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公开(公告)号：CN1716581A
公开(公告)日：2006-01-04
申请号：CN200510077882.2
申请日：2005-06-13
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H05K3/4688 , H01L23/49894 , H01L2224/0554 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/16225 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48227 , H01L2924/00014 , H01L2924/12044 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H05K1/0366 , H05K3/4652 , H05K3/4655 , H01L2224/05599 , H01L2924/00012 , H01L2224/0555 , H01L2224/0556
Abstract: 一种元件搭载基板，用于搭载元件，其包括基材和设于基材一侧的面的绝缘树脂膜。基材和绝缘树脂膜含有含浸环氧系树脂的玻璃纤维。绝缘树脂膜中含有的玻璃纤维比基材中含有的玻璃纤维的环氧系树脂的含浸比率高。
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公开(公告)号：CN1235276C
公开(公告)日：2006-01-04
申请号：CN200310119585.0
申请日：2003-12-04
Applicant: 三洋电机株式会社 , 关东三洋半导体股份有限公司
CPC classification number: H01L24/97 , H01L21/4846 , H01L23/3128 , H01L23/49894 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L2224/32225 , H01L2224/451 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2224/85913 , H01L2224/97 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/0101 , H01L2924/01011 , H01L2924/01018 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/07802 , H01L2924/12042 , H01L2924/13055 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/351 , H05K3/284 , H05K3/381 , Y10T29/49117 , Y10T29/49128 , Y10T29/4913 , Y10T29/49144 , Y10T29/49155 , Y10T29/49165 , H01L2924/00014 , H01L2224/85 , H01L2224/83 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00015
Abstract: 一种电路装置的制造方法，通过向在导电配线层上形成的外敷层树脂照射等离子体，提高外敷层树脂和密封树脂层的粘附。设置介由层间绝缘层(22)层积的第一导电膜(23A)及第二导电膜(23B)。通过选择地除去第一导电膜形成第一导电配线层(12A)，并由外敷层树脂(18)覆盖第一导电配线层。通过在外敷层树脂(18)上照射等离子体进行其表面的粗糙化。形成密封树脂(17)，以覆盖粗糙化的外敷层树脂(18)表面及电路元件(13)。
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公开(公告)号：CN1705108A
公开(公告)日：2005-12-07
申请号：CN200510074719.0
申请日：2005-05-31
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L23/12 , H01L23/50 , H01L23/28 , H01L23/34 , H01L23/40 , H05K1/05 , H01L21/48 , H01L21/50 , H01L41/083
CPC classification number: H05K3/421 , H01L21/4857 , H01L23/3121 , H01L23/49822 , H01L23/5383 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/97 , H01L2221/68377 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/451 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48472 , H01L2224/4903 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/07802 , H01L2924/10253 , H01L2924/12042 , H01L2924/1301 , H01L2924/13055 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19105 , H01L2924/19107 , H01L2924/351 , H05K1/056 , H05K3/0035 , H05K3/284 , H05K3/423 , H05K3/4647 , H05K3/4652 , H05K2201/0209 , H05K2201/09563 , H05K2201/096 , H05K2203/0369 , H05K2203/0554 , H05K2203/1476 , H01L2224/85 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/92247 , H01L2224/05599
Abstract: 一种电路装置及其制造方法，用于贯通绝缘层，将层积的多个配线层相互连接。本发明的混合集成电路装置(10)及其制造方法中，介由第一绝缘层(17A)层积第一导电膜(28A)，通过构图第一导电膜(28A)，形成第一配线层(18A)。其次，介由第二绝缘层(17B)层积第二导电膜(28B)。而且，通过部分地除去所希望位置的第二绝缘层(17B)和第二导电膜(28A)，形成将配线层相互间连接的连接部(25)。
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公开(公告)号：CN1677634A
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN200510059261.1
申请日：2005-03-25
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L23/5389 , H01L21/76804 , H01L21/76814 , H01L24/24 , H01L24/82 , H01L2224/24145 , H01L2224/24195 , H01L2224/32145 , H01L2224/73267 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01011 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01018 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01074 , H01L2924/01076 , H01L2924/01078 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，敷金属夹层孔通过如下工序形成：照射激光在绝缘树脂膜上形成开口的第一工序；通过干式蚀刻在绝缘树脂膜上形成开口的第二工序；在等离子氛围气下进行反向溅射的第三工序。
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公开(公告)号：CN1516272A
公开(公告)日：2004-07-28
申请号：CN200310120768.4
申请日：2003-12-03
Applicant: 三洋电机株式会社 , 关东三洋半导体股份有限公司
CPC classification number: H01L21/6835 , H01L23/49822 , H01L23/49838 , H01L23/49894 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/97 , H01L2221/68345 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/49171 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01087 , H01L2924/01088 , H01L2924/12042 , H01L2924/13055 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/19105 , H01L2924/30105 , H05K1/024 , H05K3/205 , H05K3/4676 , H05K3/4682 , H05K2201/068 , Y10S428/901 , Y10T428/24917 , H01L2224/85 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/0401
Abstract: 本发明提供一种具有改进的产品可靠性和高频性能的低分布和重量轻的半导体装置。刚好在电路器件410a和410b的下面配置了多层互连线结构。组成一部分多层互连线结构的夹层绝缘薄膜405由具有范围在1.0到3.7之内的相对电介质常数，和范围在从0.0001到0.02之内的介质损耗正切的一种材料形成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1096704C
公开(公告)日：2002-12-18
申请号：CN97120672.4
申请日：1997-09-06
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L21/3115 , H01L21/31
CPC classification number: H01L21/76859 , H01L21/76801 , H01L21/76802 , H01L21/76825 , H01L21/76829 , H01L21/7685 , H01L23/5329 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 提高有两层结构的绝缘膜之间的粘接强度，改善平面化和膜特性的半导体器件及其制造方法。半导体器件的制造方法中，在半导体衬底上形成至少有上下层的两层结构的绝缘膜。以后，在杂质至少到达上下绝缘膜之间的界面的条件下给上层绝缘膜引入杂质。使上下绝缘膜之间的粘接强度提高，上层绝缘膜不易剥离。
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公开(公告)号：CN102254874A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201110189450.6
申请日：2008-01-31
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L2224/11
Abstract: 本发明提供一种半导体模块、半导体模块的制造方法以及便携式设备，其目的在于提高半导体模块的电极部的连接可靠性。该种半导体模块，包括：在主表面具有与内部的半导体元件电连接的第一电极的基板，在所述基板上设置的绝缘层，在所述绝缘层上设置的布线层，与所述布线层一体地设置并且贯通所述绝缘层而与所述第一电极连接的第一导体部，以及从所述布线层向所述绝缘层内突出的第二导体部。
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公开(公告)号：CN101419949B
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN200810212821.6
申请日：2005-06-29
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L23/14 , H01L23/538 , H01L27/01 , H01L21/48 , H01L21/84 , H05K1/18 , H05K1/05 , H05K3/46 , H05K3/38
CPC classification number: H01L24/82 , H01L2224/24 , H01L2224/2413 , H01L2224/24145 , H01L2224/24195 , H01L2225/06568 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01024 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01088 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/19105 , H01L2924/00012
Abstract: 一种电路装置及其制造方法，通过在表面粗糙度Ra为0.3～10μm的金属性基体部件上设置埋入绝缘树脂膜中的多个半导体元件及无源元件等电路元件，在基体部件和绝缘树脂膜之间作用锚固效应，提高基体部件和绝缘树脂膜的附着性。
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公开(公告)号：CN1702863B
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN200510074687.4
申请日：2005-05-30
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/14 , H01L2924/00014
Abstract: 一种电路装置，可抑制绝缘层从衬底剥离的现象。该电路装置包括：衬底，其以含有第一金属层、第二金属层、第三金属层的金属为主体，其中，第一金属层具有第一热膨胀系数，第二金属层形成于第一金属层上且具有第二热膨胀系数，第三金属层形成于第二金属层上且具有第三热膨胀系数；绝缘层，其形成于衬底上；导电层，其形成于绝缘层上；电路元件，其和导电层电连接。
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公开(公告)号：CN101393871A
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200810145511.7
申请日：2004-09-30
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L21/48 , H01L21/50 , H01L21/60 , H01L23/498 , H01L25/00
CPC classification number: H01L21/6835 , H01L23/3128 , H01L23/498 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L25/16 , H01L2221/68345 , H01L2224/05554 , H01L2224/0603 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/49171 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2924/01013 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0105 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/12042 , H01L2924/13055 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19105 , H05K3/244 , H05K3/305 , H05K3/3452 , H05K3/381 , H05K2201/0989 , H05K2203/049 , H05K2203/095 , Y10S438/906 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 一种层积半导体芯片的半导体装置及其制造方法。其在电极膜表面形成粘合膜，再在其上形成覆盖膜。粘合膜的构成材料使用镍、铬、钼、钨、铝及这些金属的合金等。覆盖膜的材料使用金、银、白金及这些金属的合金等。
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