公开(公告)号：CN103911635B

公开(公告)日：2016-02-24

申请号：CN201410109968.8

申请日：2014-03-21

Applicant: 复旦大学

Inventor： 卢红亮 ,  谢立恒 ,  丁士进 ,  张卫

IPC: C25D3/38

Abstract: 本发明属于金属电镀技术领域，具体为一种电镀铜溶液。该电镀铜溶液包括：硫酸铜、硫酸、氯离子、烷基丁二酸酯磺酸钠和磺酸盐类。其优点在于调高了电镀液的酸铜比，可以保证在纳米级的深孔中铜层应有的厚度；流动性更好，电镀铜的台阶覆盖能力得到了有效的提高，沟槽在纳米级铜填充后，没有空隙和裂缝等存在；电镀后的样品在后续器件的制备过程有很好的可靠性。

公开(公告)号：CN103911635A

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201410109968.8

申请日：2014-03-21

Applicant: 复旦大学

Inventor： 卢红亮 ,  谢立恒 ,  丁士进 ,  张卫

IPC: C25D3/38

Abstract: 本发明属于半导体集成电路制造技术领域，具体为一种电镀铜溶液。该电镀铜溶液包括：硫酸铜、硫酸、氯离子、烷基丁二酸酯磺酸钠和磺酸盐类。其优点在于调高了电镀液的酸铜比，可以保证在纳米级的深孔中铜层应有的厚度；流动性更好，电镀铜的台阶覆盖能力得到了有效的提高，沟槽在纳米级铜填充后，没有空隙和裂缝等存在；电镀后的样品在后续器件的制备过程有很好的可靠性。

公开(公告)号：CN102693958A

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN201210206916.3

申请日：2012-06-21

Applicant: 复旦大学

Inventor： 卢红亮 ,  谢立恒 ,  孙清清 ,  王鹏飞 ,  丁士进 ,  张卫

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明属于半导体集成电路制造技术领域，具体为一种铜互连结构及其制备方法。本发明以现有铜互连结构为基础，采用硅酸锰薄膜作为铜互连结构的铜扩散阻挡层。本发明用原子层淀积方法在铜互连的沟槽和通孔结构中来生长5~20nm的硅酸锰薄膜，淀积的薄膜能够达到良好的台阶覆盖性，可大大减少孔洞和缝隙等缺陷的产生。此外，通过调节硅酸锰薄膜中的Si和Mn比例，可以获得较佳的铜扩散阻挡能力和粘附特性。本发明的优点是可以提高铜互连线的抗电迁移特性，并保持其在集成电路铜互连应用中的可靠性，为45nm及其以下工艺技术节点提供了一种理想的互连工艺技术解决方案。

公开(公告)号：CN103572332A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201310493581.2

申请日：2013-10-21

Applicant: 复旦大学

Inventor： 卢红亮 ,  谢立恒 ,  孙清清 ,  张卫

IPC: C25D3/38

Abstract: 本发明属于铜互连结构技术领域，具体涉及一种电镀铜的镀液及其制备方法。本发明提供电镀铜的镀液，其组成成分：0.84-0.92摩尔/升的硫酸铜，2.95-3.05毫克/升的加速剂，195-205毫克/升的聚醚，19.5-20.5毫克/升的整平剂，59.5-60.5毫克/升的氯离子溶液。其优点在于在集成电路中实现铜互连工艺带来革新，可以有效的保证好的填充能力，较小的晶粒尺寸以及可接受的电阻率，为90nm及其以下铜互连填充工艺技术节点提供了一种理想的电镀实现方案。

公开(公告)号：CN102903699A

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN201210389472.1

申请日：2012-10-15

Applicant: 复旦大学

Inventor： 卢红亮 ,  张卫 ,  谢立恒 ,  丁士进 ,  王鹏飞

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明属于微电子工艺技术领域，具体是一种以Ru-Al-O作为扩散、粘附阻挡层的铜互连结构以及制备方法。本发明以现有铜互连结构为基础，采用Ru-Al-O代替传统的TaN/Ta双层结构，作为铜互连结构的新的铜扩散阻挡层。利用原子层淀积（ALD）方法，在经过热氧化的二氧化硅薄膜上层淀积一层3~5nm厚的Ru-Al-O作为粘附层，并在其上生长一层5~10nm厚的Ru作为扩散阻挡层，并可作为电镀铜的籽晶层。通过调节Ru-Al-O中的Ru、Al、O三者的比例，可以获得较佳的铜扩散阻挡能力和粘附特性。本发明可以提高扩散阻挡层与下层二氧化硅层的粘附强度，并保持与籽晶层连接的紧密性，为现有的铜互连技术在增强粘附能力方面提供一种改善的可行性方案。