公开(公告)号：CN102703877A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201210082649.3

申请日：2012-03-26

Applicant: 尔必达存储器株式会社 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 两角友一朗 ,  菅原卓也 ,  秋山浩二 ,  菱屋晋吾 ,  广田俊幸 ,  清村贵利

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  H01L21/316 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L21/02189 ,  C23C16/18 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45529 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0228 ,  H01L28/40 ,  H01L29/66181

Abstract: 本发明涉及成膜含有氧化锆膜的电介质膜的方法，该方法具有：供给由在结构中含有环戊二烯基环的锆化合物构成的锆原料和氧化剂，在被处理基板上成膜氧化锆膜的工序；供给由在结构中含有环戊二烯基环的钛化合物构成的钛原料和氧化剂，在上述氧化锆膜上成膜氧化钛膜的工序。

公开(公告)号：CN101341584A

公开(公告)日：2009-01-07

申请号：CN200680048312.3

申请日：2006-11-22

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 山崎和良 ,  青山真太郎 ,  秋山浩二

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/67207 ,  H01L21/268 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/318

Abstract: 本发明提供一种高电介质薄膜的改性方法和半导体装置，在使用有机金属化合物材料、在被处理体的表面上形成的高电介质薄膜的改性方法中，包括：准备在表面上形成有上述高电介质薄膜的上述被处理体的准备工序；和维持上述被处理体在规定的温度，并在非活性气体的气氛中对上述高电介质薄膜照射紫外线，由此进行上述高电介质薄膜的改性的改性工序。由此，能够使碳成分从高电介质薄膜中脱离，并且使整体热压配合而提高密度，防止缺损的发生，而且能够提高膜密度，从而提高介电常数，能够得到较高的电特性。

公开(公告)号：CN119895550A

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202380067090.3

申请日：2023-09-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 池尻将拓 ,  秋山浩二 ,  藤原直宪 ,  山崎和良

IPC: H01L21/316 ,  H10B12/00

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，其具有如下步骤：在基板上形成下部电极；在下部电极上形成由包含4价金属阳离子的氧化物构成的高介电常数膜；在高介电常数膜上形成由包含5价金属阳离子的氧化物构成的氧化物膜；通过使高介电常数膜与氧化物膜反应，形成包含4价金属阳离子的氧化物与包含5价金属阳离子的氧化物混合而成的具有导电性的混合层；以及形成上部电极。

公开(公告)号：CN101356626A

公开(公告)日：2009-01-28

申请号：CN200680047198.2

申请日：2006-11-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 山崎英亮 ,  秋山浩二 ,  山崎和良 ,  河野有美子

IPC: H01L21/28 ,  C23C16/56 ,  H01L21/285 ,  H01L29/78

CPC classification number: C23C16/16 ,  C23C8/16 ,  C23C8/36 ,  C23C16/56 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28176 ,  H01L29/495 ,  H01L29/517

Abstract: 本发明提供一种金属类膜的脱碳处理方法、成膜方法和半导体装置的制造方法，在作为半导体基板的Si基板(1)上形成栅极绝缘膜(2)，接着在栅极绝缘膜(2)上通过使用包含W(CO)6气体的成膜气体的CVD形成W类膜(3a)。然后，在存在有还原性气体的条件下进行氧化处理，不使W类膜(3a)中的W被氧化而仅使C被选择性地氧化，从而使W类膜(3a)中所包含的C浓度降低。其后，根据需要，在实施热处理后，进行抗蚀剂涂敷、制作布线图案、蚀刻等，而且通过离子注入等形成杂质扩散区域(10)，由此形成MOS结构的半导体装置。

公开(公告)号：CN101356626B

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN200680047198.2

申请日：2006-11-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 山崎英亮 ,  秋山浩二 ,  山崎和良 ,  河野有美子

IPC: H01L21/28 ,  C23C16/56 ,  H01L21/285 ,  H01L29/78

CPC classification number: C23C16/16 ,  C23C8/16 ,  C23C8/36 ,  C23C16/56 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28176 ,  H01L29/495 ,  H01L29/517

Abstract: 本发明提供一种金属类膜的脱碳处理方法、成膜方法和半导体装置的制造方法，在作为半导体基板的Si基板(1)上形成栅极绝缘膜(2)，接着在栅极绝缘膜(2)上通过使用包含W(CO)6气体的成膜气体的CVD形成W类膜(3a)。然后，在存在有还原性气体的条件下进行氧化处理，不使W类膜(3a)中的W被氧化而仅使C被选择性地氧化，从而使W类膜(3a)中所包含的C浓度降低。其后，根据需要，在实施热处理后，进行抗蚀剂涂敷、制作布线图案、蚀刻等，而且通过离子注入等形成杂质扩散区域(10)，由此形成MOS结构的半导体装置。

公开(公告)号：CN1270358C

公开(公告)日：2006-08-16

申请号：CN02809018.7

申请日：2002-02-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 菱屋晋吾 ,  秋山浩二 ,  古泽纯和 ,  青木公也

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02299 ,  H01L21/31658 ,  H01L21/31662 ,  Y10S438/909

Abstract: 一种氧化膜形成方法，有利于在整个晶片上形成膜厚和膜质量的均匀性都很高的优质氧化膜。氧化膜形成方法包括前处理工序和氧化膜形成工序，前处理工序是在减压条件下，利用活性氧化晶种或含有活性氧化晶种的气氛对配置在反应容器内的晶片进行氧化处理，在晶片的表面上形成保护氧化膜；氧化膜形成工序是在减压条件下以规定温度对晶片进行氧化处理，形成氧化膜。氧化膜形成工序最好是在进行前处理工序的反应容器内和前处理工序连续进行。前处理工序最好在比氧化膜形成工序的温度低的温度下进行，而且，最好是在减压程度比氧化膜形成工序高的减压条件下进行。根据该氧化膜形成方法，可形成良好的晶体管元件的栅极绝缘膜。

公开(公告)号：CN117998844A

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202311394484.8

申请日：2023-10-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 池尻将拓 ,  寺林真辉 ,  前川浩治 ,  秋山浩二

IPC: H10B12/00 ,  H10N97/00

Abstract: 本发明为半导体装置的制造方法和半导体装置。[课题]提供能实现使用了氧化物系高介电常数膜的电容器的低CET化的半导体装置的制造方法和半导体装置。[解决方案]半导体装置的制造方法具备如下工序：在基板上形成由含Ti膜形成的下部电极的工序；在下部电极上形成铌氧化膜的工序；在铌氧化膜上形成氧化物系高介电常数膜的工序；在氧化物系高介电常数膜上形成上部电极的工序；和，进行退火的工序，经过形成氧化物系高介电常数膜的工序、上形成部电极的工序和进行退火的工序，从而将铌氧化膜改性成以氧化数小于Nb2O5的铌氧化物为主体的低氧化数铌氧化膜。

公开(公告)号：CN115485866A

公开(公告)日：2022-12-16

申请号：CN202180032593.8

申请日：2021-08-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 秋山浩二 ,  永井洋之 ,  岩下光秋 ,  上田博一

IPC: H01L37/00 ,  F25B21/02

Abstract: 一种热效应元件,具有:容器,其包括第一壁部和与上述第一壁部相对的第二壁部；离子液体,其容纳于上述容器内；第一电极,其设于上述第一壁部的外表面；以及可动电极,其在上述离子液体中以可移动的方式设置。

公开(公告)号：CN101341584B

公开(公告)日：2010-05-19

申请号：CN200680048312.3

申请日：2006-11-22

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 山崎和良 ,  青山真太郎 ,  秋山浩二

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/67207 ,  H01L21/268 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/318

Abstract: 本发明提供一种高电介质薄膜的改性方法和半导体装置，在使用有机金属化合物材料、在被处理体的表面上形成的高电介质薄膜的改性方法中，包括：准备在表面上形成有上述高电介质薄膜的上述被处理体的准备工序；和维持上述被处理体在规定的温度，并在非活性气体的气氛中对上述高电介质薄膜照射紫外线，由此进行上述高电介质薄膜的改性的改性工序。由此，能够使碳成分从高电介质薄膜中脱离，并且使整体热压配合而提高密度，防止缺损的发生，而且能够提高膜密度，从而提高介电常数，能够得到较高的电特性。

公开(公告)号：CN1518760A

公开(公告)日：2004-08-04

申请号：CN02809018.7

申请日：2002-02-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 菱屋晋吾 ,  秋山浩二 ,  古泽纯和 ,  青木公也

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02299 ,  H01L21/31658 ,  H01L21/31662 ,  Y10S438/909

Abstract: 一种氧化膜形成方法，有利于在整个晶片上形成膜厚和膜质量的均匀性都很高的优质氧化膜。氧化膜形成方法包括前处理工序和氧化膜形成工序，前处理工序是在减压条件下，利用活性氧化晶种或含有活性氧化晶种的气氛对配置在反应容器内的晶片进行氧化处理，在晶片的表面上形成保护氧化膜；氧化膜形成工序是在减压条件下以规定温度对晶片进行氧化处理，形成氧化膜。氧化膜形成工序最好是在进行前处理工序的反应容器内和前处理工序连续进行。前处理工序最好在比氧化膜形成工序的温度低的温度下进行，而且，最好是在减压程度比氧化膜形成工序高的减压条件下进行。根据该氧化膜形成方法，可形成良好的晶体管元件的栅极绝缘膜。