公开(公告)号：CN102181819A

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：CN201110075945.6

申请日：2005-03-02

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 松山征嗣 ,  中西敏雄 ,  尾崎成则 ,  足立光 ,  高槻浩一 ,  佐藤吉宏

IPC: C23C8/36 ,  H01L21/28 ,  H01L21/314

CPC classification number: C23C8/36 ,  H01J37/32192 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3144 ,  H01L29/518

Abstract: 本发明提供一种等离子体氮化处理方法。在本发明中，在利用由微波产生的等离子体对形成氧化膜后的基板进行氮化处理以形成氧氮化膜时，断续地进行微波的供给。通过断续地供给微波，与电子温度下降相伴的离子冲击降低，氧化膜中的氮化种的扩散速度降低，其结果，氮集中在氧氮化膜的基板侧界面上从而能够抑制其浓度增高。由此，能够提高氧氮化膜的膜质，从而能够降低漏电流、提高动作速度、并提高NBTI耐性。

公开(公告)号：CN100585814C

公开(公告)日：2010-01-27

申请号：CN200510068210.5

申请日：2002-01-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 菅原卓也 ,  中西敏雄 ,  尾﨑成则 ,  松山征嗣 ,  村川惠美 ,  多田吉秀

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  H01L21/31

CPC classification number: C23C16/56 ,  C23C16/401 ,  C23C16/402 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31658 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法。该方法包括：在衬底上形成绝缘膜的工序；和将该衬底上所形成的绝缘膜暴露在等离子体中，从而将所述绝缘膜改性的工序，其中所述等离子体是基于经过天线部件的微波照射而由处理气体生成的，其中，所述处理气体包括稀有气体，和氧气、氮气以及氢气中的至少一种。

公开(公告)号：CN100561684C

公开(公告)日：2009-11-18

申请号：CN200610162324.0

申请日：2003-03-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 菅原卓也 ,  多田吉秀 ,  中村源志 ,  尾﨑成则 ,  中西敏雄 ,  佐佐木胜 ,  松山征嗣 ,  长谷部一秀 ,  中岛滋 ,  藤原友纪

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/28 ,  H01L29/51

CPC classification number: H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/31662 ,  H01L28/56 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 对配置于电子器件用基底材料上的绝缘膜的表面照射基于处理气体的等离子体，从而在该绝缘膜和电子器件用基底材料的界面上形成基底膜，其中所述处理气体含有至少包括氧原子的气体。在绝缘膜和电子器件用基底材料之间的界面上，可以得到使该绝缘膜特性提高的优质底层膜。

公开(公告)号：CN1691290A

公开(公告)日：2005-11-02

申请号：CN200510068210.5

申请日：2002-01-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 菅原卓也 ,  中西敏雄 ,  尾﨑成则 ,  松山征嗣 ,  村川惠美 ,  多田吉秀

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  H01L21/31

CPC classification number: C23C16/56 ,  C23C16/401 ,  C23C16/402 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31658 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法。该方法包括：在衬底上形成绝缘膜的工序；和将该衬底上所形成的绝缘膜暴露在等离子体中，从而将所述绝缘膜改性的工序，其中所述等离子体是基于经过天线部件的微波照射而由处理气体生成的，其中，所述处理气体包括稀有气体，和氧气、氮气以及氢气中的至少一种。

公开(公告)号：CN100561687C

公开(公告)日：2009-11-18

申请号：CN02824972.0

申请日：2002-12-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 菅原卓也 ,  松山征嗣 ,  佐佐木胜

IPC: H01L21/324 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/28194 ,  H01L21/28176 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3003 ,  H01L27/10873 ,  H01L29/518

Abstract: 本发明提供了一种将形成有半导体元件的用于电子器件的衬底曝露于氢基(包括重氢基)中的衬底处理方法，在所述方法中，通过等离子体来激发所述氢基，所述等离子体是向平面天线辐射微波而形成的。

公开(公告)号：CN101266928A

公开(公告)日：2008-09-17

申请号：CN200810001745.4

申请日：2003-03-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 松山征嗣 ,  菅原卓也 ,  尾﨑成则 ,  中西敏雄 ,  佐佐木胜

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/28167 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31662 ,  H01L29/518 ,  H01L29/7833

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置和基板处理方法，该基板处理方法的特征在于：氮化在基板表面上形成的氧化膜来形成氧氮化膜，该方法包括：氮化处理工序，通过等离子体激励稀有气体和氮气，生成氮原子团或者氮离子，利用所述氮原子团或者氮离子来氮化所述氧化膜，所述氮化处理工序是在下述条件下进行的：在100℃～500℃的基板温度，将所述等离子体的电子温度设定为2eV以下，将保持有所述被处理基板的处理空间中的氧滞留时间设定为2秒以下。

公开(公告)号：CN1930668A

公开(公告)日：2007-03-14

申请号：CN200480015099.7

申请日：2004-05-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 菅原卓也 ,  多田吉秀 ,  中村源志 ,  尾﨑成则 ,  中西敏雄 ,  佐佐木胜 ,  松山征嗣 ,  长谷部一秀 ,  中岛滋 ,  藤原友纪

IPC: H01L21/316 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/02112 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28176 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31658 ,  H01L29/518 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种改善由MOSFET的栅极绝缘膜或存储设备中的电容的电极间绝缘膜所含有的碳、低氧化物(suboxide)、悬挂键(danglingbond)等引起的特性恶化，提高绝缘膜的特性的方法。对绝缘膜实施将基于含有稀有气体的处理气体的等离子体的等离子体处理和热退火处理组合的改性处理。

公开(公告)号：CN1489784A

公开(公告)日：2004-04-14

申请号：CN02804154.2

申请日：2002-01-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 菅原卓也 ,  中西敏雄 ,  尾﨑成则 ,  松山征嗣 ,  村川惠美 ,  多田吉秀

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  H01L21/31

CPC classification number: C23C16/56 ,  C23C16/401 ,  C23C16/402 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31658 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 一种具有优良电气特性的绝缘层或半导体层的高质量MOS型半导体等的电子器件材料的制造方法。包括在以单晶硅为主要成分的被处理基体上实施CVD处理形成绝缘膜的工序，以及将所述被处理基体暴露在通过具有多个缝隙的平面天线部件(SPA)对处理气体辐射微波而生成的等离子体中，并使用此等离子体将所述绝缘膜改性的工序。

公开(公告)号：CN101752244A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200910253426.7

申请日：2002-01-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 菅原卓也 ,  中西敏雄 ,  尾﨑成则 ,  松山征嗣 ,  村川惠美 ,  多田吉秀

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/28 ,  C23C16/56 ,  C23C16/40

CPC classification number: C23C16/56 ,  C23C16/401 ,  C23C16/402 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31658 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法。该方法包括：在衬底上形成绝缘膜的工序；和将该衬底上所形成的绝缘膜暴露在等离子体中，从而将所述绝缘膜改性的工序，其中所述等离子体是基于经过天线部件的微波照射而由处理气体生成的，其中，所述处理气体包括稀有气体，和氧气、氮气以及氢气中的至少一种。

公开(公告)号：CN100373560C

公开(公告)日：2008-03-05

申请号：CN03813333.4

申请日：2003-03-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 松山征嗣 ,  菅原卓也 ,  尾﨑成则 ,  中西敏雄 ,  佐佐木胜

IPC: H01L21/318 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/28167 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31662 ,  H01L29/518 ,  H01L29/7833

Abstract: 一种基板处理方法，通过微波等离子体氮化处理氮化在硅基板表面上形成的氧化膜来形成氧氮化膜，可避免损伤氧氮化膜，抑制硅基板和氧氮化膜的界面处的氧化膜的再生长，使氧化膜换算膜厚减少。所述氮化处理工序是在下述条件下进行的：将所述微波激励等离子体的电子温度设定为2eV以下，将保持所述被处理基板的处理空间中的氧滞留时间设定为2秒以下。