公开(公告)号：CN101006566A

公开(公告)日：2007-07-25

申请号：CN200580027487.1

申请日：2005-08-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 新实宽明 ,  路吉·克罗姆伯 ,  下村晃司 ,  菅原卓也 ,  松土龙夫

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/28 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/022 ,  H01L21/02142 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/3165 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

Abstract: 通过暴露于等离子体来改进栅极电介质叠层(1)的方法和系统。该方法包括：提供具有形成在衬底(10，125)上的高k层(30)的栅极电介质叠层(1)；由包含惰性气体和含氧气体或含氮气体中的一种的处理气体生成等离子体，选择所述处理气体的压力以控制所述等离子体中的中性自由基相对于离子自由基的量；通过使所述叠层(1)暴露于所述等离子体来改进所述栅极电介质叠层(1)。

公开(公告)号：CN100568462C

公开(公告)日：2009-12-09

申请号：CN200580027487.1

申请日：2005-08-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 新实宽明 ,  路吉·克罗姆伯 ,  下村晃司 ,  菅原卓也 ,  松土龙夫

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/28 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/022 ,  H01L21/02142 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/3165 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

Abstract: 通过暴露于等离子体来改进栅极电介质叠层(1)的方法和系统。该方法包括：提供具有形成在衬底(10，125)上的高k层(30)的栅极电介质叠层(1)；由包含惰性气体和含氧气体或含氮气体中的一种的处理气体生成等离子体，选择所述处理气体的压力以控制所述等离子体中的中性自由基相对于离子自由基的量；通过使所述叠层(1)暴露于所述等离子体来改进所述栅极电介质叠层(1)。