公开(公告)号：CN103159955A

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN201310069430.4

申请日：2013-03-05

Applicant: 复旦大学

Inventor： 丁士进 ,  丁子君 ,  张卫

IPC: C08G77/06 ,  C08G77/34

Abstract: 本发明属于集成电路互连介质材料技术领域，具体为一种低介电常数材料前驱体的合成方法，即为一种七缺角的笼型倍半硅氧烷（POSS）单体合成改性POSS聚合物的方法。本发明由七缺角笼型倍半硅氧烷（POSS）单体和不饱和化合物1,5-己二烯进行加成反应，制备改性的POSS聚合物的方法。该改性聚合物可作为低介电常数材料的前驱体，用于集成电路互连介质。由于该改性聚合物中含有无机和有机化学键成份，因此兼具无机和有机材料的复合性能。此外，该聚合物本身含有约2-3nm的闭合孔径，因此可以有效降低材料本身的介电常数，是深亚微米集成电路互连所需的低介电常数介质薄膜的理想前驱体。

公开(公告)号：CN109609927A

公开(公告)日：2019-04-12

申请号：CN201910068247.X

申请日：2019-01-24

Applicant: 复旦大学

Inventor： 丁士进 ,  朱宝 ,  丁子君 ,  刘文军 ,  张卫

IPC: C23C16/18 ,  C23C16/44 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明公开了一种碳氮掺杂的金属钴薄膜、其制备方法及用途，该方法包含至少一个反应循环，每个反应循环包含以下步骤：S1，向反应腔中通入Co(EtCp)2蒸汽，使其与反应腔中的衬底表面充分反应；S2，向反应腔中通入无氧保护气氛吹洗；S3，向反应腔中通入NH3等离子体，使其与含有Co(EtCp)2的衬底表面充分发生化学反应；S4，向反应腔中通入无氧保护气氛以将未反应NH3等离子体及反应副产物吹洗干净，获得碳氮掺杂的金属钴薄膜；其中，碳氮掺杂的金属钴薄膜厚度依循环数而定。本发明提供的方法工艺流程简单易控，与集成电路制造工艺兼容性好，生长温度低，生长温度区间大，电阻率低，表面均匀平整。

公开(公告)号：CN103258734B

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201310181432.2

申请日：2013-05-16

Applicant: 复旦大学

Inventor： 丁士进 ,  丁子君 ,  谭再上 ,  张卫

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明属于超大规模集成电路制造技术领域，具体为一种SiCOH薄膜及其制备方法。本发明以[2-(7-氧杂二环[4.1.0]庚-3-基)乙基]硅烷为前驱体，采用溶胶、凝胶工艺制备SiCOH薄膜，所得薄膜介电常数为3.8-4.1，在1MV/cm的电场强度下漏电流密度为10-5~10-7A/cm2数量级，杨氏模量为4.82GPa，硬度为1.11GPa。该SiCOH薄膜具有合适的介电常数，且该薄膜热稳定性突出，力学性能良好。该绝缘介质薄膜在超大规模集成电路后端互连中，可以用于多孔介电层与帽层或扩散阻挡层之间，起到提高粘结强度以及密封多孔介电层孔结构的作用。

公开(公告)号：CN103159955B

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201310069430.4

申请日：2013-03-05

Applicant: 复旦大学

Inventor： 丁士进 ,  丁子君 ,  张卫

IPC: C08G77/06 ,  C08G77/34

Abstract: 本发明属于集成电路互连介质材料技术领域，具体为一种低介电常数材料前驱体的合成方法，即为一种七缺角的笼型倍半硅氧烷（POSS）单体合成改性POSS聚合物的方法。本发明由七缺角笼型倍半硅氧烷（POSS）单体和不饱和化合物1,5-己二烯进行加成反应，制备改性的POSS聚合物的方法。该改性聚合物可作为低介电常数材料的前驱体，用于集成电路互连介质。由于该改性聚合物中含有无机和有机化学键成份，因此兼具无机和有机材料的复合性能。此外，该聚合物本身含有约2-3nm的闭合孔径，因此可以有效降低材料本身的介电常数，是深亚微米集成电路互连所需的低介电常数介质薄膜的理想前驱体。

公开(公告)号：CN104078420A

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201410337539.6

申请日：2014-07-16

Applicant: 复旦大学

Inventor： 丁士进 ,  丁子君 ,  蒋涛 ,  张卫

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L21/76829 ,  H01L23/5329

Abstract: 本发明属于超大规模集成电路制造技术领域，具体为一种基于BTEM前驱体的超低介电常数薄膜及其制备方法。本发明以1，2-二（三乙氧基硅基）甲烷为前驱体，通过添加表面活性剂聚环氧乙烷-聚环氧丙烷-聚环氧乙烷三嵌段共聚物、盐酸、乙醇和去离子水，制备溶胶溶液；然后，采用旋涂技术和后退火处理，获得性能良好的超低介电常数薄膜材料，其介电常数值（k）在1.8-2.0之间，0.5MV/cm的电场强度下漏电流密度在10-10-10-9 A/cm2数量级，杨氏模量为8-20GPa，硬度为0.8-1.5GPa。

公开(公告)号：CN104078420B

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201410337539.6

申请日：2014-07-16

Applicant: 复旦大学

Inventor： 丁士进 ,  丁子君 ,  蒋涛 ,  张卫

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/532

Abstract: 本发明属于超大规模集成电路制造技术领域，具体为一种基于BTEM前驱体的超低介电常数薄膜及其制备方法。本发明以1，2-二（三乙氧基硅基）甲烷为前驱体，通过添加表面活性剂聚环氧乙烷-聚环氧丙烷-聚环氧乙烷三嵌段共聚物、盐酸、乙醇和去离子水，制备溶胶溶液；然后，采用旋涂技术和后退火处理，获得性能良好的超低介电常数薄膜材料，其介电常数值（k）在1.8-2.0之间，0.5 MV/cm的电场强度下漏电流密度在10-10-10-9  A/cm2数量级，杨氏模量为8-20 GPa，硬度为0.8-1.5 GPa。

公开(公告)号：CN103258734A

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN201310181432.2

申请日：2013-05-16

Applicant: 复旦大学

Inventor： 丁士进 ,  丁子君 ,  谭再上 ,  张卫

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明属于超大规模集成电路制造技术领域，具体为一种SiCOH薄膜及其制备方法。本发明以[2-(7-氧杂二环[4.1.0]庚-3-基)乙基]硅烷为前驱体，采用溶胶、凝胶工艺制备SiCOH薄膜，所得薄膜介电常数为3.8-4.1，在1MV/cm的电场强度下漏电流密度为10-5~10-7A/cm2数量级，杨氏模量为4.82GPa，硬度为1.11GPa。该SiCOH薄膜具有合适的介电常数，且该薄膜热稳定性突出，力学性能良好。该绝缘介质薄膜在超大规模集成电路后端互连中，可以用于多孔介电层与帽层或扩散阻挡层之间，起到提高粘结强度以及密封多孔介电层孔结构的作用。

公开(公告)号：CN104008997A

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：CN201410243600.0

申请日：2014-06-04

Applicant: 复旦大学

Inventor： 丁士进 ,  丁子君 ,  张卫

IPC: H01L21/768 ,  C23C16/513 ,  C23C16/44

CPC classification number: C23C16/44 ,  C23C16/513 ,  H01L21/768 ,  H01L21/76837 ,  H01L21/76826 ,  H01L2221/1005

Abstract: 本发明公开了一种超低介电常数绝缘薄膜及其制备方法，该方法包含：步骤1.利用等离子体增强化学气相沉积技术沉积薄膜：MTES和LIMO作为反应源，氦气为载气被导入到化学气相沉积反应腔中，沉积形成50-100nm的绝缘层，MTES和LIMO的流量比=1∶1～1∶2.5；步骤2.采用Ar等离子体对绝缘层表面进行原位处理以形成致密的修饰层；步骤3.重复上述步骤1和2，得到目标厚度的绝缘薄膜；步骤4.对绝缘薄膜进行高温退火，形成超低介电常数绝缘薄膜。本发明创新性地采用了交替等离子体增强化学气相沉积绝缘薄膜和后等离子体处理的方法，工艺简单，沉积速率快，形成的薄膜具有良好的抗吸湿性，与集成工艺相兼容，成膜质量好，能够充分满足先进集成电路对低介电常数材料的电学性能、力学性能以及绝缘性能的要求。