公开(公告)号：CN104073781B

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201410123720.7

申请日：2014-03-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 中岛滋 ,  岛裕巳 ,  立野雄亮

IPC: C23C16/455 ,  C23C14/22 ,  H01L21/00

CPC classification number: C23C16/4481 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/52

Abstract: 一种供气装置的控制方法以及基板处理系统。该供气装置具备汽化器、载气供给源以及供气通路。该供气装置的控制方法具有如下工序：向上述汽化器的原料容器的内部供给液体或者固体的原料的工序；在上述原料容器的内部使上述原料汽化来产生原料气的工序；对收容上述液体或者固体的原料的上述原料容器的内部进行排气的工序；从上述载气供给源向上述原料容器的内部供给载气的工序；以及从上述原料容器经由上述供气通路向对被处理基板实施处理的处理室通过上述载气输送上述原料气的工序。

公开(公告)号：CN100561684C

公开(公告)日：2009-11-18

申请号：CN200610162324.0

申请日：2003-03-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 菅原卓也 ,  多田吉秀 ,  中村源志 ,  尾﨑成则 ,  中西敏雄 ,  佐佐木胜 ,  松山征嗣 ,  长谷部一秀 ,  中岛滋 ,  藤原友纪

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/28 ,  H01L29/51

CPC classification number: H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/31662 ,  H01L28/56 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 对配置于电子器件用基底材料上的绝缘膜的表面照射基于处理气体的等离子体，从而在该绝缘膜和电子器件用基底材料的界面上形成基底膜，其中所述处理气体含有至少包括氧原子的气体。在绝缘膜和电子器件用基底材料之间的界面上，可以得到使该绝缘膜特性提高的优质底层膜。

公开(公告)号：CN101154589B

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN200710192997.5

申请日：2007-09-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 长谷部一秀 ,  石田义弘 ,  藤田武彦 ,  小川淳 ,  中岛滋

IPC: H01L21/316 ,  C23C16/40

CPC classification number: C23C16/509 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45546 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228

Abstract: 本发明提供一种成膜方法和成膜装置，在能够选择地供给包括硅源气体的第一处理气体和包括氧化气体的第二处理气体的处理区域内，通过CVD在被处理基板上形成氧化膜。因此，多次重复下述循环，所述循环交替包括第一工序和第二工序。第一工序，供给第一处理气体，在被处理基板的表面上形成含硅的吸附层。第二工序，供给第二处理气体，对被处理基板的表面上的吸附层进行氧化。使用1价或2价的氨基硅烷气体作为硅源气体，相比于使用3价氨基硅烷气体作为硅源气体的情况，较低地设定循环中的处理温度。

公开(公告)号：CN101165856B

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN200710194483.3

申请日：2007-10-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 长谷部一秀 ,  藤田武彦 ,  中岛滋 ,  小川淳

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/316 ,  C23C8/10 ,  C23C8/16

CPC classification number: H01L21/67109 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/31662

Abstract: 一种半导体处理用的氧化装置，包括从位于处理容器的处理区域的一侧上的接近被处理基板的气体供给口向处理区域供给氧化性气体和还原性气体的供给系统。气体供给口包括沿着与处理区域相对应的上下方向的整个长度设置的多个气体喷射孔。在处理容器的周围设置加热处理区域的加热器。控制部预先设定为使氧化性气体和还原性气体发生反应而在处理区域内产生氧活性种和氢氧根活性种，使用氧活性种和氢氧根活性种对被处理基板的表面进行氧化处理。

公开(公告)号：CN101497993A

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200910126757.4

申请日：2009-02-01

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 长谷部一秀 ,  中岛滋 ,  小川淳

IPC: C23C16/22 ,  C23C16/455 ,  C23C16/54 ,  C23C16/56 ,  H01L21/00

CPC classification number: C23C16/452 ,  C23C16/345 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45536 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/31612

Abstract: 本发明提供一种薄膜形成方法和用于形成含硅绝缘膜的装置。在可选择性地供给包含二异丙基氨基硅烷气体的第一处理气体和包含氧化气体或氮化气体的第二处理气体的处理区域内，通过CVD在被处理基板上形成含硅绝缘膜。为此，重复进行多次交替地包括第一工序和第二工序的循环。第一工序进行第一处理气体的供给，在被处理基板的表面形成含硅吸附层。第二工序进行第二处理气体的供给，氧化或氮化在被处理基板表面上的吸附层。第二工序包括在已利用激励机构将第二处理气体激励的状态下供向处理区域的激励期间。

公开(公告)号：CN1967787A

公开(公告)日：2007-05-23

申请号：CN200610162324.0

申请日：2003-03-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 菅原卓也 ,  多田吉秀 ,  中村源志 ,  尾﨑成则 ,  中西敏雄 ,  佐佐木胜 ,  松山征嗣 ,  长谷部一秀 ,  中岛滋 ,  藤原友纪

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/28 ,  H01L29/51

CPC classification number: H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/31662 ,  H01L28/56 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 对配置于电子器件用基底材料上的绝缘膜的表面照射基于处理气体的等离子体，从而在该绝缘膜和电子器件用基底材料的界面上形成基底膜，其中所述处理气体含有至少包括氧原子的气体。在绝缘膜和电子器件用基底材料之间的界面上，可以得到使该绝缘膜特性提高的优质底层膜。

公开(公告)号：CN1800444A

公开(公告)日：2006-07-12

申请号：CN200510097501.7

申请日：2005-12-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田村明威 ,  中岛滋 ,  尾崎徹志

IPC: C23C16/00 ,  H01L21/365 ,  B08B3/00

CPC classification number: C23C16/4405 ,  B08B7/0035 ,  C23C16/401 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  Y10S438/905

Abstract: 本发明提供一种半导体处理用的成膜装置的使用方法，其包含利用清洗气体对成膜装置的反应室的内表面附着的以高介电常数材料为主要成分的副生成物膜进行处理的工序。在此，向反应室内供给清洗气体，并将反应室内设定为第一温度和第一压力。清洗气体不含氟而含有氯。第一温度和第一压力设定为使得清洗气体中的氯活化。

公开(公告)号：CN104810306B

公开(公告)日：2018-07-13

申请号：CN201510036549.0

申请日：2015-01-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 中岛滋 ,  岛裕巳 ,  立野雄亮

IPC: H01L21/67 ,  C30B33/02

CPC classification number: C23C16/4402 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/45572 ,  C23C16/45578

Abstract: 本发明提供立式热处理装置和热处理方法。一种立式热处理装置，其用于将呈搁板状保持有多张基板的基板保持件输入到被加热机构包围的立式的反应管内并进行热处理，其中，该立式热处理装置包括：气体喷嘴，其以沿所述基板保持件的铅垂方向延伸的方式设于所述反应管内，用于喷射处理气体；以及流路形成构件，其以包围所述气体喷嘴的方式设于所述反应管内，该流路形成构件形成用于对所述气体喷嘴内的处理气体进行调温的调温流体的流通空间并具有调温流体的供给口和排出口。

公开(公告)号：CN108220921A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201711404461.5

申请日：2017-12-22

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 竹泽由裕 ,  坂下训康 ,  中岛滋

IPC: C23C16/455

CPC classification number: C23C16/45544 ,  C23C16/405 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45502 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/458 ,  C23C16/4583 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67303 ,  H01L21/67309 ,  C23C16/45591 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/45559

Abstract: 成膜装置以及成膜方法。在对沿垂直方向多层地配置的状态的多个基板进行成膜处理时，使膜厚的面内均匀性和覆盖性能良好。成膜装置具有：基板保持构件，其以规定间隔沿垂直方向多层地保持多个被处理基板；处理容器，其收容保持有被处理基板的基板保持构件；处理气体导入构件，其具有对处理容器内的被处理基板平行地喷出处理气体的多个气体喷出孔，来向处理容器内导入处理气体；排气机构，其对处理容器内进行排气；以及多个气流调整构件，该多个气流调整构件分别与被处理基板相向地设置，其中，气流调整构件将从喷出孔对被处理基板平行地喷出的处理气体的气流调整为从位于该气流的下方的被处理基板的上方朝向该被处理基板的表面的气流。

公开(公告)号：CN104810306A

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201510036549.0

申请日：2015-01-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 中岛滋 ,  岛裕巳 ,  立野雄亮

IPC: H01L21/67 ,  C30B33/02

CPC classification number: C23C16/4402 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/45572 ,  C23C16/45578

Abstract: 本发明提供立式热处理装置和热处理方法。一种立式热处理装置，其用于将呈搁板状保持有多张基板的基板保持件输入到被加热机构包围的立式的反应管内并进行热处理，其中，该立式热处理装置包括：气体喷嘴，其以沿所述基板保持件的铅垂方向延伸的方式设于所述反应管内，用于喷射处理气体；以及流路形成构件，其以包围所述气体喷嘴的方式设于所述反应管内，该流路形成构件形成用于对所述气体喷嘴内的处理气体进行调温的调温流体的流通空间并具有调温流体的供给口和排出口。