公开(公告)号：CN110872473A

公开(公告)日：2020-03-10

申请号：CN201910813838.5

申请日：2019-08-30

Applicant: 三星电子株式会社 ,  凯斯科技股份有限公司

Inventor： 朴尚铉 ,  李晓山 ,  许元己 ,  金廷润 ,  黄晙夏 ,  权昌吉 ,  李性表

IPC: C09G1/02 ,  H01L21/306

Abstract: 本申请提供一种用于化学机械抛光工艺的浆料组合物，包括：约0.1％的重量到约10％的重量的抛光颗粒；约0.001％的重量到约1％的重量的胺化合物；约0.001％的重量到约1％的重量的第一阳离子化合物，其中，所述第一阳离子化合物是氨基酸；约0.001％的重量到约1％的重量的第二阳离子化合物，其中，所述第二阳离子化合物是有机酸；以及约1％的重量到约5％的重量的非离子多元醇，其中，所述非离子多元醇包括至少两个羟基。

公开(公告)号：CN109135579A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201810615141.2

申请日：2018-06-14

Applicant: 三星电子株式会社 ,  凯斯科技股份有限公司

Inventor： 朴承浩 ,  权昌吉 ,  李性表 ,  黄晙夏 ,  金相均 ,  朴慧圣 ,  辛受映 ,  李愚仁 ,  李洋熙 ,  朴钟爀 ,  尹一永

IPC: C09G1/02 ,  H01L21/3105

CPC classification number: C09G1/02 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/31051

Abstract: 提供一种化学机械抛光(CMP)浆料组合物及一种使用化学机械抛光浆料组合物制作半导体器件的方法。化学机械抛光(CMP)浆料组合物包含：磨料颗粒；第一阳离子化合物，包含氨基酸、聚亚烷基二醇、与葡糖胺化合物键结的聚合物多糖及含有胺基的聚合物中的至少任一者；第二阳离子化合物，包含有机酸；以及非离子化合物，包含聚醚胺。本发明的化学机械抛光浆料组合物具有相对高的氧化物膜对半导体膜抛光选择性且能够改善凹陷及刮擦。

公开(公告)号：CN116136830A

公开(公告)日：2023-05-19

申请号：CN202211320610.0

申请日：2022-10-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 秋喆焕 ,  黄晙夏 ,  黄斗熙

IPC: G06F13/16 ,  G06F13/40

Abstract: 提供了一种存储器件、驱动存储器件的方法以及驱动主机装置的方法。所述存储器件包括：存储单元，所述存储单元用于存储数据；以及存储器控制器，所述存储器控制器被配置为：检查是否使用动态电压频率缩放核(DVFSC)操作，响应于使用所述DVFSC操作检查存储在所述存储器件中的指示主机装置的设置的信息，基于所述信息来确定用于所述DVFSC操作的低电压的电平，并且向所述主机装置发送确定出的用于所述DVFSC操作的所述低电压的电平。

公开(公告)号：CN115705871A

公开(公告)日：2023-02-17

申请号：CN202210890030.9

申请日：2022-07-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄晙夏 ,  秋喆焕 ,  吴桂植 ,  李泳斌 ,  赵娍苑

IPC: G11C11/406

Abstract: 提供了一种操作主机设备以控制包括寄存器的存储设备的方法。该方法包括：向存储设备提供指示掩蔽段和非掩蔽段当中的非掩蔽段的部分阵列刷新设置；向存储设备提供刷新命令；以及向存储设备提供针对掩蔽段的写入命令，以控制存储设备在基于刷新命令在存储设备中执行部分阵列刷新的同时存储数据。

公开(公告)号：CN118053467A

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202310907998.2

申请日：2023-07-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄晙夏 ,  李泳斌 ,  金刚逸 ,  宋新美 ,  吴起硕 ,  黄斗熙

IPC: G11C11/406 ,  G11C29/42

Abstract: 提供了一种存储器件、存储器件的操作方法和存储系统。所述存储器件包括：包括多个存储单元行的存储单元阵列；刷新控制电路，其被配置为输出刷新行地址以控制将对所述多个存储单元行中的至少一个存储单元行执行的刷新操作；以及控制逻辑电路，其被配置为从存储控制器接收与多个模式中的模式相对应的错误检查和清理(ECS)设定数据，将所述ECS设定数据存储在模式寄存器中，并且响应于从所述存储控制器提供的刷新命令，基于所述ECS设定数据的值向所述刷新控制电路提供要被刷新的存储单元行的目标行地址。

公开(公告)号：CN116848205A

公开(公告)日：2023-10-03

申请号：CN202280013808.6

申请日：2022-03-07

Applicant: 凯斯科技股份有限公司

Inventor： 金正训 ,  黄晙夏 ,  权五星

IPC: C09G1/02

Abstract: 本发明涉及一种抛光浆料组合物，其包括：纳米氧化铈抛光粒子；以及分子中含有亲水基团的水溶性化合物。可选地，所述抛光浆料组合物还包括含有分子内胺基及羧基的两性化合物、含有有机酸的表面改性剂及pH调节剂中的至少一个以上。

公开(公告)号：CN113195658A

公开(公告)日：2021-07-30

申请号：CN201980084398.2

申请日：2019-07-11

Applicant: 凯斯科技股份有限公司

Inventor： 金廷润 ,  黄晙夏 ,  朴光洙 ,  梁海元

IPC: C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  C09G1/04

Abstract: 本发明涉及一种用于STI工艺的抛光料浆组合物，并且更具体地涉及用于STI工艺的抛光料浆组合物，所述抛光料浆组合物包括：具有抛光粒子的抛光液；以及添加液，所述添加液包括具有酰胺键的聚合物，以及包括具有与一个以上的原子连接的三个以上链的单体的多晶硅膜抛光抑制剂。

公开(公告)号：CN114958207B

公开(公告)日：2024-01-19

申请号：CN202210166968.6

申请日：2022-02-23

Applicant: 爱思开海力士有限公司 ,  凯斯科技股份有限公司

Inventor： 金永俊 ,  姜旼澈 ,  姜贤求 ,  黄晙夏 ,  崔洛炫 ,  朴光洙

IPC: C09G1/02 ,  H01L21/3105

Abstract: 本发明涉及一种用于对氧化硅膜进行抛光的CMP浆料组合物，该CMP浆料组合物通过包括磨粒(A)、分散剂(B)、辅助分散剂(C)、非离子添加剂(D)、pH调节剂(E)和残留的超纯水(F)，可以减少在氧化硅膜的抛光或平坦化工艺期间产生的碟形缺陷和划痕的量，其中，所述分散剂(B)包括含有芳环和一个或更多个羧基基团(‑COOH)的有机酸化合物，并且所述pH调节剂(E)包括含有一个或更多个羟基基团(‑OH)和一个羧基基团(‑COOH)的有机化合物。

公开(公告)号：CN115612407A

公开(公告)日：2023-01-17

申请号：CN202210809900.5

申请日：2022-07-11

Applicant: 凯斯科技股份有限公司

Inventor： 李正揆 ,  张孝俊 ,  黄晙夏

IPC: C09G1/02

Abstract: 本发明涉及一种新型铈基粒子及包括其的抛光浆料组合物，更具体地，涉及一种铈基粒子及包括其的抛光浆料组合物，其中所述铈基粒子包括：微粒子的自组装体；以及有机物。

公开(公告)号：CN109689828B

公开(公告)日：2021-05-07

申请号：CN201780054508.1

申请日：2017-06-21

Applicant: 凯斯科技股份有限公司

Inventor： 崔洛炫 ,  朴光洙 ,  金廷润 ,  黄晙夏

IPC: C09K3/14 ,  C09G1/02

Abstract: 本发明涉及表面改性胶体二氧化铈抛光粒子、其制造方法及包括此的抛光料浆组合物，根据本发明的一个实施例的表面改性胶体二氧化铈抛光粒子，包括：胶体二氧化铈抛光粒子；及铈元素及羟基(‑OH)，形成在所述胶体二氧化铈抛光粒子表面上。