公开(公告)号：CN101752244A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200910253426.7

申请日：2002-01-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 菅原卓也 ,  中西敏雄 ,  尾﨑成则 ,  松山征嗣 ,  村川惠美 ,  多田吉秀

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/28 ,  C23C16/56 ,  C23C16/40

CPC classification number: C23C16/56 ,  C23C16/401 ,  C23C16/402 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31658 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法。该方法包括：在衬底上形成绝缘膜的工序；和将该衬底上所形成的绝缘膜暴露在等离子体中，从而将所述绝缘膜改性的工序，其中所述等离子体是基于经过天线部件的微波照射而由处理气体生成的，其中，所述处理气体包括稀有气体，和氧气、氮气以及氢气中的至少一种。

公开(公告)号：CN100373560C

公开(公告)日：2008-03-05

申请号：CN03813333.4

申请日：2003-03-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 松山征嗣 ,  菅原卓也 ,  尾﨑成则 ,  中西敏雄 ,  佐佐木胜

IPC: H01L21/318 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/28167 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31662 ,  H01L29/518 ,  H01L29/7833

Abstract: 一种基板处理方法，通过微波等离子体氮化处理氮化在硅基板表面上形成的氧化膜来形成氧氮化膜，可避免损伤氧氮化膜，抑制硅基板和氧氮化膜的界面处的氧化膜的再生长，使氧化膜换算膜厚减少。所述氮化处理工序是在下述条件下进行的：将所述微波激励等离子体的电子温度设定为2eV以下，将保持所述被处理基板的处理空间中的氧滞留时间设定为2秒以下。

公开(公告)号：CN101006566A

公开(公告)日：2007-07-25

申请号：CN200580027487.1

申请日：2005-08-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 新实宽明 ,  路吉·克罗姆伯 ,  下村晃司 ,  菅原卓也 ,  松土龙夫

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/28 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/022 ,  H01L21/02142 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/3165 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

Abstract: 通过暴露于等离子体来改进栅极电介质叠层(1)的方法和系统。该方法包括：提供具有形成在衬底(10，125)上的高k层(30)的栅极电介质叠层(1)；由包含惰性气体和含氧气体或含氮气体中的一种的处理气体生成等离子体，选择所述处理气体的压力以控制所述等离子体中的中性自由基相对于离子自由基的量；通过使所述叠层(1)暴露于所述等离子体来改进所述栅极电介质叠层(1)。

公开(公告)号：CN1967787A

公开(公告)日：2007-05-23

申请号：CN200610162324.0

申请日：2003-03-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 菅原卓也 ,  多田吉秀 ,  中村源志 ,  尾﨑成则 ,  中西敏雄 ,  佐佐木胜 ,  松山征嗣 ,  长谷部一秀 ,  中岛滋 ,  藤原友纪

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/28 ,  H01L29/51

CPC classification number: H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/31662 ,  H01L28/56 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 对配置于电子器件用基底材料上的绝缘膜的表面照射基于处理气体的等离子体，从而在该绝缘膜和电子器件用基底材料的界面上形成基底膜，其中所述处理气体含有至少包括氧原子的气体。在绝缘膜和电子器件用基底材料之间的界面上，可以得到使该绝缘膜特性提高的优质底层膜。

公开(公告)号：CN1633702A

公开(公告)日：2005-06-29

申请号：CN02824972.0

申请日：2002-12-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 菅原卓也 ,  松山征嗣 ,  佐佐木胜

IPC: H01L21/324 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/28194 ,  H01L21/28176 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3003 ,  H01L27/10873 ,  H01L29/518

Abstract: 本发明提供了一种将形成有半导体元件的用于电子器件的衬底曝露于氢基(包括重氢基)中的衬底处理方法，在所述方法中，通过等离子体来激发所述氢基，所述等离子体是向平面天线辐射微波而形成的。

公开(公告)号：CN101651100A

公开(公告)日：2010-02-17

申请号：CN200910161097.3

申请日：2009-08-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 石田义弘 ,  原田豪繁 ,  菅原卓也

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/00 ,  C23C16/40

CPC classification number: H01L21/31641 ,  C23C16/40 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45546

Abstract: 本发明提供一种成膜方法及成膜装置。成膜方法向能保持真空的处理容器内插入被处理体，形成为将处理容器内保持真空的状态；通过对形成ZrO 2 膜时的锆原料和氧化剂的供给次数及形成SiO 2 膜时的硅原料和氧化剂的供给次数进行调整来进行形成ZrO 2 膜的工序和形成SiO 2 膜的工序，使得膜中的Si浓度为1～4atm％，形成ZrO 2 膜的工序是向处理容器内交替地多次供给锆原料和氧化剂而在基板上形成ZrO 2 膜的工序，形成SiO 2 膜的工序是向处理容器内交替地1次或多次供给硅原料和氧化剂而在基板上形成SiO 2 膜的工序；将上述供给次数的ZrO 2 膜成膜和SiO 2 膜成膜作为1个循环，进行该循环1个以上而形成规定膜厚的氧化锆系膜。

公开(公告)号：CN101399198A

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN200810171103.9

申请日：2002-01-22

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 菅原卓也 ,  中西敏雄 ,  尾﨑成则 ,  松山征嗣 ,  村川惠美 ,  多田吉秀

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/285 ,  C23C16/40

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C8/02 ,  C23C8/34 ,  C23C8/36 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/2807 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/32055

Abstract: 一种采用SiO2膜及SiON膜作为具有极薄(例如2.5nm以下)膜厚的绝缘膜、采用多晶硅、非晶硅、SiGe作为电极的具有良好电气特性的电子器件(例如高性能MOS型半导体器件)结构的制造方法。在包含氧以及稀有气体的处理气体的存在下，通过由平面天线部件SPA在使以Si为主要成分的晶片W上照射微波，形成包含氧以及稀有气体的等离子体(或者包含氮以及稀有气体的等离子体、或者包含氮、稀有气体以及氢的等离子体)。利用此等离子体在所述晶片表面形成氧化膜(或者氮氧化膜)，根据需要形成多晶硅、非晶硅、SiGe的电极并形成电子器件结构。

公开(公告)号：CN100390945C

公开(公告)日：2008-05-28

申请号：CN03802592.2

申请日：2003-03-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 菅原卓也 ,  多田吉秀 ,  中村源志 ,  尾﨑成则 ,  中西敏雄 ,  佐佐木胜 ,  松山征嗣 ,  长谷部一秀 ,  中岛滋 ,  藤原友纪

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/31662 ,  H01L28/56 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 对配置于电子器件用基底材料上的绝缘膜的表面照射基于处理气体的等离子体，从而在该绝缘膜和电子器件用基底材料的界面上形成基底膜，其中所述处理气体含有至少包括氧原子的气体。在绝缘膜和电子器件用基底材料之间的界面上，可以得到使该绝缘膜特性提高的优质底层膜。

公开(公告)号：CN1620720A

公开(公告)日：2005-05-25

申请号：CN03802592.2

申请日：2003-03-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 菅原卓也 ,  多田吉秀 ,  中村源志 ,  尾﨑成则 ,  中西敏雄 ,  佐佐木胜 ,  松山征嗣 ,  长谷部一秀 ,  中岛滋 ,  藤原友纪

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/31662 ,  H01L28/56 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 对配置于电子器件用基底材料上的绝缘膜的表面照射基于处理气体的等离子体，从而在该绝缘膜和电子器件用基底材料的界面上形成基底膜，其中所述处理气体含有至少包括氧原子的气体。在绝缘膜和电子器件用基底材料之间的界面上，可以得到使该绝缘膜特性提高的优质底层膜。

公开(公告)号：CN102703877A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201210082649.3

申请日：2012-03-26

Applicant: 尔必达存储器株式会社 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 两角友一朗 ,  菅原卓也 ,  秋山浩二 ,  菱屋晋吾 ,  广田俊幸 ,  清村贵利

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  H01L21/316 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L21/02189 ,  C23C16/18 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45529 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0228 ,  H01L28/40 ,  H01L29/66181

Abstract: 本发明涉及成膜含有氧化锆膜的电介质膜的方法，该方法具有：供给由在结构中含有环戊二烯基环的锆化合物构成的锆原料和氧化剂，在被处理基板上成膜氧化锆膜的工序；供给由在结构中含有环戊二烯基环的钛化合物构成的钛原料和氧化剂，在上述氧化锆膜上成膜氧化钛膜的工序。