公开(公告)号：CN100585814C

公开(公告)日：2010-01-27

申请号：CN200510068210.5

申请日：2002-01-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 菅原卓也 ,  中西敏雄 ,  尾﨑成则 ,  松山征嗣 ,  村川惠美 ,  多田吉秀

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  H01L21/31

CPC classification number: C23C16/56 ,  C23C16/401 ,  C23C16/402 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31658 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法。该方法包括：在衬底上形成绝缘膜的工序；和将该衬底上所形成的绝缘膜暴露在等离子体中，从而将所述绝缘膜改性的工序，其中所述等离子体是基于经过天线部件的微波照射而由处理气体生成的，其中，所述处理气体包括稀有气体，和氧气、氮气以及氢气中的至少一种。

公开(公告)号：CN1691290A

公开(公告)日：2005-11-02

申请号：CN200510068210.5

申请日：2002-01-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 菅原卓也 ,  中西敏雄 ,  尾﨑成则 ,  松山征嗣 ,  村川惠美 ,  多田吉秀

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  H01L21/31

CPC classification number: C23C16/56 ,  C23C16/401 ,  C23C16/402 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31658 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法。该方法包括：在衬底上形成绝缘膜的工序；和将该衬底上所形成的绝缘膜暴露在等离子体中，从而将所述绝缘膜改性的工序，其中所述等离子体是基于经过天线部件的微波照射而由处理气体生成的，其中，所述处理气体包括稀有气体，和氧气、氮气以及氢气中的至少一种。

公开(公告)号：CN1539165A

公开(公告)日：2004-10-20

申请号：CN02815546.7

申请日：2002-08-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 村川惠美 ,  松下实 ,  尾﨑成则

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76834 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76831

Abstract: 通过蚀刻，形成穿过由多孔硅氧化膜构成的第二绝缘层(13)和第三绝缘层(14)而成为连接孔(21)的一部分的孔。另外，采用第二阻挡膜(20)，通过蚀刻，在第三绝缘层(14)上形成第二槽(23)。另外，在连接孔(21)和第二槽(23)的侧壁上，采用RLSA型的等离子体处理装置，进行硅氧化膜的直接氮化处理，形成由SiN膜构成的屏障层(25)。在这里，第二阻挡膜(20)也通过与屏障层(25)相同的直接氮化处理而形成。

公开(公告)号：CN1489784A

公开(公告)日：2004-04-14

申请号：CN02804154.2

申请日：2002-01-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 菅原卓也 ,  中西敏雄 ,  尾﨑成则 ,  松山征嗣 ,  村川惠美 ,  多田吉秀

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  H01L21/31

CPC classification number: C23C16/56 ,  C23C16/401 ,  C23C16/402 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31658 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 一种具有优良电气特性的绝缘层或半导体层的高质量MOS型半导体等的电子器件材料的制造方法。包括在以单晶硅为主要成分的被处理基体上实施CVD处理形成绝缘膜的工序，以及将所述被处理基体暴露在通过具有多个缝隙的平面天线部件(SPA)对处理气体辐射微波而生成的等离子体中，并使用此等离子体将所述绝缘膜改性的工序。

公开(公告)号：CN102569524A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201210031645.2

申请日：2007-11-06

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 村川惠美

IPC: H01L31/18 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40 ,  C23C16/511

CPC classification number: C23C16/345 ,  C23C16/0218 ,  C23C16/308 ,  C23C16/401 ,  C23C16/511 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/03682 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1868 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明制造能量转换效率高的太阳能电池。将在作为P型层的多晶硅基板上形成的成为n型层多晶硅层的表层，使用等离子体进行氧化处理，然后利用CVD处理堆积硅氮化膜，由此在多晶硅层的表层形成钝化膜。使用10eV以下的鞘层电位的等离子体，在压力是6.67Pa～6.67×102Pa的范围、温度是200℃～600℃的范围的条件下进行这种等离子体氧化处理。激发等离子体的微波通过缝隙天线被提供给处理容器内，通过微波的表面波生成等离子体。

公开(公告)号：CN101542749B

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN200780042990.3

申请日：2007-11-06

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 村川惠美

IPC: H01L31/04 ,  C23C16/42 ,  C23C16/511 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  H05H1/46

CPC classification number: C23C16/345 ,  C23C16/0218 ,  C23C16/308 ,  C23C16/401 ,  C23C16/511 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/03682 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1868 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明制造能量转换效率高的太阳能电池。将在作为P型层的多晶硅基板上形成的成为n型层多晶硅层的表层，使用等离子体进行氧化处理，然后利用CVD处理堆积硅氮化膜，由此在多晶硅层的表层形成钝化膜。使用10eV以下的鞘层电位的等离子体，在压力是6.67Pa～6.67×102Pa的范围、温度是200℃～600℃的范围的条件下进行这种等离子体氧化处理。激发等离子体的微波通过缝隙天线被提供给处理容器内，通过微波的表面波生成等离子体。

公开(公告)号：CN101399198A

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN200810171103.9

申请日：2002-01-22

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 菅原卓也 ,  中西敏雄 ,  尾﨑成则 ,  松山征嗣 ,  村川惠美 ,  多田吉秀

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/285 ,  C23C16/40

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C8/02 ,  C23C8/34 ,  C23C8/36 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/2807 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/32055

Abstract: 一种采用SiO2膜及SiON膜作为具有极薄(例如2.5nm以下)膜厚的绝缘膜、采用多晶硅、非晶硅、SiGe作为电极的具有良好电气特性的电子器件(例如高性能MOS型半导体器件)结构的制造方法。在包含氧以及稀有气体的处理气体的存在下，通过由平面天线部件SPA在使以Si为主要成分的晶片W上照射微波，形成包含氧以及稀有气体的等离子体(或者包含氮以及稀有气体的等离子体、或者包含氮、稀有气体以及氢的等离子体)。利用此等离子体在所述晶片表面形成氧化膜(或者氮氧化膜)，根据需要形成多晶硅、非晶硅、SiGe的电极并形成电子器件结构。

公开(公告)号：CN101165876A

公开(公告)日：2008-04-23

申请号：CN200710196168.4

申请日：2002-08-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 村川惠美 ,  松下实 ,  尾﨑成则

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/318

CPC classification number: H01L21/76834 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76831

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法，其特征在于，该方法包括下述工序：形成绝缘层的工序，在该绝缘层的一面侧具有槽，并且具有从所述槽的底部贯穿到另一面侧的孔，该绝缘层以硅为主成分而构成；屏障层形成工序，即，将所述槽和所述孔的内壁的表面曝露于含有氮的气体的等离子体中，在所述槽和所述孔的内壁的表面区域，形成由硅氮化膜形成的屏障层；和将由导体材料形成的布线层经所述屏障层埋入所述槽和所述孔的内侧的工序，所述含有氮的气体的等离子体，使用天线在含有氮的气体和氩气的混合气体中形成，利用所述氩气的混合比调整所述含有氮的气体的等离子体能量。

公开(公告)号：CN101752244A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200910253426.7

申请日：2002-01-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 菅原卓也 ,  中西敏雄 ,  尾﨑成则 ,  松山征嗣 ,  村川惠美 ,  多田吉秀

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/28 ,  C23C16/56 ,  C23C16/40

CPC classification number: C23C16/56 ,  C23C16/401 ,  C23C16/402 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31658 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法。该方法包括：在衬底上形成绝缘膜的工序；和将该衬底上所形成的绝缘膜暴露在等离子体中，从而将所述绝缘膜改性的工序，其中所述等离子体是基于经过天线部件的微波照射而由处理气体生成的，其中，所述处理气体包括稀有气体，和氧气、氮气以及氢气中的至少一种。

公开(公告)号：CN101542749A

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200780042990.3

申请日：2007-11-06

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 村川惠美

IPC: H01L31/04 ,  C23C16/42 ,  C23C16/511 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  H05H1/46

CPC classification number: C23C16/345 ,  C23C16/0218 ,  C23C16/308 ,  C23C16/401 ,  C23C16/511 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/03682 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1868 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明制造能量转换效率高的太阳能电池。将在作为P型层的多晶硅基板上形成的成为n型层多晶硅层的表层，使用等离子体进行氧化处理，然后利用CVD处理堆积硅氮化膜，由此在多晶硅层的表层形成钝化膜。使用10eV以下的鞘层电位的等离子体，在压力是6.67Pa～6.67×102Pa的范围、温度是200℃～600℃的范围的条件下进行这种等离子体氧化处理。激发等离子体的微波通过缝隙天线被提供给处理容器内，通过微波的表面波生成等离子体。