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公开(公告)号：CN110911278B
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN201910879827.7
申请日：2019-09-18
IPC: H01L21/306 , C23F1/18 , C23F1/26 , C23F1/20 , C23F1/28
Abstract: 公开了蚀刻金属阻挡层和金属层的方法以及制造半导体器件的方法。所述方法包括：在衬底上形成金属阻挡层和金属层；以及使用蚀刻组合物蚀刻金属阻挡层和金属层。蚀刻组合物可以包括：氧化剂，选自于硝酸、溴酸、碘酸、高氯酸、过溴酸、高碘酸、硫酸、甲磺酸、对甲苯磺酸、苯磺酸或它们的组合；金属蚀刻抑制剂，包括由如在说明书中所示的化学式1表示的化合物；以及金属氧化物增溶剂，选自于磷酸、磷酸盐、具有3个至20个碳原子的羧酸或它们的组合。
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公开(公告)号：CN111300258A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201910948775.4
申请日：2019-09-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种化学机械抛光(CMP)装置包括：抛光台板上的抛光垫；抛光垫上的抛光头，该抛光头具有用于将晶片保持在抛光垫上的隔膜、以及用于馈送抛光浆料的抛光浆料馈送线；以及保持环，围绕隔膜并与抛光垫接触以防止晶片脱离，该保持环包括连接到抛光浆料馈送线的抛光浆料馈送入口，以将抛光浆料馈送到抛光垫上。
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公开(公告)号：CN110872473A
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201910813838.5
申请日：2019-08-30
Applicant: 三星电子株式会社 , 凯斯科技股份有限公司
IPC: C09G1/02 , H01L21/306
Abstract: 本申请提供一种用于化学机械抛光工艺的浆料组合物，包括：约0.1％的重量到约10％的重量的抛光颗粒；约0.001％的重量到约1％的重量的胺化合物；约0.001％的重量到约1％的重量的第一阳离子化合物，其中，所述第一阳离子化合物是氨基酸；约0.001％的重量到约1％的重量的第二阳离子化合物，其中，所述第二阳离子化合物是有机酸；以及约1％的重量到约5％的重量的非离子多元醇，其中，所述非离子多元醇包括至少两个羟基。
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公开(公告)号：CN107953260A
公开(公告)日：2018-04-24
申请号：CN201710727476.9
申请日：2017-08-22
Applicant: 三星电子株式会社 , 二和金刚石工业株式会社
IPC: B24B53/017 , B24B37/005 , B24B49/16 , H01L21/66
CPC classification number: B24B53/017 , B24B37/005 , B24B37/042 , H01L21/3212 , H01L21/76802 , H01L21/7684 , H01L21/76843 , H01L21/76877 , H01L22/12 , H01L22/20 , B24B37/0053 , B24B49/16 , H01L22/26
Abstract: 一种化学机械抛光(CMP)方法包括准备抛光垫，确定在抛光垫的修整期间要施加到修整盘的第一负荷以及当将第一负荷施加到修整盘时修整盘的尖端插入到抛光垫中的第一压入深度，准备修整盘，并将修整盘置于抛光垫上，并且在将第一负荷施加到修整盘的同时通过使用修整盘来修整抛光垫的表面。
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公开(公告)号：CN102117698A
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN201010605685.4
申请日：2010-12-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01G4/00 , H01G4/002 , H01G4/005 , H01G4/06 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L28/91 , H01L27/10817 , H01L27/10852 , H01L28/87
Abstract: 本发明公开形成电容器及动态随机存取存储器器件的方法。在电容器的形成方法中，包括第一绝缘材料的第一模层图案可以形成在衬底上。第一模层图案可以具有沟槽。包括第二绝缘材料的支撑层可以形成在沟槽中。第二绝缘材料可以相对于第一绝缘材料具有蚀刻选择性。第二模层可以形成在第一模层图案和支撑层图案上。下电极可以形成为穿过第二模层和第一模层图案。下电极可以接触支撑层图案的侧壁。可以去除第一模层图案和第二模层。电介质层和上电极可以形成在下电极和支撑层图案上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101728329A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200910206176.1
申请日：2009-10-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8238 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/43
CPC classification number: H01L21/823842 , H01L21/82345 , H01L21/823462 , H01L21/823857
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其形成方法。该方法可以包括在衬底上形成金属氧化物层和在该金属氧化物层上形成牺牲氧化物层。在衬底上执行退火工艺。在退火工艺的工艺温度下，牺牲氧化物层的生成自由能大于金属氧化物层的生成自由能。
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公开(公告)号：CN117448824A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311566341.0
申请日：2019-09-18
Abstract: 公开了蚀刻金属阻挡层和金属层的方法以及制造半导体器件的方法。所述方法包括：在衬底上形成金属阻挡层和金属层；以及使用蚀刻组合物蚀刻金属阻挡层和金属层。蚀刻组合物可以包括：氧化剂，选自于硝酸、溴酸、碘酸、高氯酸、过溴酸、高碘酸、硫酸、甲磺酸、对甲苯磺酸、苯磺酸或它们的组合；金属蚀刻抑制剂，包括由如在说明书中所示的化学式1表示的化合物；以及金属氧化物增溶剂，选自于磷酸、磷酸盐、具有3个至20个碳原子的羧酸或它们的组合。
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公开(公告)号：CN116891748A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310350734.1
申请日：2023-04-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C09K13/00 , C09K13/06 , C23F1/20 , C23F1/26 , C23F1/30 , C23F1/36 , C23F1/38 , C23F1/40 , C23F1/02 , H01L21/3213
Abstract: 提供蚀刻组合物、通过使用其蚀刻含有金属的膜的方法、和通过使用其制造半导体器件的方法，所述蚀刻组合物包括氧化剂、铵盐、含水溶剂、和加速剂。所述铵盐包括铵阳离子和有机阴离子，和所述加速剂包括由式1‑1表示的化合物、由式1‑2表示的化合物、由式1‑3表示的化合物、由式1‑4表示的化合物、由式1‑5表示的化合物、由式1‑6表示的化合物、由式1‑7表示的化合物、由式1‑8表示的化合物、或其任意组合，其中，在式1‑1至1‑8中，CY1、X1至X6、T1、T1a、R2、Z1和a1各自如说明书中所定义的。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN111410964A
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN202010013430.2
申请日：2020-01-07
IPC: C09K13/04 , C09K13/06 , C09K13/08 , H01L21/311
Abstract: 本申请公开了蚀刻剂组合物和制作半导体器件的方法，所述组合物包含：无机酸；约0.01重量份至约0.5重量份的胶状二氧化硅；约0.01重量份至约30重量份的铵系添加剂；和约20重量份至约50重量份的溶剂，所有重量份都是基于100重量份的所述无机酸。
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