绝缘半导体GaAs衬底；一第一半导体GaAs接触层，制作在半绝缘半导体GaAs衬底上；一第一多量子阱红外探测器，制作在第一半导体GaAs接触层上，该第一半导体GaAs接触层的一侧形成一台面；一第二半导体GaAs接触层，制作在第一多量子阱红外探测器上；一第二多量子阱红外探测器，制作在第二半导体GaAs接触层上；一第三半导体GaAs接触层，制作在第二多量子阱红外探测器上；一上接触电极和一下接触电极分别制作在第三半导体GaAs接触层上面和第一半导体GaAs接触层形成的台面上。
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