公开(公告)号：CN101651100B

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN200910161097.3

申请日：2009-08-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 石田义弘 ,  原田豪繁 ,  菅原卓也

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/00 ,  C23C16/40

CPC classification number: H01L21/31641 ,  C23C16/40 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45546

Abstract: 本发明提供一种成膜方法及成膜装置。成膜方法向能保持真空的处理容器内插入被处理体，形成为将处理容器内保持真空的状态；通过对形成ZrO2膜时的锆原料和氧化剂的供给次数及形成SiO2膜时的硅原料和氧化剂的供给次数进行调整来进行形成ZrO2膜的工序和形成SiO2膜的工序，使得膜中的Si浓度为1～4atm％，形成ZrO2膜的工序是向处理容器内交替地多次供给锆原料和氧化剂而在基板上形成ZrO2膜的工序，形成SiO2膜的工序是向处理容器内交替地1次或多次供给硅原料和氧化剂而在基板上形成SiO2膜的工序；将上述供给次数的ZrO2膜成膜和SiO2膜成膜作为1个循环，进行该循环1个以上而形成规定膜厚的氧化锆系膜。

公开(公告)号：CN101226877B

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：CN200810002399.1

申请日：2008-01-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 菅原卓也

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/205 ,  H01L21/67 ,  H01L21/84 ,  C23C16/46

Abstract: 本发明提供一种基板处理装置及基板处理方法，能简单且高效率地加热绝缘性基板的表面部分且对其进行规定的处理。在基板(10)表面上形成导电薄膜(20)，在该导电薄膜(20)上设有电极(30)，使该电极(30)和与电源(60)连接的电极(40)为电导通状态，闭合开关(50)，对导电薄膜(20)通电，借助此时的电热效果使导电薄膜(20)直接发热并上升到期望温度，将SiH4气体及B2H6气体作为反应气体供给到薄膜(20)表面而堆积Poly-Si。

公开(公告)号：CN100585814C

公开(公告)日：2010-01-27

申请号：CN200510068210.5

申请日：2002-01-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 菅原卓也 ,  中西敏雄 ,  尾﨑成则 ,  松山征嗣 ,  村川惠美 ,  多田吉秀

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  H01L21/31

CPC classification number: C23C16/56 ,  C23C16/401 ,  C23C16/402 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31658 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法。该方法包括：在衬底上形成绝缘膜的工序；和将该衬底上所形成的绝缘膜暴露在等离子体中，从而将所述绝缘膜改性的工序，其中所述等离子体是基于经过天线部件的微波照射而由处理气体生成的，其中，所述处理气体包括稀有气体，和氧气、氮气以及氢气中的至少一种。

公开(公告)号：CN100561684C

公开(公告)日：2009-11-18

申请号：CN200610162324.0

申请日：2003-03-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 菅原卓也 ,  多田吉秀 ,  中村源志 ,  尾﨑成则 ,  中西敏雄 ,  佐佐木胜 ,  松山征嗣 ,  长谷部一秀 ,  中岛滋 ,  藤原友纪

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/28 ,  H01L29/51

CPC classification number: H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/31662 ,  H01L28/56 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 对配置于电子器件用基底材料上的绝缘膜的表面照射基于处理气体的等离子体，从而在该绝缘膜和电子器件用基底材料的界面上形成基底膜，其中所述处理气体含有至少包括氧原子的气体。在绝缘膜和电子器件用基底材料之间的界面上，可以得到使该绝缘膜特性提高的优质底层膜。

公开(公告)号：CN1691290A

公开(公告)日：2005-11-02

申请号：CN200510068210.5

申请日：2002-01-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 菅原卓也 ,  中西敏雄 ,  尾﨑成则 ,  松山征嗣 ,  村川惠美 ,  多田吉秀

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  H01L21/31

CPC classification number: C23C16/56 ,  C23C16/401 ,  C23C16/402 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31658 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法。该方法包括：在衬底上形成绝缘膜的工序；和将该衬底上所形成的绝缘膜暴露在等离子体中，从而将所述绝缘膜改性的工序，其中所述等离子体是基于经过天线部件的微波照射而由处理气体生成的，其中，所述处理气体包括稀有气体，和氧气、氮气以及氢气中的至少一种。

公开(公告)号：CN100561687C

公开(公告)日：2009-11-18

申请号：CN02824972.0

申请日：2002-12-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 菅原卓也 ,  松山征嗣 ,  佐佐木胜

IPC: H01L21/324 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/28194 ,  H01L21/28176 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3003 ,  H01L27/10873 ,  H01L29/518

Abstract: 本发明提供了一种将形成有半导体元件的用于电子器件的衬底曝露于氢基(包括重氢基)中的衬底处理方法，在所述方法中，通过等离子体来激发所述氢基，所述等离子体是向平面天线辐射微波而形成的。

公开(公告)号：CN101266928A

公开(公告)日：2008-09-17

申请号：CN200810001745.4

申请日：2003-03-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 松山征嗣 ,  菅原卓也 ,  尾﨑成则 ,  中西敏雄 ,  佐佐木胜

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/28167 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31662 ,  H01L29/518 ,  H01L29/7833

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置和基板处理方法，该基板处理方法的特征在于：氮化在基板表面上形成的氧化膜来形成氧氮化膜，该方法包括：氮化处理工序，通过等离子体激励稀有气体和氮气，生成氮原子团或者氮离子，利用所述氮原子团或者氮离子来氮化所述氧化膜，所述氮化处理工序是在下述条件下进行的：在100℃～500℃的基板温度，将所述等离子体的电子温度设定为2eV以下，将保持有所述被处理基板的处理空间中的氧滞留时间设定为2秒以下。

公开(公告)号：CN101226877A

公开(公告)日：2008-07-23

申请号：CN200810002399.1

申请日：2008-01-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 菅原卓也

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/205 ,  H01L21/67 ,  H01L21/84 ,  C23C16/46

Abstract: 本发明提供一种基板处理装置及基板处理方法，能简单且高效率地加热绝缘性基板的表面部分且对其进行规定的处理。在基板(10)表面上形成导电薄膜(20)，在该导电薄膜(20)上设有电极(30)，使该电极(30)和与电源(60)连接的电极(40)为电导通状态，闭合开关(50)，对导电薄膜(20)通电，借助此时的电热效果使导电薄膜(20)直接发热并上升到期望温度，将SiH4气体及B2H6气体作为反应气体供给到薄膜(20)表面而堆积Poly－Si。

公开(公告)号：CN1930668A

公开(公告)日：2007-03-14

申请号：CN200480015099.7

申请日：2004-05-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 菅原卓也 ,  多田吉秀 ,  中村源志 ,  尾﨑成则 ,  中西敏雄 ,  佐佐木胜 ,  松山征嗣 ,  长谷部一秀 ,  中岛滋 ,  藤原友纪

IPC: H01L21/316 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/02112 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28176 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31658 ,  H01L29/518 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种改善由MOSFET的栅极绝缘膜或存储设备中的电容的电极间绝缘膜所含有的碳、低氧化物(suboxide)、悬挂键(danglingbond)等引起的特性恶化，提高绝缘膜的特性的方法。对绝缘膜实施将基于含有稀有气体的处理气体的等离子体的等离子体处理和热退火处理组合的改性处理。

公开(公告)号：CN1489784A

公开(公告)日：2004-04-14

申请号：CN02804154.2

申请日：2002-01-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 菅原卓也 ,  中西敏雄 ,  尾﨑成则 ,  松山征嗣 ,  村川惠美 ,  多田吉秀

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  H01L21/31

CPC classification number: C23C16/56 ,  C23C16/401 ,  C23C16/402 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31658 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 一种具有优良电气特性的绝缘层或半导体层的高质量MOS型半导体等的电子器件材料的制造方法。包括在以单晶硅为主要成分的被处理基体上实施CVD处理形成绝缘膜的工序，以及将所述被处理基体暴露在通过具有多个缝隙的平面天线部件(SPA)对处理气体辐射微波而生成的等离子体中，并使用此等离子体将所述绝缘膜改性的工序。