公开(公告)号：CN101728329B

公开(公告)日：2015-07-08

申请号：CN200910206176.1

申请日：2009-10-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 玄尚镇 ,  崔时荣 ,  申裕均 ,  徐康一 ,  赵学柱 ,  罗勋奏 ,  李晓山 ,  朴全雄 ,  李惠兰 ,  洪炯硕

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/43

CPC classification number: H01L21/823842 ,  H01L21/82345 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823857

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其形成方法。该方法可以包括在衬底上形成金属氧化物层和在该金属氧化物层上形成牺牲氧化物层。在衬底上执行退火工艺。在退火工艺的工艺温度下，牺牲氧化物层的生成自由能大于金属氧化物层的生成自由能。

公开(公告)号：CN101728329A

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200910206176.1

申请日：2009-10-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 玄尚镇 ,  崔时荣 ,  申裕均 ,  徐康一 ,  赵学柱 ,  罗勋奏 ,  李晓山 ,  朴全雄 ,  李惠兰 ,  洪炯硕

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/43

CPC classification number: H01L21/823842 ,  H01L21/82345 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823857

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其形成方法。该方法可以包括在衬底上形成金属氧化物层和在该金属氧化物层上形成牺牲氧化物层。在衬底上执行退火工艺。在退火工艺的工艺温度下，牺牲氧化物层的生成自由能大于金属氧化物层的生成自由能。