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公开(公告)号：CN101154589B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN200710192997.5
申请日：2007-09-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/316 , C23C16/40
CPC classification number: C23C16/509 , C23C16/402 , C23C16/45542 , C23C16/45546 , H01J37/3244 , H01L21/02164 , H01L21/02222 , H01L21/02274 , H01L21/0228
Abstract: 本发明提供一种成膜方法和成膜装置，在能够选择地供给包括硅源气体的第一处理气体和包括氧化气体的第二处理气体的处理区域内，通过CVD在被处理基板上形成氧化膜。因此，多次重复下述循环，所述循环交替包括第一工序和第二工序。第一工序，供给第一处理气体，在被处理基板的表面上形成含硅的吸附层。第二工序，供给第二处理气体，对被处理基板的表面上的吸附层进行氧化。使用1价或2价的氨基硅烷气体作为硅源气体，相比于使用3价氨基硅烷气体作为硅源气体的情况，较低地设定循环中的处理温度。
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公开(公告)号：CN101140884B
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN200710167674.0
申请日：2007-09-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/316 , C23C16/455 , C23C16/40
CPC classification number: C23C16/45525 , C23C16/45527 , C23C16/45542 , C23C16/45544
Abstract: 本发明提供一种半导体处理用的成膜方法，在能够选择性供给第一处理气体、第二处理气体、第三处理气体的处理区域内，利用CVD法在被处理基板上形成氧化膜，其中第一处理气体包括含有膜源元素且不含氨气的源气体，第二处理气体包括氧化气体，第三处理气体包括预处理气体。第一工序包括将第三处理气体在利用激发机构激发的状态下供给的激发阶段，利用由此生成的所述预处理气体的自由基对所述被处理基板的表面进行预处理。第二工序是供给第一处理气体，由此，使膜源元素吸附到被处理基板的表面。第三工序包括将第二处理气体在利用激发机构激发的状态下供给的激发阶段，利用由此生成的所述氧化气体的自由基，使吸附在所述被处理基板的表面的膜源元素氧化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101651100A
公开(公告)日：2010-02-17
申请号：CN200910161097.3
申请日：2009-08-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/316 , H01L21/00 , C23C16/40
CPC classification number: H01L21/31641 , C23C16/40 , C23C16/45529 , C23C16/45546
Abstract: 本发明提供一种成膜方法及成膜装置。成膜方法向能保持真空的处理容器内插入被处理体，形成为将处理容器内保持真空的状态；通过对形成ZrO 2 膜时的锆原料和氧化剂的供给次数及形成SiO 2 膜时的硅原料和氧化剂的供给次数进行调整来进行形成ZrO 2 膜的工序和形成SiO 2 膜的工序，使得膜中的Si浓度为1～4atm％，形成ZrO 2 膜的工序是向处理容器内交替地多次供给锆原料和氧化剂而在基板上形成ZrO 2 膜的工序，形成SiO 2 膜的工序是向处理容器内交替地1次或多次供给硅原料和氧化剂而在基板上形成SiO 2 膜的工序；将上述供给次数的ZrO 2 膜成膜和SiO 2 膜成膜作为1个循环，进行该循环1个以上而形成规定膜厚的氧化锆系膜。
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公开(公告)号：CN101651100B
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN200910161097.3
申请日：2009-08-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/316 , H01L21/00 , C23C16/40
CPC classification number: H01L21/31641 , C23C16/40 , C23C16/45529 , C23C16/45546
Abstract: 本发明提供一种成膜方法及成膜装置。成膜方法向能保持真空的处理容器内插入被处理体，形成为将处理容器内保持真空的状态；通过对形成ZrO2膜时的锆原料和氧化剂的供给次数及形成SiO2膜时的硅原料和氧化剂的供给次数进行调整来进行形成ZrO2膜的工序和形成SiO2膜的工序，使得膜中的Si浓度为1～4atm％，形成ZrO2膜的工序是向处理容器内交替地多次供给锆原料和氧化剂而在基板上形成ZrO2膜的工序，形成SiO2膜的工序是向处理容器内交替地1次或多次供给硅原料和氧化剂而在基板上形成SiO2膜的工序；将上述供给次数的ZrO2膜成膜和SiO2膜成膜作为1个循环，进行该循环1个以上而形成规定膜厚的氧化锆系膜。
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公开(公告)号：CN101800162A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN201010106498.1
申请日：2010-01-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/316 , H01L21/285
CPC classification number: C23C16/45578 , C23C16/46 , H01L21/67109
Abstract: 本发明提供一种立式热处理装置用的构成构件、立式热处理装置及保温筒。用于通过堆积方式形成由金属氧化物构成的高电介质膜的立式热处理装置包括：反应容器，构成为以使多个被处理基板上下设有间隔地层叠的状态收纳该多个被处理基板；支承构件，用于在反应容器内支承被处理基板；加热器，用于对反应容器内的被处理基板进行加热；排气系统，用于对反应容器内进行排气；以及气体供给系统，用于对反应容器内供给金属源气体和氧化气体，气体供给系统包括配设在反应容器内的气体喷嘴，气体喷嘴由以钛为主要成分的金属构成。
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公开(公告)号：CN101154589A
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200710192997.5
申请日：2007-09-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/316 , C23C16/40
CPC classification number: C23C16/509 , C23C16/402 , C23C16/45542 , C23C16/45546 , H01J37/3244 , H01L21/02164 , H01L21/02222 , H01L21/02274 , H01L21/0228
Abstract: 本发明提供一种成膜方法和成膜装置，在能够选择地供给包括硅源气体的第一处理气体和包括氧化气体的第二处理气体的处理区域内，通过CVD在被处理基板上形成氧化膜。因此，多次重复下述循环，所述循环交替包括第一工序和第二工序。第一工序，供给第一处理气体，在被处理基板的表面上形成含硅的吸附层。第二工序，供给第二处理气体，对被处理基板的表面上的吸附层进行氧化。使用1价或2价的氨基硅烷气体作为硅源气体，相比于使用3价氨基硅烷气体作为硅源气体的情况，较低地设定循环中的处理温度。
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公开(公告)号：CN101140884A
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：CN200710167674.0
申请日：2007-09-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/316 , C23C16/455 , C23C16/40
CPC classification number: C23C16/45525 , C23C16/45527 , C23C16/45542 , C23C16/45544
Abstract: 本发明提供一种半导体处理用的成膜方法，在能够选择性供给第一处理气体、第二处理气体、第三处理气体的处理区域内，利用CVD法在被处理基板上形成氧化膜，其中第一处理气体包括含有膜源元素且不含氨气的源气体，第二处理气体包括氧化气体，第三处理气体包括预处理气体。第一工序包括将第三处理气体在利用激发机构激发的状态下供给的激发阶段，利用由此生成的所述预处理气体的自由基对所述被处理基板的表面进行预处理。第二工序是供给第一处理气体，由此，使膜源元素吸附到被处理基板的表面。第三工序包括将第二处理气体在利用激发机构激发的状态下供给的激发阶段，利用由此生成的所述氧化气体的自由基，使吸附在所述被处理基板的表面的膜源元素氧化。
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