公开(公告)号：CN102703877A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201210082649.3

申请日：2012-03-26

Applicant: 尔必达存储器株式会社 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 两角友一朗 ,  菅原卓也 ,  秋山浩二 ,  菱屋晋吾 ,  广田俊幸 ,  清村贵利

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  H01L21/316 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L21/02189 ,  C23C16/18 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45529 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0228 ,  H01L28/40 ,  H01L29/66181

Abstract: 本发明涉及成膜含有氧化锆膜的电介质膜的方法，该方法具有：供给由在结构中含有环戊二烯基环的锆化合物构成的锆原料和氧化剂，在被处理基板上成膜氧化锆膜的工序；供给由在结构中含有环戊二烯基环的钛化合物构成的钛原料和氧化剂，在上述氧化锆膜上成膜氧化钛膜的工序。

公开(公告)号：CN102810515A

公开(公告)日：2012-12-05

申请号：CN201210158877.4

申请日：2012-05-21

Applicant: 尔必达存储器株式会社 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 清村贵利 ,  广田俊幸 ,  两角友一朗 ,  菱屋晋吾

IPC: H01L21/8242

CPC classification number: H01L28/40 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02356 ,  H01L27/10817 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10894 ,  H01L28/91

Abstract: 本发明提供一种形成具有金红石晶体结构的氧化钛膜的方法，所述金红石晶体结构具有高电容率。所述方法包括：形成无定形氧化锆膜的步骤；通过原子层沉积(ALD)法使用甲基环戊二烯基三(二甲基氨基)钛作为钛前体在所述无定形氧化锆膜上形成无定形氧化钛膜的步骤；以及通过在300℃以上的温度下的退火至少使所述无定形氧化钛膜结晶的步骤。

公开(公告)号：CN102446890A

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN201110296815.5

申请日：2011-09-27

Applicant: 尔必达存储器株式会社 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 广田俊幸 ,  清村贵利 ,  两角友一朗 ,  菱屋晋吾

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/02 ,  H01L21/314 ,  H01L21/316 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L28/40 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0228

Abstract: 本发明提供半导体装置及其制造方法、以及吸附位阻断原子层沉积法。在电容器的电介质膜中，为了即使设置用于改善泄漏特性的Al掺杂层，也不能通过Al掺杂层截断电介质膜，从而抑制了尺寸效应的影响，提供结晶性良好的电介质膜，而在电介质膜中具有至少1层Al掺杂层，将Al掺杂层的1层的Al原子的表面密度设为不足1.4E+14[atoms/cm2]。另外，为实现其表面密度，而采用基于通常的ALD的电介质膜成膜、和吸附位阻断ALD法实现的Al添加的组合，该吸附位阻断ALD法在进行限制Al源的吸附位的阻滞剂分子的吸附后，吸附Al源，导入反应气体进行反应。

公开(公告)号：CN109727843B

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN201811286392.7

申请日：2018-10-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高京硕 ,  岛裕巳 ,  木镰英司 ,  铃木启介 ,  菱屋晋吾

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

Abstract: [课题]本发明提供形成硅氧化膜的方法及装置。在硅氧化膜及硅氮化膜露出的被处理面上形成薄且均匀的膜厚的硅氧化膜。[解决方案]在硅氧化膜和硅氮化膜露出的被处理面形成硅氧化膜的方法具有：第1工序：形成在减压下的处理容器内配置有被处理体的状态，所述被处理体具有硅氧化膜和硅氮化膜露出的被处理面；第2工序：在前述硅氧化膜和硅氮化膜露出的被处理面形成作为牺牲膜的间隔多晶硅膜；及、第3工序：接着，向被处理体供给热能以及氧自由基及氢自由基，将间隔多晶硅膜置换为硅氧化膜。

公开(公告)号：CN113496914A

公开(公告)日：2021-10-12

申请号：CN202110261355.6

申请日：2021-03-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 菱屋晋吾 ,  孙成德

IPC: H01L21/67 ,  C23C16/54

Abstract: 本发明涉及基板处理装置和清洁方法。提供一种能够选择性地清洁喷射器的内部的技术。本公开的一个方式的基板处理装置具有：处理容器，其容纳基板；喷射器，其包括第1连接口和第2连接口，内部与所述处理容器内连通；排气管，其供所述处理容器内排气；原料气体导入管，其与所述第1连接口连接，向所述喷射器内导入原料气体；清洁气体导入管，其经由所述第1连接口和所述第2连接口中的一者向所述喷射器内导入清洁气体；以及通气管，其连接所述第1连接口和所述第2连接口中的另一者与所述排气管，供所述喷射器内排气。

公开(公告)号：CN102263027A

公开(公告)日：2011-11-30

申请号：CN201110141591.0

申请日：2011-05-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 原田豪繁 ,  两角友一朗 ,  菱屋晋吾

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02189 ,  H01L21/02159 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0228 ,  H01L28/40

Abstract: 本发明提供一种成膜方法和成膜装置。向能保持真空的处理容器内搬入被处理体，将处理容器内保持为真空的状态，通过分别调整第1工序的次数和第2工序的次数地实施该第1工序和第2工序，一边控制膜中的Si浓度一边形成规定膜厚的氧化锆系膜，该第1工序为，向处理容器内以锆原料、氧化剂的顺序依次供给锆原料和氧化剂，从而在被处理体上形成ZrO膜；该第2工序为，向上述处理容器内以锆原料、硅原料、氧化剂的顺序依次供给锆原料、硅原料和氧化剂，从而在被处理体上形成掺杂有Si的ZrO膜。

公开(公告)号：CN114388413A

公开(公告)日：2022-04-22

申请号：CN202111176584.4

申请日：2021-10-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 菱屋晋吾 ,  池川宽晃 ,  V·赫默尔 ,  B·佐贝尔 ,  孙成德

IPC: H01L21/677 ,  H01L21/67 ,  H01L21/205 ,  C23C16/455

Abstract: 本公开提供一种舟搬入方法和热处理装置，能够在抑制了基底膜的氧化的状态下进行成膜。基于本公开的一个方式的舟搬入方法是用于将保持有基板的舟搬入处理容器内的方法，所述舟搬入方法包括以下工序：向所述处理容器内供给还原性气体；以及在所述处理容器内存在所述还原性气体的状态下将所述舟搬入所处理容器内。

公开(公告)号：CN104928647B

公开(公告)日：2018-08-07

申请号：CN201510117064.4

申请日：2015-03-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 铃木启介 ,  村上博纪 ,  菱屋晋吾 ,  门永健太郎 ,  小幡穣

IPC: C23C16/34 ,  C23C16/455 ,  H01L21/67

CPC classification number: C23C16/30 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45531

Abstract: 本发明提供成膜方法和成膜装置。在成膜方法中,在真空气氛中形成含有掺杂元素的薄膜,其包括以下工序:吸附工序,自原料气体供给部向成为真空气氛的处理容器内供给原料气体并使该原料气体的原料吸附在基板上;掺杂工序,多次重复自掺杂气体供给部向处理容器内供给含有掺杂元素的掺杂气体并将掺杂气体封闭在处理容器内的步骤和对处理容器内进行真空排气的步骤;供给工序,自反应气体供给部向处理容器内供给用于与原料发生反应而生成反应生成物的反应气体;以及置换工序,该置换工序是在各工序之间进行的,置换处理容器内的气氛,边使防逆流用气体自原料气体供给部、掺杂气体供给部及反应气体供给部向处理容器内流动,边进行掺杂工序。

公开(公告)号：CN102263027B

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201110141591.0

申请日：2011-05-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 原田豪繁 ,  两角友一朗 ,  菱屋晋吾

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02189 ,  H01L21/02159 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0228 ,  H01L28/40

Abstract: 本发明提供一种成膜方法和成膜装置。向能保持真空的处理容器内搬入被处理体，将处理容器内保持为真空的状态，通过分别调整第1工序的次数和第2工序的次数地实施该第1工序和第2工序，一边控制膜中的Si浓度一边形成规定膜厚的氧化锆系膜，该第1工序为，向处理容器内以锆原料、氧化剂的顺序依次供给锆原料和氧化剂，从而在被处理体上形成ZrO膜；该第2工序为，向上述处理容器内以锆原料、硅原料、氧化剂的顺序依次供给锆原料、硅原料和氧化剂，从而在被处理体上形成掺杂有Si的ZrO膜。

公开(公告)号：CN100372076C

公开(公告)日：2008-02-27

申请号：CN01822329.X

申请日：2001-12-04

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 菱屋晋吾 ,  古泽纯和 ,  梅泽好太 ,  林輝幸 ,  齐藤美佐子 ,  佐藤昌一

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02046 ,  C30B33/00 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02301 ,  H01L21/02312 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/67109

Abstract: 热处理装置(1)具有：具有升温用加热器(12)的、容放附着有有机物的晶片(10)的反应管(2)；向反应管(2)内供给氧气的第1气体导入管(13)；供给氢气的第2气体导入管(14)。分别通过第1气体导入管(13)和第2气体导入管(14)向反应管(2)内供给氧气和氢气，通过升温用加热器(12)将反应管(2)加热到可使氧气和氢气活化的温度。于是，在反应管(2)内发生燃烧反应，使附着在晶片(10)上的有机物氧化、分解，从而将其除去。