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公开(公告)号：CN108896596A
公开(公告)日：2018-11-27
申请号：CN201811086081.6
申请日：2018-09-18
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: G01N23/2204
Abstract: 本发明公开了一种用于介质材料二次电子发射系数测量的样品测试载台，包括载台本体，所述载台本体包括样品安装段、绝缘段及连接段，所述样品安装段与连接段通过绝缘段串联，且所述绝缘段作为样品安装段与连接段之间的绝缘部件；还包括设置在样品安装段上的法拉第筒。该样品测试载台可以方便准确地测定入射脉冲电子信号，降低被测信号受到的干扰，从而提高介质材料二次电子发射系数的测量准确度。
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公开(公告)号：CN118315867A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410538320.6
申请日：2024-04-30
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: H01R13/639 , H01R13/52 , H01R13/621 , H01R43/00 , H01R43/20
Abstract: 本发明涉及高压电缆插头技术领域，具体涉及一种用于电子束焊机的高压电缆插头及其制备方法，包括：电缆头插针、环氧树脂头、电缆头固定环、高压电缆、电缆头压筒、电缆头压环法兰，电缆头插针连接在环氧树脂头的顶端，高压电缆连接在环氧树脂头的底端，电缆头固定环与环氧树脂头的底端连接；电缆头压筒与高压电缆固定连接，电缆头压筒的端面与电缆头固定环的端面连接；电缆头压环法兰与电缆头压筒连接；本发明可以保证电缆头环氧树脂与插座的侧接触面完全且紧密贴合，保证了高压电缆插头的耐高压能力和使用可靠性；同时，通过电缆头固定环、电缆头压筒以及电缆头压环法兰保证了与高压电缆插座的连接稳定性。
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公开(公告)号：CN117645504A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202311673105.9
申请日：2023-12-07
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
Abstract: 本申请提供了一种铁氧体陶瓷金属化及钎焊的方法，包括：将BaCO3粉末、SiO2粉末、CaO粉末、MgO粉末以及Al2O3粉末混合后在1300～1400℃下煅烧1～2小时，取出依次进行水淬和研磨，得到低温共熔物；将Ag粉末、CuO粉末以及低温共熔物混合研磨后与有机物制成膏体，将膏体涂覆于铁氧体陶瓷表面，烘干后进行2个阶段的煅烧，最后自然冷却至室温，得到金属化铁氧体陶瓷，将金属化铁氧体陶瓷、焊料以及金属装配进行钎焊。无机氧化物在金属化烧结过程中金属化层，与Ag在烧结后可以长期在800℃以上的高温工作，金属化层可以耐受银基焊料及常用的低温焊料的溶蚀，有效实现金属化后铁氧体陶瓷与金属的钎焊。
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公开(公告)号：CN113529041A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110791204.1
申请日：2021-07-13
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
Abstract: 本发明公开了抑制绝缘介质材料二次电子发射的离子束注入装置及方法，离子束注入装置包括真空弧离子束源系统、真空辅助系统和离子注入靶盘系统，所述真空弧离子束源系统包括离子束高压加速电源、离子束引出电源、等离子体电源、真空弧离子源和接地栅网。通过在绝缘介质材料表面注入能量为几十至一百keV的金属离子，通过离子束注入，在材料表面离子束射程范围内，产生离子束辐照缺陷，提高材料内部真二次电子与载流子碰撞损失能量，进而被辐照缺陷俘获的概率，从而显著降低材料的二次电子产额。
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公开(公告)号：CN113533404B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202110789989.9
申请日：2021-07-13
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: G01N23/2251
Abstract: 本发明公开了一种绝缘介质材料二次电子产额测试方法及应用，测试方法包括以下步骤：S1、采用脉冲电子束轰击样品表面考察样品表面正电荷积聚对二次电子发射过程的影响并确定电荷中和操作的次数；S2、基于电荷中和操作的次数测定样品的二次电子产额。本发明的测试方法是基于双层栅网球形二次电子收集器；本发明的二次电子产额测试方法，可以有效对绝缘介质材料表面二次电子发射后积聚的正电荷进行补偿，防止积聚电荷影响二次电子发射带来测试误差；电荷补偿的效果不受材料二次电子产额大小以及样品厚度等因素影响，测试方法的准确性没有适用范围的限制；可以同时测得绝缘介质材料样品的真二次电子产额、背散射电子产额和总二次电子产额。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108896594A
公开(公告)日：2018-11-27
申请号：CN201811087187.8
申请日：2018-09-18
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: G01N23/2202
Abstract: 本发明公开了一种材料二次电子发射特性测量样品预处理装置，包括真空腔体及真空泵，还包括加热装置，所述加热装置包括底桶及压盖；还包括驱动部，所述驱动部用于驱动压盖沿着底桶开口端的朝向方向运动；还包括样品存储台，在所述压盖扣合于底桶开口端上时，所述样品存储台位于底桶与压盖两者所围成的空间内；还包括抓取转运部及闸门部，所述闸门部作为所述封闭空间与真空腔体外侧的通道；所述加热装置用于对底桶与压盖两者所围成的空间进行加热。该预处理装置不仅能够有效消除样品表面吸附气体与挥发性有机沾染物对材料二次电子发射特性测量的影响，同时其结构设计可有效避免样品由预处理腔转移至测量腔过程中受到二次污染。
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公开(公告)号：CN217608024U
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202221232911.3
申请日：2022-05-20
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: H05G1/54
Abstract: 本实用新型公开了一种绝缘屏蔽结构、绝缘件及X射线管阴极结构，包括焊接环，所述焊接环用于设置在X射线管绝缘件轴向一端或轴向两端，焊接环的轴向端面与对应绝缘件的端面焊接连接；所述焊接环的内周向侧边内翻伸入绝缘件内，呈伸入绝缘件内的内环结构。本实用新型具有良好的屏蔽作用，降低了三相点的电场强度，利于对三相点进行有效地保护屏蔽。
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公开(公告)号：CN208721594U
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201821523191.X
申请日：2018-09-18
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: G01N23/2202
Abstract: 本实用新型公开了一种材料二次电子发射特性测量样品预处理装置，包括真空腔体及真空泵，还包括加热装置，所述加热装置包括底桶及压盖；还包括驱动部，所述驱动部用于驱动压盖沿着底桶开口端的朝向方向运动；还包括样品存储台，在所述压盖扣合于底桶开口端上时，所述样品存储台位于底桶与压盖两者所围成的空间内；还包括抓取转运部及闸门部，所述闸门部作为所述封闭空间与真空腔体外侧的通道；所述加热装置用于对底桶与压盖两者所围成的空间进行加热。该预处理装置不仅能够有效消除样品表面吸附气体与挥发性有机沾染物对材料二次电子发射特性测量的影响，同时其结构设计可有效避免样品由预处理腔转移至测量腔过程中受到二次污染。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN217239379U
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202221241088.2
申请日：2022-05-23
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
Abstract: 本实用新型公开了一种X射线源及其水平场致发射结构，该水平场致发射结构包括基体、阴极和栅极；所述阴极和栅极布置在所述基体的同一表面，形成阴极‑栅极对；所述栅极用于将所述阴极发射来的电子转换为二次电子。相较于现有的垂直场致发射结构，本实用新型采用阴极‑栅极对水平布置和二次电子效应，可以获得制备工艺简单，耐受离子轰击的场致发射阴极。
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公开(公告)号：CN217405364U
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202221251134.7
申请日：2022-05-20
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
Abstract: 本实用新型公开了一种旋转阳极热屏蔽结构，包括阳极靶、转子铜套和轴承，轴承通过转子铜套与阳极靶连接，在阳极靶与转子铜套之间设有热屏蔽体，所述热屏蔽体采用N层热屏蔽层依次堆叠的结构，所述N为≥1的正整数。本实施例提供的热屏蔽结构，可有效降低工作时轴承的温度，减小轴承的热损伤，从而延长轴承的使用寿命，可提高X光管、CT球管的可靠性和使用寿命。
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