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公开(公告)号：CN103646986A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201310729555.5
申请日：2013-12-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/105 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/1013 , H01L31/11 , H01L31/1848 , H01L31/1852
Abstract: 本发明公开了一种AlGaN基双色日盲紫外探测器及制作方法。该探测器包括：衬底；缓冲层；n-i-p-i-n单元，其包括缓冲层上依次生长的下n型掺杂层、下i型有源层、p型掺杂层、上i型有源层和上n型掺杂层；上台面，其是通过刻蚀上n型掺杂层、上i型有源层、p型掺杂层两侧形成的台面；下台面，其是通过刻蚀上台面下方两侧的p型掺杂层形成；n型欧姆接触金属层，其生长在上n型掺杂层表面，以及下台面一侧的下n型掺杂层上表面；p型欧姆接触金属层，其生长在上台面一侧的p型掺杂层上表面；加厚金属层，其生长在n型欧姆接触金属层和p型欧姆接触金属层上表面，其尺寸大于其下方的欧姆接触金属层的尺寸；二氧化硅层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101894831B
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN200910084157.6
申请日：2009-05-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种紫外-红外双波段探测器及其制作方法，其中紫外-红外双波段探测器，包括：一紫外波段探测器；一红外波段探测器，该红外波段探测器通过金属键合工艺与紫外波段探测器倒装互连在一起，该紫外波段探测器与红外波段探测器的一侧对齐。本发明提供的紫外-红外双波段探测器及其制作方法，可以实现紫外和红外双波段同时探测，目标信息更加丰富，提高了器件的实用性。同时，材料生长及器件制作工艺简单，有利于器件的焦平面化。
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公开(公告)号：CN102244146A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN201110184218.3
申请日：2011-07-01
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/18 , H01L27/146 , H01L31/0224 , H01L31/0216
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种不透射红外及可见光的GaN基紫外探测器面阵的制作方法，包括：在衬底上依次生长缓冲层、n型掺杂层、i型有源层和p型掺杂层；在其两侧向下进行刻蚀，刻蚀到达n型掺杂层内；在其表面沉积氮化硅层；去除p型掺杂层表面的部分氮化硅层和n型掺杂层上的部分氮化硅层并制作n型欧姆接触金属层，在去除部分氮化硅层的p型掺杂层上制作p型欧姆接触金属层，形成基片；在基片的表面沉积一层二氧化硅层；在二氧化硅层的最上面光刻，腐蚀露出面阵四个边缘的n型欧姆接触金属层，腐蚀露出p型欧姆接触金属层；在面阵四个边缘露出的n型欧姆接触金属层和p型欧姆金属层引线孔内及部分二氧化硅层的表面制作加厚金属层；将衬底减薄、抛光，进行管芯分割，完成探测器面阵制作。
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公开(公告)号：CN101894831A
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN200910084157.6
申请日：2009-05-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种紫外-红外双波段探测器及其制作方法，其中紫外-红外双波段探测器，包括：一紫外波段探测器；一红外波段探测器，该红外波段探测器通过金属键合工艺与紫外波段探测器倒装互连在一起，该紫外波段探测器与红外波段探测器的一侧对齐。本发明提供的紫外-红外双波段探测器及其制作方法，可以实现紫外和红外双波段同时探测，目标信息更加丰富，提高了器件的实用性。同时，材料生长及器件制作工艺简单，有利于器件的焦平面化。
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公开(公告)号：CN103646986B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201310729555.5
申请日：2013-12-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/105 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种AlGaN基双色日盲紫外探测器及制作方法。该探测器包括：衬底；缓冲层；n?i?p?i?n单元，其包括缓冲层上依次生长的下n型掺杂层、下i型有源层、p型掺杂层、上i型有源层和上n型掺杂层；上台面，其是通过刻蚀上n型掺杂层、上i型有源层、p型掺杂层两侧形成的台面；下台面，其是通过刻蚀上台面下方两侧的p型掺杂层形成；n型欧姆接触金属层，其生长在上n型掺杂层表面，以及下台面一侧的下n型掺杂层上表面；p型欧姆接触金属层，其生长在上台面一侧的p型掺杂层上表面；加厚金属层，其生长在n型欧姆接触金属层和p型欧姆接触金属层上表面，其尺寸大于其下方的欧姆接触金属层的尺寸；二氧化硅层。
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公开(公告)号：CN102244146B
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201110184218.3
申请日：2011-07-01
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/18 , H01L27/146 , H01L31/0224 , H01L31/0216
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种不透射红外及可见光的GaN基紫外探测器面阵的制作方法，包括：在衬底上依次生长缓冲层、n型掺杂层、i型有源层和p型掺杂层；在其两侧向下进行刻蚀，刻蚀到达n型掺杂层内；在其表面沉积氮化硅层；去除p型掺杂层表面的部分氮化硅层和n型掺杂层上的部分氮化硅层并制作n型欧姆接触金属层，在去除部分氮化硅层的p型掺杂层上制作p型欧姆接触金属层，形成基片；在基片的表面沉积一层二氧化硅层；在二氧化硅层的最上面光刻，腐蚀露出面阵四个边缘的n型欧姆接触金属层，腐蚀露出p型欧姆接触金属层；在面阵四个边缘露出的n型欧姆接触金属层和p型欧姆金属层引线孔内及部分二氧化硅层的表面制作加厚金属层；将衬底减薄、抛光，进行管芯分割，完成探测器面阵制作。
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