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公开(公告)号：CN119050190A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411224715.5
申请日：2024-09-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/101 , H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/18
Abstract: 本公开提供了具有氧化石墨烯势垒层的自驱动光电探测器及其制备方法，涉及光电探测器技术领域。具有氧化石墨烯势垒层的自驱动光电探测器，包括：衬底，用以吸收光子并产生光生电子和光生空穴；透明电极，用于使光线穿透并收集所述光生空穴，其中，所述透明电极的材料包括二维过渡金属碳/氮化物；以及势垒层，设置在所述衬底和所述透明电极之间，用于阻挡多数载流子从所述透明电极向所述衬底漂移隧穿，减少表面态形成的复合中心，以及阻挡所述光生电子从所述衬底向所述透明电极扩散，其中，所述势垒层的材料包括氧化石墨烯。
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公开(公告)号：CN116046149A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202310118770.5
申请日：2023-01-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01H11/06 , H02N1/04 , G01F23/296
Abstract: 提供一种基于双层阵列结构的水波实时传感装置及检测方法，传感装置包括一柔性传感器件，其设置于待测液体的液面处，使得传感器件的一部分位于液面以下，传感器件包括：静电摩擦层，柔性防水薄膜材料制备而成，静电摩擦层位于液面以下的部分与待测液体接触并摩擦从而产生电信号；第一阵列单元，包括多个成阵列排布的第一传感器，位于液面以下的部分的每个第一传感器在电信号的作用下发出第一信号；绝缘层；第二阵列单元，包括多个成阵列排布的感应传感器，每个感应传感器与每个第一传感器相隔绝缘层交叠设置，并用于在对应的第一传感器发出的第一信号的作用下生成感应信号；封装层，用于将传感装置固定设置于待测液体的液面处。
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公开(公告)号：CN114993861A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210572146.8
申请日：2022-05-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种拉伸测试装置，包括：套筒，套筒一端开口，开口端的侧面沿周向方向等间隔布置有多个第一连接孔；滑杆，与多个第一连接孔一一对应，滑杆的第一端与第一连接孔可拆卸连接；固定器，侧面沿周向方向等间隔布置有多个第二连接孔，第二连接孔与滑杆一一对应，滑杆的第二端与第二连接孔可拆卸连接；夹持装置，设置于每一根滑杆上并与滑杆滑动连接；拉紧器，与夹持装置一一对应，拉紧器的第一端与夹持装置转动连接；伸缩装置，伸缩装置的第一端与拉紧器的第二端转动连接；伸缩装置的第二端与套筒的底端固定连接。本发明拉伸测试装置可以完成单次静态拉伸和低速多次周期往复拉伸等测试，测试过程简单，装置结构简单。
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公开(公告)号：CN113471313A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110754203.X
申请日：2021-07-01
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/109 , H01L31/18
Abstract: 本公开提供一种单行载流子探测器及其制备方法，单行载流子探测器，包括：公共N接触层(3)；纳米线阵列，包括多个纳米线(0)，多个纳米线(0)非接触地并列排布在公共N接触层(3)上，纳米线阵列用于吸收光以产生载流子。本公开的单行载流子探测器相对于传统的薄膜型单行载流子探测器，大大降低了结电容面积，在较短的吸收层厚度下，可以拥有非常高的光学吸收，因而同时拥有高的响应度以及与渡越时间相关的3‑dB带宽，可以满足新一代自由空间光通信系统的要求。
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公开(公告)号：CN106877732B
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201710164775.6
申请日：2017-03-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H02N1/04
Abstract: 本发明提供了一种基于褶皱导电薄膜的摩擦发电机，包括：上摩擦层，包含：上绝缘层(200)，由柔性材料制备；上电极(100)，位于上绝缘层之上；下摩擦层，包含：衬底(400)，由柔性材料制备；下电极(300)，位于衬底之上，由褶皱的导电薄膜材料制备。褶皱的设计提高了摩擦面积和摩擦效应，使得相同面积的器件可以有更大的输出电压，在同样的空间结构中，有效提高了摩擦发电机的输出电压和输出功率，有利于将多个摩擦发电机进行集成和推广，上、下均为褶皱电极还提升了器件的延展性，从而拓宽了发电方式，不仅可以通过压力发电，还可以通过拉伸和弯曲发电，增强了器件的通用性，有助于拓宽摩擦发电机在复杂环境与人机界面方面的应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108878585A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810659964.5
申请日：2018-06-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/101
Abstract: 一种多波段可见光至近红外的焦平面探测器的制备方法，包括：步骤1：在一InP衬底上依次生长牺牲层、N接触层、光吸收层和帽层；步骤2：从帽层的一侧向下刻蚀，刻蚀深度达到N接触层，便于电极引出；步骤3：在接触层和帽层上生长图形金属电极，并在电极上生长铟柱，得到探测器芯片；步骤4：取一个读出电路，将探测器芯片与读出电路倒扣，得到一个焦平面模块；步骤5：对焦平面模块的背面，去除衬底和牺牲层；步骤6：在N接触层上生长SiO2介质膜，图形化制备多层分光透光膜，形成多波段可见光至近红外焦平面探测器。本发明具有工艺简单，产品成像速度快，成本低的优点，其解决了集成度低的问题。
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公开(公告)号：CN108417592A
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201810145028.2
申请日：2018-02-12
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L27/146 , H04N5/33
Abstract: 本公开提供了一种柔性球面结构红外成像器件及其制备方法、仿生红外球面相机，其中，所述柔性球面结构红外成像器件包括：基底及位于该基底的内表面的红外探测器阵列；其中，所述基底为柔性球面基底。本公开柔性球面结构红外成像器件及其制备方法、仿生红外球面相机，具有重复弯曲可恢复性，能应用于可穿戴设备，仿生组织，人机交互等领域，可以大幅提高红外光电成像设备的生物集成能力，制备工艺更加成熟，加工成本低。
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公开(公告)号：CN106684180A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201611180940.9
申请日：2016-12-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/035236 , H01L31/18
Abstract: 一种具有吸收增强结构的II类超晶格光电探测器及其制备方法，该制备方法包括以下步骤：在衬底上分子束外延生长形成一吸收增强层；在吸收增强层的上表面分子束外延生长形成一吸收层，吸收层为N结构II类超晶格结构；完成具有吸收增强结构的II类超晶格光电探测器的制备。本发明通过采用N结构II类超晶格材料作为吸收层，同时引入吸收增强层，使得器件在目标波长处可获得高达80％的高量子效率，并且在目标波长附近体现了良好的窄带宽特性。
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公开(公告)号：CN103811580B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201410078922.4
申请日：2014-03-05
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/105 , H01L31/0232
Abstract: 本发明提供了一种InGaAs红外光探测器。该InGaAs红外光探测器包括：半导体衬底，其两面抛光；依次沉积于半导体衬底上表面的下掺杂层、吸收层、上掺杂层、金属光栅层；其中：吸收层为本征掺杂或低浓度掺杂的InGaAs材料；金属光栅层为一维周期性亚波长光栅；下掺杂层和上掺杂层均为掺杂类型相异的重掺杂的InGaAs材料，两者分别与吸收层构成pin结构，从下掺杂层和上掺杂层分别电性连接出该InGaAs红外光探测器的两电极，该两电极引入外加偏压并收集探测信号。本发明InGaAs红外光探测器利用一维周期性金属光栅激发表面等离子体效应和瑞利伍德异常效应，使得可以在不损失吸收率的情况下，增强器件的响应速度。
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公开(公告)号：CN105118886A
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201510547504.X
申请日：2015-08-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/107 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/1075 , H01L31/1892
Abstract: 本发明公开了一种垂直型雪崩光电二极管及其制备方法。所述雪崩光电二极管的制备方法包括：刻蚀垂直台面至In0.53Ga0.47As牺牲层；钝化台面侧壁及上表面；腐蚀去除In0.53Ga0.47As牺牲层实现衬底剥离；在N型InP欧姆接触层表面制备光学增透膜；上下表面制备P、N接触金属层，最后在P型接触金属层上再形成平坦的高反射镜面金属层。通过光学增透膜及平坦高反射金属层的有效结合，有效提高了雪崩光电二极管的响应度。本发明制备的高响应度的垂直型InP/In0.53Ga0.47As雪崩光电二极管具有成本低、制备工艺简单等优点。
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