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公开(公告)号：CN117127186A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202310605238.6
申请日：2023-05-26
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 姜炳俊 , 金地洹 , 金圣玟 , 金煌奭 , 吴政玟 , 李晓山 , 崔炳基 , 咸喆 , 黄圭荣
IPC: C23G1/02
Abstract: 提供用于除去表面上残留物的清洁组合物及使用其清洁含有金属的膜和制造半导体器件的方法。所述用于除去表面上残留物的清洁组合物包括溶剂和清洁促进剂，并且不包括氧化剂，其中所述清洁促进剂包括由式1A表示的盐和由式1B表示的盐的至少一种，其中在式1A和1B中，各基团和变量如说明书中所描述的。
