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公开(公告)号：CN103035533B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201210537421.9
申请日：2012-12-12
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/336 , H01L21/203 , H01L21/324 , H01L29/78
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种超浅结半导体场效应晶体管的制备方法。本发明中，通过在形成了栅极结构的半导体衬底上，以金属和半导体掺杂杂质的混合物做靶材，采用物理气相沉积PVD法在半导体衬底上淀积混合物薄膜，并对淀积了混合物薄膜的半导体衬底进行加热退火，形成金属硅化物和超浅结；去除半导体衬底表面剩余的混合物薄膜，形成超浅结半导体场效应晶体管。由于采用金属和半导体掺杂杂质的混合物做靶材淀积混合物薄膜，并进行加热退火，同步形成超浅结和超薄金属硅化物，可以应用在14纳米、11纳米及以下技术节点场效应晶体管中。
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公开(公告)号：CN104269438A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201410472808.X
申请日：2014-09-16
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/786 , H01L29/0847 , H01L29/66742
Abstract: 本发明涉及半导体制造领域，公开了一种无结场效应晶体管及其制备方法。本发明中，能够获得具有关态漏电小，能有效克服短沟道效应等优点的无结场效应管，此外，使源区和漏区采用肖特基接触引出，能够降低源区和漏区的接触电阻，从而增加了驱动电流，而且工艺步骤简单。
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公开(公告)号：CN103021821B
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201210491549.6
申请日：2012-11-27
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/20 , H01L21/268
Abstract: 本发明涉及半导体工艺技术领域，公开了一种位于柔性衬底上的半导体结构的退火方法。本发明中，通过采用微波加热方式，对位于柔性衬底上的金属或者半导体结构进行退火，由于微波加热对物质具有选择性加热的特性，使得在对位于柔性衬底上的金属或半导体结构退火时，可选择性地只对非晶硅层或者金属层加热，而柔性衬底不会吸收或基本不吸收微波能量，因此柔性衬底不会在微波退火时被加热到很高的温度，从而保证了柔性衬底不被破坏；而且微波加热能使被加热物料内外同时加热、同时升温，加热均匀，因此，本发明提供的方法能在低温下完成对位于柔性衬底上的金属或半导体结构的退火，并且加热均匀，加热能耗效率高。
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公开(公告)号：CN104241382A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410472812.6
申请日：2014-09-16
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/78 , H01L29/41766 , H01L29/66477
Abstract: 本发明涉及半导体制造领域，公开了一种金属源漏接触、场效应晶体管及其制备方法。本发明中，在金属硅化物与源区或漏区交界处形成具有掺杂离子的分凝区，能有效降低肖特基势垒高度，大大降低了源漏接触电阻。提出的场效应晶体管采用金属源漏接触将源区和漏区引出，使形成的场效应管具有较低的源漏接触电阻，能够提高其性能。
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公开(公告)号：CN103035533A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201210537421.9
申请日：2012-12-12
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/336 , H01L21/203 , H01L21/324 , H01L29/78
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种超浅结半导体场效应晶体管及其制备方法。本发明中，通过在形成了栅极结构的半导体衬底上，以金属和半导体掺杂杂质的混合物做靶材，采用物理气相沉积PVD法在半导体衬底上淀积混合物薄膜，并对淀积了混合物薄膜的半导体衬底进行加热退火，形成金属硅化物和超浅结；去除半导体衬底表面剩余的混合物薄膜，形成超浅结半导体场效应晶体管。由于采用金属和半导体掺杂杂质的混合物做靶材淀积混合物薄膜，并进行加热退火，同步形成超浅结和超薄金属硅化物，可以应用在14纳米、11纳米及以下技术节点场效应晶体管中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102655176A
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN201210144846.3
申请日：2012-05-10
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明涉及半导体工艺技术领域，公开了一种具有纳米线结构的电容器及其制备方法。在本发明中，先在衬底上形成第一导电层；然后在第一导电层上制备金属半导体化合物纳米线，构成底层金属；依次在底层金属上形成介质层、金属层，并由该金属层构成上层金属。本发明通过在第一导电层上制备金属半导体化合物纳米线，构成电容器结构的底层金属，增加了电容器结构的电极面积，从而增大了电容器的电容量；由于在第一导电层上制备的金属半导体化合物具有纳米线结构，使得构成的底层金属具备立体结构，因此可使得电容器结构在同等芯片面积下，增加了电容表面积，从而增大了电容器的电容量，即提供了小尺寸大容量的电容器结构。
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公开(公告)号：CN104269358A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201410472750.9
申请日：2014-09-16
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66537 , H01L21/26506 , H01L21/26513 , H01L21/2658 , H01L21/324 , H01L29/1033 , H01L29/665 , H01L29/66545 , H01L29/6659 , H01L29/7833 , H01L29/66045
Abstract: 本发明提出了一种半导体器件的制备方法，在半导体衬底内形成非晶化区，然后将半导体器件中的源漏区形成在非晶化区内，非晶化区能够抑制源漏区末端缺陷的生成，从而能够很好的降低半导体器件源漏区和半导体衬底之间的漏电；此外，在去除虚拟栅结构之后，在沟道区内形成短沟道抑制区，能够抑制半导体器件的短沟道效应，满足器件特征尺寸不断减小的需求。
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公开(公告)号：CN103021865B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201210536723.4
申请日：2012-12-12
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/78
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种金属硅化物薄膜和超浅结的制作方法。本发明中，通过采用金属和半导体掺杂杂质的混合物做靶材，物理气相沉积PVD法在半导体衬底上淀积混合物薄膜，湿法去除该混合物薄膜，并进行退火形成金属硅化物薄膜和超浅结。由于采用金属和半导体掺杂杂质的混合物做靶材淀积混合物薄膜，并在进行加热退火之前，湿法去除混合物薄膜，使得在半导体场效应晶体管制作过程中能同步形成自限制极限超薄均匀金属硅化物薄膜及超浅结，可以应用在14纳米、11纳米及以下技术节点场效应晶体管中。
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公开(公告)号：CN102655176B
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201210144846.3
申请日：2012-05-10
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明涉及半导体工艺技术领域，公开了一种具有纳米线结构的电容器及其制备方法。在本发明中，先在衬底上形成第一导电层；然后在第一导电层上制备金属半导体化合物纳米线，构成底层金属；依次在底层金属上形成介质层、金属层，并由该金属层构成上层金属。本发明通过在第一导电层上制备金属半导体化合物纳米线，构成电容器结构的底层金属，增加了电容器结构的电极面积，从而增大了电容器的电容量；由于在第一导电层上制备的金属半导体化合物具有纳米线结构，使得构成的底层金属具备立体结构，因此可使得电容器结构在同等芯片面积下，增加了电容表面积，从而增大了电容器的电容量，即提供了小尺寸大容量的电容器结构。
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