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公开(公告)号：CN104164660B
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201410425697.7
申请日：2014-08-26
Applicant: 复旦大学
IPC: C23C16/513 , C23C16/448 , C23C16/56 , H01L21/768
Abstract: 本发明属于超大规模集成电路制造技术领域，具体为一种低介电常数多孔SiOCNH薄膜及其制备方法。本发明采用PECVD工艺，以MTES以及LIMO为液态源，经过汽化后随氦气载入腔体与氨气混合，通过控制沉积过程中的衬底温度、射频功率、反应腔内的工作压强、反应源配比等工艺参数，沉积得到无机‑有机复合薄膜，再经过热退火处理除去有机成分，最终得到低介电常数多孔SiOCNH薄膜。该薄膜的介电常数为2.38±0.06～2.58±0.05；在1MV/cm的电场强度下漏电流密度达到10‑9～10‑8A/cm2数量级；杨氏模量为35.41～36.31 GPa，硬度为1.88～2.48 GPa。由于薄膜中掺入了氮元素，该低介电常数材料薄膜不仅具有较好电学性能，还具有优异的力学性能。
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公开(公告)号：CN103956331B
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201410175490.9
申请日：2014-04-29
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/768 , H01L23/522
Abstract: 本发明属于超大规模集成电路制造技术领域，具体为一种用于多孔互连介质表面封孔材料的制备方法。本发明以有机液态源三‑乙氧基甲基硅烷（MTES）为液态源，经过汽化后随氦（He）载气进入腔体与C2F6气体混合，采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）工艺，在多孔低介电常数互连介质表面沉积一层薄膜。该薄膜的介电常数为2.8‑3.3，在1MV/cm的电场强度下漏电流密度为10‑9A/cm2数量级，杨氏模量为16.21‑37.33 GPa，硬度为1.25‑3.03 GPa。该材料薄膜在超大规模集成电路后端互连中，可用于多孔互连介质层的封孔，同时起到增强多孔介质层与盖帽层或扩散阻挡层之间的黏附强度。
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公开(公告)号：CN103956331A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201410175490.9
申请日：2014-04-29
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/768 , H01L23/522
CPC classification number: H01L21/7682 , H01L23/5329 , H01L2221/1047
Abstract: 本发明属于超大规模集成电路制造技术领域，具体为一种用于多孔互连介质表面封孔材料的制备方法。本发明以有机液态源三-乙氧基甲基硅烷（MTES）为液态源，经过汽化后随氦（He）载气进入腔体与C2F6气体混合，采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）工艺，在多孔低介电常数互连介质表面沉积一层薄膜。该薄膜的介电常数为2.8-3.3，在1MV/cm的电场强度下漏电流密度为10-9A/cm2数量级，杨氏模量为16.21-37.33GPa，硬度为1.25-3.03GPa。该材料薄膜在超大规模集成电路后端互连中，可用于多孔互连介质层的封孔，同时起到增强多孔介质层与盖帽层或扩散阻挡层之间的黏附强度。
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公开(公告)号：CN104164660A
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201410425697.7
申请日：2014-08-26
Applicant: 复旦大学
IPC: C23C16/513 , C23C16/448 , C23C16/56 , H01L21/768
Abstract: 本发明属于超大规模集成电路制造技术领域，具体为一种低介电常数多孔SiOCNH薄膜及其制备方法。本发明采用PECVD工艺，以MTES以及LIMO为液态源，经过汽化后随氦气载入腔体与氨气混合，通过控制沉积过程中的衬底温度、射频功率、反应腔内的工作压强、反应源配比等工艺参数，沉积得到无机-有机复合薄膜，再经过热退火处理除去有机成分，最终得到低介电常数多孔SiOCNH薄膜。该薄膜的介电常数为2.38±0.06～2.58±0.05；在1MV/cm的电场强度下漏电流密度达到10-9～10-8A/cm2数量级；杨氏模量为35.41～36.31GPa，硬度为1.88～2.48GPa。由于薄膜中掺入了氮元素，该低介电常数材料薄膜不仅具有较好电学性能，还具有优异的力学性能。
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