公开(公告)号：CN1820373A

公开(公告)日：2006-08-16

申请号：CN200580000583.7

申请日：2005-04-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高桥毅 ,  下村晃司 ,  中村源志 ,  青山真太郎 ,  山崎和良

IPC: H01L29/78 ,  C23C16/42 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336

CPC classification number: C23C16/56 ,  C23C16/401 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3143 ,  H01L21/316 ,  H01L21/31608 ,  H01L21/31645 ,  H01L29/518

Abstract: 本发明提供在硅基板(1)上形成SiO2电容换算膜厚在1.45nm以下的由硅酸铪类材料构成的栅极绝缘膜(4)的方法。该方法包括：洗净硅基板(1)的表面，使其成为实质上不存在氧的清洁面的工序；通过使用酰胺类有机铪化合物和含硅原料的CVD工艺，在硅基板(1)的清洁面上形成硅酸铪膜(2)的工序；在硅酸铪膜(2)上实施氧化处理的工序；和在实施氧化处理后的硅酸铪膜(2)上实施氮化处理的工序。根据该方法，能够得到即使膜厚度薄、表面粗糙度也良好的栅极绝缘膜。

公开(公告)号：CN101006566A

公开(公告)日：2007-07-25

申请号：CN200580027487.1

申请日：2005-08-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 新实宽明 ,  路吉·克罗姆伯 ,  下村晃司 ,  菅原卓也 ,  松土龙夫

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/28 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/022 ,  H01L21/02142 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/3165 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

Abstract: 通过暴露于等离子体来改进栅极电介质叠层(1)的方法和系统。该方法包括：提供具有形成在衬底(10，125)上的高k层(30)的栅极电介质叠层(1)；由包含惰性气体和含氧气体或含氮气体中的一种的处理气体生成等离子体，选择所述处理气体的压力以控制所述等离子体中的中性自由基相对于离子自由基的量；通过使所述叠层(1)暴露于所述等离子体来改进所述栅极电介质叠层(1)。

公开(公告)号：CN101855708A

公开(公告)日：2010-10-06

申请号：CN200980100966.X

申请日：2009-03-18

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 青山真太郎 ,  下村晃司 ,  小林仙尚

IPC: H01L21/26

CPC classification number: H01L21/67115 ,  H01L21/67109

Abstract: 本发明提供一种热处理装置，其对被处理体(W)实施热处理，其包括：形成为能够收容被处理体的处理容器(6)；支承被处理体的支承单元(38)；设置在处理容器的顶棚部的第一照射窗(26A)；设置在第一照射窗的外侧的、发出加热用的热射线的第一加热单元(28A)；向处理容器内供给规定的气体的气体供给单元(12)；对处理容器内的气氛进行排气的排气单元(20)；和膜防止附着部件(80)，其设置在支承单元和上述第一照射窗之间，在其一部分形成有用于遮断热射线的一部分或全部的遮光部(86)。由此，能够防止在照射窗产生模糊不清同时能够高度维持热处理后的薄膜的膜厚的面内均匀性。

公开(公告)号：CN100524822C

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200580000583.7

申请日：2005-04-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高桥毅 ,  下村晃司 ,  中村源志 ,  青山真太郎 ,  山崎和良

IPC: H01L29/78 ,  C23C16/42 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336

CPC classification number: C23C16/56 ,  C23C16/401 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3143 ,  H01L21/316 ,  H01L21/31608 ,  H01L21/31645 ,  H01L29/518

Abstract: 本发明提供在硅基板(1)上形成等效氧化层厚度在1.45nm以下的由硅酸铪类材料构成的栅极绝缘膜(4)的方法。该方法包括：洗净硅基板表面，使其成为不存在氧的清洁面的工序；在所述硅基板的清洁面上形成由硅氧化物或硅氧氮化物构成的底膜的工序；通过使用烷氧类有机铪化合物和含硅原料的CVD工艺，在所述底膜上形成硅酸铪膜的工序；和在所述硅酸铪膜上实施氮化处理的工序。根据该方法，能够得到即使膜厚度薄、表面粗糙度也良好的栅极绝缘膜。

公开(公告)号：CN101288161A

公开(公告)日：2008-10-15

申请号：CN200680038222.6

申请日：2006-09-22

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 青山真太郎 ,  高桥毅 ,  下村晃司 ,  有贺美辉

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/205 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02148 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/318

Abstract: 本发明提供一种在硅基板上形成高介电体膜的方法，该方法包括：对所述硅基板表面进行稀氟酸处理的工序；在所述稀氟酸处理工序之后，向所述硅基板表面供给含有Hf和氮的有机金属原料，进行HfN的核形成的工序；以及在所述核形成工序之后，向所述硅基板表面供给含Hf的有机金属原料和含Si的有机原料，利用CVD法形成硅酸Hf膜的工序。

公开(公告)号：CN101855708B

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：CN200980100966.X

申请日：2009-03-18

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 青山真太郎 ,  下村晃司 ,  小林仙尚

IPC: H01L21/26

CPC classification number: H01L21/67115 ,  H01L21/67109

Abstract: 本发明提供一种热处理装置，其对被处理体(W)实施热处理，其包括：形成为能够收容被处理体的处理容器(6)；支承被处理体的支承单元(38)；设置在处理容器的顶棚部的第一照射窗(26A)；设置在第一照射窗的外侧的、发出加热用的热射线的第一加热单元(28A)；向处理容器内供给规定的气体的气体供给单元(12)；对处理容器内的气氛进行排气的排气单元(20)；和膜防止附着部件(80)，其设置在支承单元和上述第一照射窗之间，在其一部分形成有用于遮断热射线的一部分或全部的遮光部(86)。由此，能够防止在照射窗产生模糊不清同时能够高度维持热处理后的薄膜的膜厚的面内均匀性。

公开(公告)号：CN101981671A

公开(公告)日：2011-02-23

申请号：CN200980111184.6

申请日：2009-01-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 下村晃司 ,  上野哲嗣 ,  青山真太郎 ,  中村源志

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/205 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/31645 ,  H01L21/28194 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/78

Abstract: 一种成膜方法，包括：在硅基板表面形成氧化膜的工序；对所述氧化膜进行蚀刻，利用所述氧化膜形成界面氧化膜，使得利用XPS法测定的所述界面氧化膜的膜厚为以以上的工序；和利用MOCVD法，在氧化气氛中在所述界面氧化膜上形成HfO2膜的工序。

公开(公告)号：CN101326620B

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200780000645.3

申请日：2007-04-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 有贺美辉 ,  山崎和良 ,  青山真太郎 ,  下村晃司

IPC: H01L21/316 ,  H01L29/78 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/3144 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31641 ,  H01L29/518

Abstract: 本发明提供一种基板处理方法，在具有向高电介质膜中导入氮原子的第一处理位置和对上述高电介质膜进行热处理的第二处理位置的单片式基板处理装置中，将多个被处理基板按顺序逐个地向上述第一和第二处理位置搬送，对上述被处理基板上的高电介质膜按顺序进行上述氮原子的导入处理和上述热处理，将上述被处理基板在上述第一位置处理后，在上述第二处理位置在30秒以内开始对其处理。

公开(公告)号：CN100568462C

公开(公告)日：2009-12-09

申请号：CN200580027487.1

申请日：2005-08-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 新实宽明 ,  路吉·克罗姆伯 ,  下村晃司 ,  菅原卓也 ,  松土龙夫

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/28 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/022 ,  H01L21/02142 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/3165 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

Abstract: 通过暴露于等离子体来改进栅极电介质叠层(1)的方法和系统。该方法包括：提供具有形成在衬底(10，125)上的高k层(30)的栅极电介质叠层(1)；由包含惰性气体和含氧气体或含氮气体中的一种的处理气体生成等离子体，选择所述处理气体的压力以控制所述等离子体中的中性自由基相对于离子自由基的量；通过使所述叠层(1)暴露于所述等离子体来改进所述栅极电介质叠层(1)。

公开(公告)号：CN101326620A

公开(公告)日：2008-12-17

申请号：CN200780000645.3

申请日：2007-04-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 有贺美辉 ,  山崎和良 ,  青山真太郎 ,  下村晃司

IPC: H01L21/316 ,  H01L29/78 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/3144 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31641 ,  H01L29/518

Abstract: 本发明提供一种基板处理方法，在具有向高电介质膜中导入氮原子的第一处理位置和对上述高电介质膜进行热处理的第二处理位置的单片式基板处理装置中，将多个被处理基板按顺序逐个地向上述第一和第二处理位置搬送，对上述被处理基板上的高电介质膜按顺序进行上述氮原子的导入处理和上述热处理，将上述被处理基板在上述第一位置处理后，在上述第二处理位置在30秒以内开始对其处理。