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公开(公告)号：CN112134143B
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN201910552033.X
申请日：2019-06-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/227
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓基激光器及其制备方法，其中，该激光器包括：在氮化镓衬底上依次生长的n型限制层、复合下波导层、量子阱有源区层、上波导层、p型电子阻挡层、p型限制层和p型欧姆接触层；以及P电极，制作于所述p型欧姆接触层上；N电极，制作与氮化镓衬底相接触；其中，复合下波导层包括多层铟镓氮层，该各层铟镓氮层之间的铟组分含量不同。本发明提供的该氮化镓基激光器及其制备方法，可以降低光学损耗，提高输出光功率、降低阈值电流。
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公开(公告)号：CN111366832B
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202010394919.9
申请日：2020-05-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 一种GaN雪崩探测器p层载流子浓度的测量方法，包括如下步骤：在相同的条件下分布生长i层和n层氮化镓，并用金属电极做好欧姆接触，再利用霍尔效应测试对应的i层和n层的载流子浓度；在没有光照情况下，pin型GaN雪崩探测器器件反向偏压时的电流‑电压曲线，并读出电流刚开始呈指数增长时的临界反向电压值；根据泊松方程建立pin型GaN雪崩探测器器件在反向偏压下的电场强度分布图E‑x；依据氮化镓材料刚好雪崩击穿时最大电场强度，结合电场强度分布图，由测得的临界反向电压值反推出p层载流子浓度。本发明的测试方法是一种非消耗性测试方法，可以对试样进行重复检测。
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公开(公告)号：CN109888069B
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN201910115508.9
申请日：2019-02-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 中国科学院大学
Abstract: 本发明提供了一种InGaN/GaN量子阱结构及LED外延片制备方法，该InGaN/GaN量子阱结构的制备方法包括：生长GaN垒层；在GaN垒层上生长一个或多个周期的InGaN阱层/GaN垒层的交替结构；在InGaN阱层/GaN垒层的交替结构的生长过程中，在生长GaN垒层时通入含氢气的反应气体。本发明的InGaN/GaN量子阱结构及LED外延片制备方法提高了InGaN/GaN量子阱结构的界面陡峭度，提高了其内In组分分布的均匀性并且降低了其外延层缺陷密度，从而提高氮化镓基发光器件的发光效率。
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公开(公告)号：CN111404024A
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN202010234429.2
申请日：2020-03-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种具有复合波导层的氮化镓基近紫外激光器包括一衬底；一n型外延层；一n型限制层；一第一n型AlInN波导层；一第二n型AlInN波导层；一有源区；一AlInN波导层；一p型电子阻挡层；一p型AlInN波导层；一p型限制层，其制作在p型AlGaN波导层上，该p型限制层的中间为一凸起的脊形；一p型掺杂/p型重掺接触层；一p型欧姆电极以及一n型欧姆电极。本发明采用AlInN材料代替AlGaN材料作为氮化镓基近紫外激光器的波导层，在同样的生长温度下，AlInN的晶体质量更好，缺陷密度更低，减少了由缺陷和杂质引起的光学吸收。AlInN更容易通过改变组分获得更大的折射率差，将光场更好地限制在有源区附近，增大了激光器的光学限制因子。
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公开(公告)号：CN105449522B
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201511001357.2
申请日：2015-12-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/343
Abstract: 本发明公开了一种绿光激光器外延片，其从下向上的顺序依次包括：蓝宝石衬底、低温成核层、高温非掺杂GaN层、高温n型GaN层、高温n型AlGaN限制层、非掺杂下波导层、InGaN/GaN多量子阱发光层结构、p型AlGaN电子阻挡层、非掺杂上波导层、p型AlGaN限制层、p型GaN层。本发明通过降低V型缺陷的密度，减少高In组分InGaN量子阱中富In区的密度，提高量子阱的In组分均匀性，从而提高绿光激光器中InGaN/GaN多量子阱的热稳定性，为制备高性能的绿光激光器奠定基础。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109461796A
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201811213531.3
申请日：2018-10-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种InGaN/(In)GaN量子阱结构的制造方法及LED外延片。InGaN/(In)GaN量子阱结构包括依次生成的N个量子阱，其中N≥1，第i个(1≤i≤N)量子阱的制造方法包括：若i＝1，则在预设基础结构上形成第一垒层，否则在第i-1个量子阱上形成第一垒层；在第一垒层上通入第i预设数量的In原子；在第一垒层上形成InGaN阱层；在InGaN阱层上形成盖层；在盖层上形成第二垒层。本发明解决了光电器件的发光效率低和发光均匀性差的问题，达到了提高光电器件的发光效率和发光均匀性的效果。
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公开(公告)号：CN104300367B
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201410564609.1
申请日：2014-10-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/343
Abstract: 一种抑制GaAs基激光器高阶模的方法，包括以下步骤：步骤1：在砷化镓衬底上依次制作n型限制层、n型高折射率插入层、n型低折射率插入层、n型波导层、量子阱有源区、p型波导层、p型低折射率插入层、p型高折射率插入层、p型限制层和p型接触层；步骤2：将P型接触层和P型限制层湿法腐蚀或干法刻蚀成脊型；步骤3：在制作成脊型的上面生长一层氧化模，并采用光刻的方法在p型接触层的上表面制作p型欧姆电极；步骤4：将砷化镓衬底减薄、清洗，并在砷化镓衬底的背面制作n型欧姆电极，形成激光器；步骤5：进行解理，在激光器的腔面镀膜，最后封装在管壳上，完成制备。本发明通过对高折射率层合适的掺杂来增加高阶模的光学损耗，提高高阶模的激射阈值。
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公开(公告)号：CN104538524B
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：CN201410784663.7
申请日：2014-12-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种InGaN量子点的外延结构及生长方法，其中InGaN量子点的外延结构，包括：一衬底，该衬底的表面具有原子级的台阶形貌，台阶斜切角为0.05°‑10°；一低温GaN缓冲层，其生长在衬底上，其表面具有与衬底相同的台阶形貌；一高温GaN层，其生长在低温GaN缓冲层上，且其表面刻蚀有凹槽，使得该高温GaN层的表面为错开的台阶状形貌，其表面形成网格状结构；多个InGaN量子点，其分布生长在高温GaN层表面的网格状结构上；一GaN覆盖层，其生长在高温GaN层上，并覆盖多个InGaN量子点；多个InGaN量子点和GaN覆盖层，其依次重复生长在GaN覆盖层上。
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公开(公告)号：CN105803425A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201610320424.5
申请日：2016-05-16
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C23C16/458 , H01L21/687
CPC classification number: C23C16/4581 , H01L21/68757 , H01L21/68785
Abstract: 一种金属有机化合物气相沉积反应装置的反应基座，包括：一圆盘状的反应基座，该反应基座上开有三个圆形凹槽，该圆形凹槽边缘为圆弧过渡结构，该反应基座中心处存在一个圆弧脊形过渡结构，使得反应基座表面中心处高于其他部分，该反应基座的材料为镀有一层碳化硅的石墨。本发明可以提高MOCVD沉积薄膜的质量，提高外延薄膜的均匀性。
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公开(公告)号：CN105048285A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510548632.6
申请日：2015-08-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓基激光器及其制备方法。所述方法包括以下步骤：步骤1：在氮化镓衬底上依次制作n型限制层、n型波导层、量子阱有源区、电子阻挡层、插入层、p型波导层、p型限制层和p型接触层；步骤2：将P型接触层和P型限制层湿法腐蚀或干法刻蚀成脊型；步骤3：在制作成的所述脊型上生长一层氧化模，并采用光刻的方法制作p型欧姆电极；步骤4：将氮化镓衬底减薄、清洗，并在上面制作n型欧姆电极；步骤5：进行解理、镀膜，最后封装在管壳上，制成氮化镓激光器。本发明提出的上述激光器，由于插入层的引入，能带结构上带来两方面的好处：第一，使空穴容易注入。第二，电子有效势垒增大。
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