公开(公告)号：CN102263027B

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201110141591.0

申请日：2011-05-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 原田豪繁 ,  两角友一朗 ,  菱屋晋吾

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02189 ,  H01L21/02159 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0228 ,  H01L28/40

Abstract: 本发明提供一种成膜方法和成膜装置。向能保持真空的处理容器内搬入被处理体，将处理容器内保持为真空的状态，通过分别调整第1工序的次数和第2工序的次数地实施该第1工序和第2工序，一边控制膜中的Si浓度一边形成规定膜厚的氧化锆系膜，该第1工序为，向处理容器内以锆原料、氧化剂的顺序依次供给锆原料和氧化剂，从而在被处理体上形成ZrO膜；该第2工序为，向上述处理容器内以锆原料、硅原料、氧化剂的顺序依次供给锆原料、硅原料和氧化剂，从而在被处理体上形成掺杂有Si的ZrO膜。

公开(公告)号：CN103339733A

公开(公告)日：2013-10-02

申请号：CN201280006501.X

申请日：2012-01-23

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  先进动力设备技术研究协会 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 寺本章伸 ,  神林宏 ,  上田博一 ,  两角友一朗 ,  原田豪繁 ,  长谷部一秀 ,  大见忠弘

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/31 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/786 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L21/02274 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/28264 ,  H01L23/564 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/51 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7787 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的半导体器件的制造方法是具有构成半导体层的GaN（氮化镓）的半导体器件的制造方法，其包括栅极绝缘膜形成工序（F），在具有GaN的氮化物层上，使用微波等离子体，形成由SiO2膜和Al2O3膜构成的组之中的至少一种膜，使所形成的膜成为栅极绝缘膜的至少一部分。

公开(公告)号：CN101651100B

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN200910161097.3

申请日：2009-08-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 石田义弘 ,  原田豪繁 ,  菅原卓也

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/00 ,  C23C16/40

CPC classification number: H01L21/31641 ,  C23C16/40 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45546

Abstract: 本发明提供一种成膜方法及成膜装置。成膜方法向能保持真空的处理容器内插入被处理体，形成为将处理容器内保持真空的状态；通过对形成ZrO2膜时的锆原料和氧化剂的供给次数及形成SiO2膜时的硅原料和氧化剂的供给次数进行调整来进行形成ZrO2膜的工序和形成SiO2膜的工序，使得膜中的Si浓度为1～4atm％，形成ZrO2膜的工序是向处理容器内交替地多次供给锆原料和氧化剂而在基板上形成ZrO2膜的工序，形成SiO2膜的工序是向处理容器内交替地1次或多次供给硅原料和氧化剂而在基板上形成SiO2膜的工序；将上述供给次数的ZrO2膜成膜和SiO2膜成膜作为1个循环，进行该循环1个以上而形成规定膜厚的氧化锆系膜。

公开(公告)号：CN102655085A

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN201210048533.8

申请日：2012-02-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 两角友一朗 ,  菱屋晋吾 ,  原田豪繁

IPC: H01L21/285 ,  C23C16/34

CPC classification number: C23C16/45553 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45542 ,  H01L21/28562

Abstract: 本发明提供氮化钛膜的形成方法和氮化钛膜的形成装置。在氮化钛膜的形成方法中，首先，利用升温用加热器将收容有半导体晶圆的反应管内加热到200℃～350℃。接着，向反应管内供给含有钛原料的成膜用气体而在半导体晶圆上形成氮化钛膜。该钛原料采用不含有氯原子而含有钛的甲基环戊二烯基三(二甲基氨基)钛。

公开(公告)号：CN101800162A

公开(公告)日：2010-08-11

申请号：CN201010106498.1

申请日：2010-01-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 石井胜利 ,  石田义弘 ,  原田豪繁 ,  古屋治彦

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/316 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C16/45578 ,  C23C16/46 ,  H01L21/67109

Abstract: 本发明提供一种立式热处理装置用的构成构件、立式热处理装置及保温筒。用于通过堆积方式形成由金属氧化物构成的高电介质膜的立式热处理装置包括：反应容器，构成为以使多个被处理基板上下设有间隔地层叠的状态收纳该多个被处理基板；支承构件，用于在反应容器内支承被处理基板；加热器，用于对反应容器内的被处理基板进行加热；排气系统，用于对反应容器内进行排气；以及气体供给系统，用于对反应容器内供给金属源气体和氧化气体，气体供给系统包括配设在反应容器内的气体喷嘴，气体喷嘴由以钛为主要成分的金属构成。

公开(公告)号：CN103339733B

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201280006501.X

申请日：2012-01-23

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  东京毅力科创株式会社 ,  富士电机株式会社

Inventor： 寺本章伸 ,  神林宏 ,  上田博一 ,  两角友一朗 ,  原田豪繁 ,  长谷部一秀 ,  大见忠弘

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/31 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/786 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L21/02274 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/28264 ,  H01L23/564 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/51 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7787 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的半导体器件的制造方法是具有构成半导体层的GaN（氮化镓）的半导体器件的制造方法，其包括栅极绝缘膜形成工序（F），在具有GaN的氮化物层上，使用微波等离子体，形成由SiO2膜和Al2O3膜构成的组之中的至少一种膜，使所形成的膜成为栅极绝缘膜的至少一部分。

公开(公告)号：CN102263027A

公开(公告)日：2011-11-30

申请号：CN201110141591.0

申请日：2011-05-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 原田豪繁 ,  两角友一朗 ,  菱屋晋吾

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02189 ,  H01L21/02159 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0228 ,  H01L28/40

Abstract: 本发明提供一种成膜方法和成膜装置。向能保持真空的处理容器内搬入被处理体，将处理容器内保持为真空的状态，通过分别调整第1工序的次数和第2工序的次数地实施该第1工序和第2工序，一边控制膜中的Si浓度一边形成规定膜厚的氧化锆系膜，该第1工序为，向处理容器内以锆原料、氧化剂的顺序依次供给锆原料和氧化剂，从而在被处理体上形成ZrO膜；该第2工序为，向上述处理容器内以锆原料、硅原料、氧化剂的顺序依次供给锆原料、硅原料和氧化剂，从而在被处理体上形成掺杂有Si的ZrO膜。

公开(公告)号：CN101651100A

公开(公告)日：2010-02-17

申请号：CN200910161097.3

申请日：2009-08-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 石田义弘 ,  原田豪繁 ,  菅原卓也

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/00 ,  C23C16/40

CPC classification number: H01L21/31641 ,  C23C16/40 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45546

Abstract: 本发明提供一种成膜方法及成膜装置。成膜方法向能保持真空的处理容器内插入被处理体，形成为将处理容器内保持真空的状态；通过对形成ZrO 2 膜时的锆原料和氧化剂的供给次数及形成SiO 2 膜时的硅原料和氧化剂的供给次数进行调整来进行形成ZrO 2 膜的工序和形成SiO 2 膜的工序，使得膜中的Si浓度为1～4atm％，形成ZrO 2 膜的工序是向处理容器内交替地多次供给锆原料和氧化剂而在基板上形成ZrO 2 膜的工序，形成SiO 2 膜的工序是向处理容器内交替地1次或多次供给硅原料和氧化剂而在基板上形成SiO 2 膜的工序；将上述供给次数的ZrO 2 膜成膜和SiO 2 膜成膜作为1个循环，进行该循环1个以上而形成规定膜厚的氧化锆系膜。