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公开(公告)号：CN104078420B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201410337539.6
申请日：2014-07-16
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/768 , H01L23/532
Abstract: 本发明属于超大规模集成电路制造技术领域，具体为一种基于BTEM前驱体的超低介电常数薄膜及其制备方法。本发明以1，2-二（三乙氧基硅基）甲烷为前驱体，通过添加表面活性剂聚环氧乙烷-聚环氧丙烷-聚环氧乙烷三嵌段共聚物、盐酸、乙醇和去离子水，制备溶胶溶液；然后，采用旋涂技术和后退火处理，获得性能良好的超低介电常数薄膜材料，其介电常数值（k）在1.8-2.0之间，0.5 MV/cm的电场强度下漏电流密度在10-10-10-9 A/cm2数量级，杨氏模量为8-20 GPa，硬度为0.8-1.5 GPa。
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公开(公告)号：CN106252373A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610815101.3
申请日：2016-09-09
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/15 , H01L21/8252
Abstract: 本发明属于光电技术领域，具体为一种GaN基集成器件及其制备方法。本发明器件，包括：GaN衬底；发光二极管，位于所述GaN衬底的发光二极管器件区，自下而上依次包括n型GaN层、发光层、p型 GaN层和顶电极；高电子迁移率晶体管，位于所述GaN衬底的高电子迁移率晶体管器件区，自下而上依次包括AlN阻挡层、AlGaN 势垒层以及位于所述AlGaN势垒层上的栅极和源极，其中所述AlN阻挡层和所述AlGaN势垒层与所述n型GaN层相接触。本发明器件能够有效避免由于位错问题导致的器件性能的退化，同时通过改变高电子迁移率晶体管的栅压可以精确调控发光二极管的发光强度，有助于更好的应用在智能照明领域。
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公开(公告)号：CN104164660B
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201410425697.7
申请日：2014-08-26
Applicant: 复旦大学
IPC: C23C16/513 , C23C16/448 , C23C16/56 , H01L21/768
Abstract: 本发明属于超大规模集成电路制造技术领域，具体为一种低介电常数多孔SiOCNH薄膜及其制备方法。本发明采用PECVD工艺，以MTES以及LIMO为液态源，经过汽化后随氦气载入腔体与氨气混合，通过控制沉积过程中的衬底温度、射频功率、反应腔内的工作压强、反应源配比等工艺参数，沉积得到无机‑有机复合薄膜，再经过热退火处理除去有机成分，最终得到低介电常数多孔SiOCNH薄膜。该薄膜的介电常数为2.38±0.06～2.58±0.05；在1MV/cm的电场强度下漏电流密度达到10‑9～10‑8A/cm2数量级；杨氏模量为35.41～36.31 GPa，硬度为1.88～2.48 GPa。由于薄膜中掺入了氮元素，该低介电常数材料薄膜不仅具有较好电学性能，还具有优异的力学性能。
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公开(公告)号：CN103956331B
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201410175490.9
申请日：2014-04-29
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/768 , H01L23/522
Abstract: 本发明属于超大规模集成电路制造技术领域，具体为一种用于多孔互连介质表面封孔材料的制备方法。本发明以有机液态源三‑乙氧基甲基硅烷（MTES）为液态源，经过汽化后随氦（He）载气进入腔体与C2F6气体混合，采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）工艺，在多孔低介电常数互连介质表面沉积一层薄膜。该薄膜的介电常数为2.8‑3.3，在1MV/cm的电场强度下漏电流密度为10‑9A/cm2数量级，杨氏模量为16.21‑37.33 GPa，硬度为1.25‑3.03 GPa。该材料薄膜在超大规模集成电路后端互连中，可用于多孔互连介质层的封孔，同时起到增强多孔介质层与盖帽层或扩散阻挡层之间的黏附强度。
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公开(公告)号：CN103021821B
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201210491549.6
申请日：2012-11-27
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/20 , H01L21/268
Abstract: 本发明涉及半导体工艺技术领域，公开了一种位于柔性衬底上的半导体结构的退火方法。本发明中，通过采用微波加热方式，对位于柔性衬底上的金属或者半导体结构进行退火，由于微波加热对物质具有选择性加热的特性，使得在对位于柔性衬底上的金属或半导体结构退火时，可选择性地只对非晶硅层或者金属层加热，而柔性衬底不会吸收或基本不吸收微波能量，因此柔性衬底不会在微波退火时被加热到很高的温度，从而保证了柔性衬底不被破坏；而且微波加热能使被加热物料内外同时加热、同时升温，加热均匀，因此，本发明提供的方法能在低温下完成对位于柔性衬底上的金属或半导体结构的退火，并且加热均匀，加热能耗效率高。
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公开(公告)号：CN105870205A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201610259220.5
申请日：2016-04-25
Applicant: 复旦大学 , 镓特半导体科技(上海)有限公司
IPC: H01L29/868 , H01L29/36 , H01L21/329
CPC classification number: H01L29/868 , H01L29/36 , H01L29/6609
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种GaN基混合PIN肖特基二极管及其制备方法。本发明的GaN基混合PIN肖特基二极管包括：GaN衬底；GaN外延层，形成于所述GaN衬底上；多个GaN结构层，形成于所述GaN外延层上；第一金属结构，形成于所述GaN结构层以及各GaN结构层之间的所述GaN外延层上，与所述GaN外延层之间形成肖特基接触。此外，还包括第二金属结构，位于所述GaN衬底的背面，与所述GaN衬底形成欧姆接触。本发明能够在不损失芯片面积情况下获得更高的反向击穿电压；同时，避免了由于位错问题导致的器件性能的退化，可以很好的应用于功率电子领域。
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公开(公告)号：CN105304813A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201510608221.1
申请日：2015-09-23
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明属于人工神经技术领域，具体为一种神经突触仿生器件及其制备方法。本发明的神经突触仿生器件包括衬底、位于衬底之上的底电极、位于底电极之上的阻变功能层、以及位于阻变功能层之上的顶电极；其中，所述电阻转变层包括上下两层氧化层、以及位于上下两层之间的金属纳米颗粒。本发明釆用柔性材料作衬底，突破了目前有关神经突触仿生器件的研究集中于硅基的忆阻器的局面，可在柔性电子设备中获得应用。在神经突触仿生器件的制备中，采用低温原子层淀积工艺生长氧化层，能够降低热预算，并能够保证器件性能。
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公开(公告)号：CN103219376B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201310098145.5
申请日：2013-03-25
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明属于高电子迁移率器件技术领域，具体涉及一种氮化镓射频功率器件及其制备方法。本发明采用先栅工艺制备氮化镓射频功率器件，利用栅极侧墙来实现栅极与源极位置的自对准，减小了产品参数的漂移。同时，由于栅极被钝化层保护，使得源极与漏极能够在栅极形成之后通过合金化工艺来形成，降低了源、漏接触电阻，增强了氮化镓射频功率器件的电学性能。
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公开(公告)号：CN102229421B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201110106336.2
申请日：2011-04-26
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米线结构的制备方法，该方法通过在多晶半导体层两侧的侧壁表面沉积金属薄膜，所述金属薄膜中的金属向所述多晶半导体层的侧壁表面扩散，经过退火后，在所述多晶半导体层的侧壁表面形成金属半导体化合物纳米线，由于本发明提供的纳米线结构的制备方法不需要利用高分辨率的光刻技术来形成纳米线，因而大大节约了制备成本，并且本发明制备的金属半导体化合物纳米线还可以作为掩模，将其纳米结构图形转移到下一层结构，从而为纳米线结构的制备提供了方便。
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