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公开(公告)号：CN115598942A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202210794402.8
申请日：2022-07-07
Applicant: 三星SDI株式会社(KR) , 三星电子株式会社(KR)
IPC: G03F7/42
Abstract: 本发明提供了一种从含金属的抗蚀剂去除边缘珠的组合物，及包括使用组合物去除边缘珠的步骤的形成图案的方法。该从含金属的抗蚀剂去除边缘珠的组合物包含有机溶剂、以及被至少一个羟基(‑OH)取代的七角环化合物，其中该七角环化合物在该环中具有至少两个双键。
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公开(公告)号：CN111300258B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN201910948775.4
申请日：2019-09-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种化学机械抛光(CMP)装置包括：抛光台板上的抛光垫；抛光垫上的抛光头，该抛光头具有用于将晶片保持在抛光垫上的隔膜、以及用于馈送抛光浆料的抛光浆料馈送线；以及保持环，围绕隔膜并与抛光垫接触以防止晶片脱离，该保持环包括连接到抛光浆料馈送线的抛光浆料馈送入口，以将抛光浆料馈送到抛光垫上。
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公开(公告)号：CN115598939A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202210793674.6
申请日：2022-07-07
Applicant: 三星SDI株式会社(KR) , 三星电子株式会社(KR)
Abstract: 本发明提供了一种含金属的光致抗蚀剂显影剂组合物，以及包括使用其进行显影步骤的形成图案的方法。该含金属的光致抗蚀剂显影剂组合物包含有机溶剂和被至少一个羟基(‑OH)取代的七角环化合物，其中七角环化合物在环中具有至少两个双键。
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公开(公告)号：CN108122752B
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN201711203216.8
申请日：2017-11-27
IPC: H01L21/311 , H01L21/67
Abstract: 公开蚀刻组合物和使用其制造半导体器件的方法。所述蚀刻组合物从包括氮化钛(TiN)膜和氮化钽(TaN)膜的堆叠的导电膜结构选择性地除去氮化钛膜。配置用于蚀刻氮化钛(TiN)的所述蚀刻组合物包括相对于所述蚀刻组合物的总重量的5重量％‑30重量％的过氧化氢、15重量％‑50重量％的酸化合物、和0.001重量％‑5重量％的腐蚀抑制剂，其中所述酸化合物包括如下的至少一种：磷酸(H3PO4)、硝酸(HNO3)、盐酸(HCl)、氢碘酸(HI)、氢溴酸(HBr)、高氯酸(HClO4)、硅酸(H2SiO3)、硼酸(H3BO3)、乙酸(CH3COOH)、丙酸(C2H5COOH)、乳酸(CH3CH(OH)COOH)、和乙醇酸(HOCH2COOH)。
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公开(公告)号：CN108122752A
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201711203216.8
申请日：2017-11-27
IPC: H01L21/311 , H01L21/67
Abstract: 公开蚀刻组合物和使用其制造半导体器件的方法。所述蚀刻组合物从包括氮化钛(TiN)膜和氮化钽(TaN)膜的堆叠的导电膜结构选择性地除去氮化钛膜。配置用于蚀刻氮化钛(TiN)的所述蚀刻组合物包括相对于所述蚀刻组合物的总重量的5重量％-30重量％的过氧化氢、15重量％-50重量％的酸化合物、和0.001重量％-5重量％的腐蚀抑制剂，其中所述酸化合物包括如下的至少一种：磷酸(H3PO4)、硝酸(HNO3)、盐酸(HCl)、氢碘酸(HI)、氢溴酸(HBr)、高氯酸(HClO4)、硅酸(H2SiO3)、硼酸(H3BO3)、乙酸(CH3COOH)、丙酸(C2H5COOH)、乳酸(CH3CH(OH)COOH)、和乙醇酸(HOCH2COOH)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102034829B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201010299123.1
申请日：2010-09-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L27/11578 , H01L27/11556 , H01L27/11582
Abstract: 本发明提供一种垂直型非易失性存储器件及其制造方法。在该垂直型非易失性存储器件中，绝缘层图案设置在衬底上，该绝缘层图案具有线形状。单晶半导体图案设置在衬底上以接触绝缘层图案的两个侧壁，单晶半导体图案具有在关于衬底的垂直方向上延伸的柱形。隧穿氧化物层设置在单晶半导体图案上。下电极层图案设置在隧穿氧化物层上以及在衬底上。多个绝缘中间层图案设置在下电极层图案上，绝缘中间层图案沿单晶半导体图案彼此间隔开一距离。电荷俘获层和阻挡电介质层依次形成在绝缘中间层图案之间的隧穿氧化物层上。多个控制栅极图案设置在绝缘中间层图案之间的阻挡电介质层上。上电极层图案设置在隧穿氧化物层上以及在绝缘中间层图案的最上部上。
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公开(公告)号：CN102034829A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN201010299123.1
申请日：2010-09-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L27/11578 , H01L27/11556 , H01L27/11582
Abstract: 本发明提供一种垂直型非易失性存储器件及其制造方法。在该垂直型非易失性存储器件中，绝缘层图案设置在衬底上，该绝缘层图案具有线形状。单晶半导体图案设置在衬底上以接触绝缘层图案的两个侧壁，单晶半导体图案具有在关于衬底的垂直方向上延伸的柱形。隧穿氧化物层设置在单晶半导体图案上。下电极层图案设置在隧穿氧化物层上以及在衬底上。多个绝缘中间层图案设置在下电极层图案上，绝缘中间层图案沿单晶半导体图案彼此间隔开一距离。电荷俘获层和阻挡电介质层依次形成在绝缘中间层图案之间的隧穿氧化物层上。多个控制栅极图案设置在绝缘中间层图案之间的阻挡电介质层上。上电极层图案设置在隧穿氧化物层上以及在绝缘中间层图案的最上部上。
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公开(公告)号：CN118421318A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410023611.1
申请日：2024-01-08
Applicant: 三星电子株式会社 , 东友精细化工有限公司
IPC: C09K13/08 , H01L21/306 , C09K13/00
Abstract: 本公开内容涉及用于蚀刻硅和硅锗的蚀刻剂组合物、和/或使用所述蚀刻剂组合物的图案的制备方法。所述蚀刻剂组合物可包括氧化剂、基于氟的化合物、由化学式1或2表示的表面活性剂和水。所述蚀刻剂组合物可以5重量％‑40重量％的量包括所述表面活性剂，基于100重量％的所述蚀刻剂组合物。
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公开(公告)号：CN116904990A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310178446.2
申请日：2023-02-28
Applicant: 东友精细化工有限公司 , 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及一种含有高碘酸和铵离子且具有6至7.5的pH值的钌蚀刻液组合物、一种包括使用该蚀刻液组合物来蚀刻钌金属膜的图案形成方法、一种包括该图案形成方法的制造用于显示装置的阵列基板的方法、以及一种根据该制造方法制造的用于显示装置的阵列基板。
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公开(公告)号：CN111300258A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201910948775.4
申请日：2019-09-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种化学机械抛光(CMP)装置包括：抛光台板上的抛光垫；抛光垫上的抛光头，该抛光头具有用于将晶片保持在抛光垫上的隔膜、以及用于馈送抛光浆料的抛光浆料馈送线；以及保持环，围绕隔膜并与抛光垫接触以防止晶片脱离，该保持环包括连接到抛光浆料馈送线的抛光浆料馈送入口，以将抛光浆料馈送到抛光垫上。
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