公开(公告)号：CN102184961B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201110106296.1

申请日：2011-04-26

Applicant: 复旦大学

Inventor： 吴东平 ,  胡成 ,  朱伦 ,  朱志炜 ,  张世理 ,  张卫

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/49 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/28008 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/28097 ,  H01L21/28105 ,  H01L21/2815 ,  H01L21/28518 ,  H01L29/04 ,  H01L29/4975 ,  H01L29/66575 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7835

Abstract: 本发明公开了一种非对称栅MOS器件，其栅极为金属栅，且所述金属栅的功函数在所述MOS器件的源端与漏端不同，从而使得MOS器件的整体性能参数更加优化；同时，还公开了一种非对称栅MOS器件的制备方法，该方法通过对MOS器件的栅极进行离子注入掺杂，使所述栅极的功函数在所述MOS器件的源端与漏端不同，从而使得MOS器件的整体性能参数更加优化，该方法简单方便。

公开(公告)号：CN102184962A

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：CN201110106298.0

申请日：2011-04-26

Applicant: 复旦大学

Inventor： 吴东平 ,  朱伦 ,  胡成 ,  朱志炜 ,  张世理 ,  张卫

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/49 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明公开了一种MOS器件，其栅极包括多晶半导体层及位于所述多晶半导体层两侧侧壁上的金属半导体化合物，由于其栅极包括部分的金属半导体化合物(即包括部分的金属栅)，因而可降低多晶栅极的耗尽效应，提高MOS器件的性能；同时，本发明还公开了一种MOS器件的制备方法，该方法将MOS器件的栅极制备成包括多晶半导体层及位于所述多晶半导体层两侧侧壁上的金属半导体化合物，由于该MOS器件的栅极包括部分的金属半导体化合物，因而可降低多晶栅极的耗尽效应，提高MOS器件的性能。

公开(公告)号：CN102201343A

公开(公告)日：2011-09-28

申请号：CN201110106317.X

申请日：2011-04-26

Applicant: 复旦大学

Inventor： 吴东平 ,  胡成 ,  朱伦 ,  朱志炜 ,  张世理 ,  张卫

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/78 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L21/28518 ,  H01L21/28097 ,  H01L21/2815 ,  H01L21/28255 ,  H01L21/28264 ,  H01L21/32053 ,  H01L29/04 ,  H01L29/413 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/4975 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/66575 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明公开了一种纳米MOS器件的制备方法，其制备的栅极为金属栅，因而可避免多晶栅极的耗尽效应，提高MOS器件的性能；并且该方法是通过在多晶半导体层两侧的侧壁表面沉积金属薄膜，所述金属薄膜中的金属向所述多晶半导体层的侧壁表面扩散，经过退火后，在所述多晶半导体层的侧壁表面形成金属半导体化合物纳米线(即金属栅)，而不需要利用高分辨率的光刻技术来形成金属半导体化合物纳米线，因而大大节约了成本；同时，还公开了一种纳米MOS器件，其栅极为金属栅，因而可避免多晶栅极的耗尽效应，提高MOS器件的性能。

公开(公告)号：CN102229421B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201110106336.2

申请日：2011-04-26

Applicant: 复旦大学

Inventor： 吴东平 ,  朱伦 ,  胡成 ,  朱志炜 ,  张世理 ,  张卫

IPC: B82B3/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种纳米线结构的制备方法，该方法通过在多晶半导体层两侧的侧壁表面沉积金属薄膜，所述金属薄膜中的金属向所述多晶半导体层的侧壁表面扩散，经过退火后，在所述多晶半导体层的侧壁表面形成金属半导体化合物纳米线，由于本发明提供的纳米线结构的制备方法不需要利用高分辨率的光刻技术来形成纳米线，因而大大节约了制备成本，并且本发明制备的金属半导体化合物纳米线还可以作为掩模，将其纳米结构图形转移到下一层结构，从而为纳米线结构的制备提供了方便。

公开(公告)号：CN102184961A

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：CN201110106296.1

申请日：2011-04-26

Applicant: 复旦大学

Inventor： 吴东平 ,  胡成 ,  朱伦 ,  朱志炜 ,  张世理 ,  张卫

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/49 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/28008 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/28097 ,  H01L21/28105 ,  H01L21/2815 ,  H01L21/28518 ,  H01L29/04 ,  H01L29/4975 ,  H01L29/66575 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7835

Abstract: 本发明公开了一种非对称栅MOS器件，其栅极为金属栅，且所述金属栅的功函数在所述MOS器件的源端与漏端不同，从而使得MOS器件的整体性能参数更加优化；同时，还公开了一种非对称栅MOS器件的制备方法，该方法通过对MOS器件的栅极进行离子注入掺杂，使所述栅极的功函数在所述MOS器件的源端与漏端不同，从而使得MOS器件的整体性能参数更加优化，该方法简单方便。

公开(公告)号：CN102229421A

公开(公告)日：2011-11-02

申请号：CN201110106336.2

申请日：2011-04-26

Applicant: 复旦大学

Inventor： 吴东平 ,  朱伦 ,  胡成 ,  朱志炜 ,  张世理 ,  张卫

IPC: B82B3/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种纳米线结构的制备方法，该方法通过在多晶半导体层两侧的侧壁表面沉积金属薄膜，所述金属薄膜中的金属向所述多晶半导体层的侧壁表面扩散，经过退火后，在所述多晶半导体层的侧壁表面形成金属半导体化合物纳米线，由于本发明提供的纳米线结构的制备方法不需要利用高分辨率的光刻技术来形成纳米线，因而大大节约了制备成本，并且本发明制备的金属半导体化合物纳米线还可以作为掩模，将其纳米结构图形转移到下一层结构，从而为纳米线结构的制备提供了方便。