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公开(公告)号：CN119729987A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202510075674.6
申请日：2025-01-17
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: H05H3/06
Abstract: 本发明提供一种直流高压脉冲工作强流脉冲中子发生器，涉及中子发生器技术领域，包括主弧电源模块(3)、高压加速电源模块(9)和中子管(12)，本发明的中子发生器采用直流高压加速、脉冲模式工作的强流脉冲中子发生器工作和驱动方式，能够实现脉冲参数可调，且实现更加简单，将中子脉宽从亚μs拓宽到数ms，有助于拓宽强流脉冲中子发生器的应用领域，比如ms级的强流脉冲中子源可以应用在基于中子活化的质量流速及成分测量。
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公开(公告)号：CN118315867A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410538320.6
申请日：2024-04-30
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: H01R13/639 , H01R13/52 , H01R13/621 , H01R43/00 , H01R43/20
Abstract: 本发明涉及高压电缆插头技术领域，具体涉及一种用于电子束焊机的高压电缆插头及其制备方法，包括：电缆头插针、环氧树脂头、电缆头固定环、高压电缆、电缆头压筒、电缆头压环法兰，电缆头插针连接在环氧树脂头的顶端，高压电缆连接在环氧树脂头的底端，电缆头固定环与环氧树脂头的底端连接；电缆头压筒与高压电缆固定连接，电缆头压筒的端面与电缆头固定环的端面连接；电缆头压环法兰与电缆头压筒连接；本发明可以保证电缆头环氧树脂与插座的侧接触面完全且紧密贴合，保证了高压电缆插头的耐高压能力和使用可靠性；同时，通过电缆头固定环、电缆头压筒以及电缆头压环法兰保证了与高压电缆插座的连接稳定性。
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公开(公告)号：CN117645504A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202311673105.9
申请日：2023-12-07
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
Abstract: 本申请提供了一种铁氧体陶瓷金属化及钎焊的方法，包括：将BaCO3粉末、SiO2粉末、CaO粉末、MgO粉末以及Al2O3粉末混合后在1300～1400℃下煅烧1～2小时，取出依次进行水淬和研磨，得到低温共熔物；将Ag粉末、CuO粉末以及低温共熔物混合研磨后与有机物制成膏体，将膏体涂覆于铁氧体陶瓷表面，烘干后进行2个阶段的煅烧，最后自然冷却至室温，得到金属化铁氧体陶瓷，将金属化铁氧体陶瓷、焊料以及金属装配进行钎焊。无机氧化物在金属化烧结过程中金属化层，与Ag在烧结后可以长期在800℃以上的高温工作，金属化层可以耐受银基焊料及常用的低温焊料的溶蚀，有效实现金属化后铁氧体陶瓷与金属的钎焊。
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公开(公告)号：CN107225336A
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201710585204.X
申请日：2017-07-18
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: B23K31/02 , B23K37/00 , B23K103/18
CPC classification number: B23K31/02 , B23K37/00 , B23K2103/18
Abstract: 本发明公开了一种铁氧体与金属的焊接方法，包括以下步骤：1)、在铁氧体表面涂银进行烧渗形成银层；2)、在所述银层外覆盖阻挡层；3)、将焊料置于铁氧体与金属基体之间进行焊接，制得铁氧体与金属的焊接部件。本发明通过在银层外包裹阻挡层，不仅可以实现铁氧体与金属的牢固焊接，而且可以有效解决焊料对银层熔蚀的问题，能够提高焊接部件的工作温度，能够保证铁氧体和金属的有效贴合面积，确保满足导热和力学等要求，并进一步拓展其在高真空领域的应用。
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公开(公告)号：CN106544628B
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201710017958.5
申请日：2017-01-11
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
Abstract: 本发明公开了本发明一种含氘金属薄膜靶的制备方法，首先选用高纯钼或者高纯铜作为含氘金属薄膜靶的衬底材料并对衬底材料进行表面预处理；其次将衬底基片安装放入物理气相沉积PVD真空镀膜机内，并用氩离子轰击衬底表面，溅射掉衬底表面的氧化层；第三，设置衬底的镀膜温度，真空腔内通入高纯氘气，启动镀膜机，直接制备形成含氘金属薄膜，第四，关闭镀膜机，但继续向真空腔室内通入氘气，直至腔体内达到合适的气压才关闭氘气流量计。本发明提高了含氘金属薄膜靶的力学性能，有效控制了脆性、裂纹的发生，增加了靶膜的附着力；同时降低了表面死层厚度，提高靶膜纯度，提高了中子发生器的中子产额，延长了靶的使用寿命。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108658627A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201810555372.9
申请日：2018-06-01
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: C04B41/88 , C04B35/581
Abstract: 本发明公开了一种氮化铝陶瓷的金属化方法，包括以下步骤：1)、制备活化Mo-Mn粉末；2)、加入有机载体，将活化Mo-Mn粉末配成金属化膏剂；3)、在氮化铝陶瓷表面涂覆金属化膏剂；4)、陶瓷氧化与金属化层烧结：在低温下通入干氢或氢氮混合气体，在900℃后通入湿氢或湿氢氮混合气体，并在900～1100℃保温30～90min，露点控制在15±5℃，在氮化铝陶瓷表面出现氧化铝层；然后继续升温，在1400～1500℃保温45～90min，升温阶段通入干氢或氢氮混合气体，控制露点为5±10℃。本发明解决采用现有活化Mo-Mn法对氮化铝陶瓷进行金属化处理导致氮化铝陶瓷氧化过度、在烧结过程中氮化铝陶瓷易发生水解的问题，且氧化和烧结一步完成，制备的氮化铝陶瓷-金属封接件封接强度较高，气密性良好。
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公开(公告)号：CN212277621U
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN202021275612.9
申请日：2020-07-03
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
Abstract: 本实用新型公开了一种伪火花开关，包括伪火花开关本体，该伪火花开关本体包括阴极封接件、绝缘外壳、空心阴极、空心阳极和阳极封接件，该伪火花开关还包括触发极、绝缘体、触发电源和放电电路，以实现通过放电电路放电触发伪火花开关工作，提高伪火花开关的工作效率，使得伪火花开关可以适用于对时间要求高的工作场景中。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN211720806U
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN202020286136.4
申请日：2020-03-10
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
Abstract: 本实用新型公开了电子加速器用旋转式X射线透射转换靶，包括真空腔体、旋转靶和轴承组件；其中，所述旋转靶安装在所述轴承组件上，由所述轴承组件带动所述旋转靶在真空腔体内作高速旋转运动；从加速器中输出的电子束沿着真空腔体的束流管道轰击旋转靶靶面外缘，部分能量转换为X射线经真空腔体上的透射窗出射到工作区域，且通过旋转靶的高速旋转使得剩余能量以热量的形式沉积到旋转靶外缘上的一条环形区域。本实用新型通过高速旋转的方式，在不改变电子束轰击位置的情况下，将电子束沉积的功率分散到整个靶上，从而降低电子束轰击区域的温度，避免转换靶烧蚀损耗。
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公开(公告)号：CN211457490U
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN201922198032.8
申请日：2019-12-10
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: H05H7/00
Abstract: 本实用新型公开了一种大功率电子加速器用旋转式液冷X射线透射转换靶，包括真空腔体、旋转靶和轴承组件；旋转靶安装在所述轴承组件上，由轴承组件带动旋转靶在真空腔体内作高速旋转运动；从加速器中输出的电子束沿着束流管道注入，通过电子透射窗后轰击旋转靶靶面外缘，部分能量转换为X射线经X射线输出窗出射到工作区域，且通过旋转靶的高速旋转使得剩余能量以热量的形式沉积到旋转靶外缘上的一条环形区域；所述真空腔体设有冷却液入口和冷却液出口，冷却液经冷却液入口流入真空腔体内，与高速旋转的旋转靶之间进行热交换后从冷却液出口流出。本实用新型采用高速旋转与冷却结合的方式，大大降低了电子束轰击区域的温度，避免转换靶烧蚀损坏。
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公开(公告)号：CN219553569U
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202320018715.4
申请日：2023-01-05
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
Abstract: 本实用新型公开了一种整体旋转寻址工作的X射线管，包括绝缘管壳、阴极组件和阳极组件，所述阴极组件和阳极组件均设置在所述绝缘管壳上，且所述阴极组件和阳极组件与所述绝缘管壳同步旋转。相较于现有大功率X射线源采用真空轴承驱动旋转靶，真空轴承技术难度大，成本高，而且散热效率低的问题；本实用新型提出的整管旋转X射线管无需采用真空轴承，易于实现，成本低。同时本实用新型的X射线管热量传递路径短，可以快速将沉积在阳极靶上的热量传递到管壳外部进行冷却散热，大大提高了散热效率。
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