公开(公告)号：CN114649432A

公开(公告)日：2022-06-21

申请号：CN202210298475.8

申请日：2022-03-24

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 张艳华 ,  马文全 ,  黄建亮

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/101 ,  H01L31/18

Abstract: 本公开提供一种反转型太赫兹光电探测器，包括：衬底，依次叠设于衬底上的缓冲层、第一势垒层、反转型超晶格吸收层、第二势垒层、盖层；其中，反转型超晶格吸收层包括周期性交叉叠设的InAs层和GaSb层，每一周期内叠设的InAs层GaSb层厚度需满足使得InAs层的电子能级低于GaSb层的空穴能级；且InAs层的电子能级和GaSb层的空穴能级之间交叠而发生耦合，在能级交叠处产生一个杂化带隙。反转型InAs/GaSb超晶格吸收层对太赫兹波段的电磁波吸收效率高，通过在太赫兹光电探测器中布置反转型InAs/GaSb超晶格吸收层，提高探测器对太赫兹波的探测性能。本公开还提供一种反转型太赫兹光电探测器的制备方法。

公开(公告)号：CN111477717A

公开(公告)日：2020-07-31

申请号：CN202010341299.2

申请日：2020-04-26

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 聂碧颖 ,  马文全 ,  黄建亮 ,  张艳华

IPC: H01L31/11 ,  H01L31/024 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

Abstract: 一种自制冷型锑化物超晶格红外探测器及其制备方法，自制冷型锑化物超晶格红外探测器包括：衬底；缓冲欧姆接触层，形成于所述衬底上；发射极层，形成于所述缓冲欧姆接触层上；所述发射极层包括n型重掺杂InAs/GaSb二类超晶格；微制冷区，形成于所述发射极层上；所述微制冷区由下到上依次包括AlxGa1-xSb势垒、InAs量子阱和GaSb势垒，其中，0.5＜x＜1；超晶格制冷区，形成于所述微制冷区上；所述超晶格制冷区包括InAs/GaSb本征二类超晶格；集电极层，形成于所述超晶格制冷区上。本发明使得锑化物超晶格红外探测器能在更高的温度下工作，提高锑化物超晶格红外探测器的工作性能。

公开(公告)号：CN106711289A

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201710054288.4

申请日：2017-01-22

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 黄建亮 ,  马文全 ,  张艳华

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/1832

Abstract: 一种抑制锑化物超晶格红外探测器表面泄露电流的方法，包括以下步骤：S1：在衬底上依次生长缓冲层、下欧姆接触层、光吸收层、上欧姆接触层和掩膜层，形成整体器件；S2：所述整体器件包含多个周期阵列排布的单元器件，去除单元器件部分区域的掩膜层，开出扩散窗口；S3：对单元器件的扩散窗口进行P型扩散，形成P型上欧姆接触层；S4：刻蚀整体器件的四周区域至下欧姆接触层，形成中心大台面；S5：在单元器件的P型上欧姆接触层上形成上金属电极，在下欧姆接触层表面上形成下金属电极，完成器件的制作。

公开(公告)号：CN103954819B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201410121021.9

申请日：2014-03-28

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 李琼 ,  马文全 ,  张艳华 ,  黄建亮

IPC: G01R19/00

Abstract: 本发明公开了一种近零偏时半导体红外光电探测器表面暗电流的测量方法，该方法通过在近零偏时测量出器件表面暗电流在总暗电流中所占组分比值从而根据公式得到表面暗电流的大小，其中，p为器件台面的截面周长，S为器件的台面面积，a为直线的斜率，b为直线的截距，I为所测得不同尺寸器件的I?V特性中在趋近于零的负偏压下所对应的器件总暗电流大小。

公开(公告)号：CN102569521A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201210023049.X

申请日：2012-02-02

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 曹玉莲 ,  马文全 ,  张艳华

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 一种钝化InAs/GaSb二类超晶格红外探测器制作方法，包括：采用金属化学有机气相沉积方法或分子束外延方法，在衬底上依次生长缓冲层、二类超晶格层、本征二类超晶格光吸收层、N型二类超晶格层和N型欧姆接触层，形成外延片；对外延片进行光刻，然后采用湿法腐蚀或干法刻蚀的方法，对外延片进行腐蚀或刻蚀；使用甩胶机在刻蚀后的外延片的表面上涂覆树脂材料；进行曝光；进行中烘，显影，在涂覆树脂材料的外延片上形成上电极和光进入窗口和下电极窗口，制作电极材料；对电极材料进行光刻，形成上电极和下电极；本发明是采用该制作方法钝化的器件具有较低的暗电流，ROA增加；其具有制造工艺不复杂、钝化膜强度大，钝化效果好等特点。

公开(公告)号：CN102569484A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201210027372.4

申请日：2012-02-08

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 黄建亮 ,  马文全 ,  张艳华 ,  曹玉莲

IPC: H01L31/101 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0304

Abstract: 一种InAs/GaSb二类超晶格红外探测器，包括：一衬底；一缓冲欧姆接触层，制作在衬底上；一第一二类超晶格层，制作在缓冲欧姆接触层上，使缓冲欧姆接触层上面的两侧形成台面；一本征二类超晶格光吸收层，制作在第一二类超晶格层上；一第二二类超晶格层，制作在本征二类超晶格光吸收层上；一欧姆接触层，制作在第二二类超晶格层上；一钝化层，覆盖缓冲欧姆接触层两侧的部分台面、第一二类超晶格层、本征二类超晶格光吸收层、第二二类超晶格层和欧姆接触层的侧面，及欧姆接触层上的两侧面，覆盖欧姆接触层的该钝化层的中间有一透光口，覆盖缓冲欧姆接触层的该钝化层两侧的台面上分别有一电极窗口；一上电极，制作在透光口的两侧；一下电极，制作在电极窗口内。

公开(公告)号：CN101866932B

公开(公告)日：2011-10-05

申请号：CN200910081984.X

申请日：2009-04-15

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 霍永恒 ,  马文全 ,  种明 ,  张艳华 ,  陈良惠

IPC: H01L27/144 ,  H01L31/101 ,  H01L31/0304 ,  H01L21/8252

Abstract: 一种电压调制型中长波双色量子阱红外探测器，包括：一半绝缘半导体GaAs衬底；一第一半导体GaAs接触层，制作在半绝缘半导体GaAs衬底上；一第一多量子阱红外探测器，制作在第一半导体GaAs接触层上，在第一半导体GaAs接触层的一侧形成一台面；一第二半导体GaAs接触层，制作在第一多量子阱红外探测器上；一第二多量子阱红外探测器，制作在第二半导体GaAs接触层上；一第三半导体GaAs接触层，制作在第二多量子阱红外探测器上；一上接触电极和下接触电极，分别制作在第三半导体GaAs接触上和第一半导体GaAs接触层形成的台面上。

公开(公告)号：CN101866933A

公开(公告)日：2010-10-20

申请号：CN200910081985.4

申请日：2009-04-15

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 霍永恒 ,  马文全 ,  种明 ,  张艳华 ,  陈良惠

IPC: H01L27/144 ,  H01L21/8252

Abstract: 一种两端结构中长波同时响应量子阱红外探测器，包括：一半绝缘半导体GaAs衬底；一第一半导体GaAs接触层，制作在半绝缘半导体GaAs衬底上；一第一多量子阱红外探测器，制作在第一半导体GaAs接触层上，该第一半导体GaAs接触层的一侧形成一台面；一第二半导体GaAs接触层，制作在第一多量子阱红外探测器上；一第二多量子阱红外探测器，制作在第二半导体GaAs接触层上；一第三半导体GaAs接触层，制作在第二多量子阱红外探测器上；一上接触电极和一下接触电极分别制作在第三半导体GaAs接触层上面和第一半导体GaAs接触层形成的台面上。

公开(公告)号：CN103219291A

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN201310157698.3

申请日：2013-05-02

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 崔凯 ,  马文全 ,  张艳华

IPC: H01L21/8252

Abstract: 本发明公开了一种制备基于量子点的空穴型存储器的方法，包括：在衬底上依次生长缓冲层和第一p掺杂层；在第一p掺杂层上生长p+掺杂势垒层和非掺杂势垒层，形成二维空穴气；在二维空穴气上依次生长第一非掺杂空间层、具有II类异质结构的量子点层和第二非掺杂空间层；在第二非掺杂空间层上生长第二p掺杂层；在第二p掺杂层上生长n+掺杂层；通过工艺技术制造数据擦写端口和数据读取端口，形成空穴型量子点存储器。利用本发明，实现的存储器作为一种新型的存储器概念，具有寿命长、读写速度快、存储时间长等优势，在下一代非挥发高性能存储器的研制中具有很大潜力，有望取代目前广泛使用的动态随机存储器(DRAM)和FLASH存储器。

公开(公告)号：CN102544229A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201210036863.5

申请日：2012-02-17

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 卫炀 ,  马文全 ,  张艳华 ,  曹玉莲

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种制备甚长波InAs/GaSb二类超晶格红外探测器材料的方法，该方法是在半绝缘GaSb衬底上依次生长P型掺杂的GaSb缓冲层、P型掺杂的中波InAs/GaSb二类超晶格层、非掺杂的甚长波InAs/GaSb二类超晶格层、N型掺杂的中波InAs/GaSb二类超晶格层以及N型掺杂的InAs上接触层，得到甚长波InAs/GaSb二类超晶格红外探测器材料。利用本发明，由于在界面设计中增加了精心设计的“Sb-soak”和“生长中断”，所以超晶格材料质量进一步得到提高。